联栅功率管是功率器件底层新架构，是电压型静电感应功率管与电流型双极型功率管的复合型功率管。联栅功率管采用联栅架构，即多晶硅发射极和栅上无铝仅在栅区汇流条上布铝的架构，使元胞细微化，从而获得了优异的性能。 联栅功率管包括联栅晶闸管GATH（适用于1700V-8000V场景）和联栅晶体管GAT（适用于400V-1200V场景）。联栅晶闸管GATH的优势是高压大电流、高可靠，适用于特高压、柔直、高铁、风电等领域。联栅晶体管GAT的优势是高能效、高频、高整机功率密度，适用于新能源汽车充电桩、光伏储能等领域。此外，传统领域联栅功率管也具有高性价比的优势。 联栅架构目前有400V/600V/1200V/1700V系列Si产品，联栅功率管可以做逆导型产品，也可以做SiC衬底。