半导体照明与显示、新能源等领域的芯片制造水平关系着国防和国民经济安全，反映了国家重大战略需求。LED节能、环保、长寿命，被誉为21世纪绿色光源。新型显示是国家重点布局的战略产业，Micro-LED被称为“下一代显示技术”，苹果、三星、索尼等国际巨头纷纷投入Micro-LED研发阵营，发展全彩Micro-LED显示芯片对推进我国LED显示产业链国产化具有至关重要的意义。本项目主要研究超高效率氮化物Mini/Micro-LED芯片设计与制造技术，从表面/界面技术、三维倒装结构、V形坑/预阱层/阶梯形量子阱三个方向，解决光提取效率低、电流扩展不均匀、内量子效率低导致的LED 芯片外量子效率低灯管问题，提升LED芯片效率。