项目成功研发出国内首款可替代日本“FUSO”的高端纳米级二氧化硅磨料,其主要抛光研磨参数达到甚至超越了FUSO的同类产品。该产品具有工艺稳定、批次重复性高的特点,并且已建成1立方...《查看全部》。
项目成功研发出国内首款可替代日本“FUSO”的高端纳米级二氧化硅磨料,其主要抛光研磨参数达到甚至超越了FUSO的同类产品。该产品具有工艺稳定、批次重复性高的特点,并且已建成1立方米的生产线。相比国际同类产品,成本降低至50%左右。通过自主知识产权技术,实现了30~150nm尺寸范围内二氧化硅颗粒的可控调控制备,且颗粒尺度分布窄(PDI为0.03-0.2),纯度高(金属杂质含量≤400 ppb),形貌以高球形度为主,单分散性和化学稳定性优异。此外,还具备质量浓度范围广(≦30%)和易于放大生产的优势。核心技术涵盖从制备工艺到设备设计及抛光液配伍的三大创新点,适用于芯片等精密抛光过程。鉴于我国集成电路市场占全球40%,突破关键材料的进口依赖成为当务之急,该项目在CMP技术中发挥着至关重要的作用,有助于提升国产化水平并降低成本。