公司与高校教授研发团队合作，共同开发出蓝/红光双色LED芯片和红、绿、蓝、黄四色LED芯片，均已取得发明专利。传统红光LED芯片只能采用砷化镓材料作为衬底，不但价格昂贵而且外延工艺复杂，芯片无法达到微米级尺寸，严重制约了Micro/Mini LED全彩芯片的发展。研发团队采用纳米线LED、多色量子阱（QW）结构MicroLED和纳米环LED三种结构。纳米线LED的制备是利用选区生长（SAG）技术。通过控制In GaN/GaN纳米线的成分来实现发光颜色的转换。 本项目以公司现有技术为基础，实现Mini/MicroLED的开发与产业化制造，进而带动产业链上下游各企业协同发展，深入布局下一代显示技术。 本项目生产的Mini/MicroLED产品具有微小像素尺寸、超高分辨率、广色域和高对比度的特点，应用后达到节约衬底材料、提高成像质量、降低成本和功耗的目的。