以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点，可用于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。随着SiC衬底的功率器件在新能源汽车、高铁、特高压电网等领域应用不断突破，市场前景不可估量。本项目从国家经济、社会发展和国防安全对碳化硅材料的重大需求出发，开发具有自主知识产权的新型电阻法大尺寸单晶生长设备及生长工艺，该工艺具有稳定性、均匀性更强的热场环境，较市场主流的感应法相比较，更适合生长尺寸更大、厚度更高的碳化硅晶体。该工艺具备成为连续式碳化硅生长炉的潜力，大大提高生产效率、降低生产成本，并且一致性会更好。技术水平处于国内领先。通过自主研发的籽晶镀膜处理工艺，省去了籽晶粘接环节，缩短了生产周期，同时减少了位错、六方孔洞、微管等缺陷问题，提高产品良率；实现了设备全自动化，一键式操作即可完成整个晶体生长过程，所有生长参数被监控和存储，可远程查看和控制。项目计划投资40亿元，建成年产10万片碳化硅衬底长晶炉及配套衬底加工生产线，预计可实现年销售收入60亿元，利润总额超过10亿元。