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所在地区: 上海上海市
项目领域: 新材料
项目成熟度: 量产
拟投资额: 面议
意向落地区域: 江苏-南京市
王博士

碳纳米管是一种由单层碳原子卷成管状的碳材料,碳纳米管芯片比硅元器件体积更小。韧性极高, 可以承受弯曲、拉伸等应力,电信号传输过程的延迟很短。 碳纳米管电子迁移率是传统硅基芯片CM...《查看全部》

碳纳米管是一种由单层碳原子卷成管状的碳材料,碳纳米管芯片比硅元器件体积更小。韧性极高, 可以承受弯曲、拉伸等应力,电信号传输过程的延迟很短。 碳纳米管电子迁移率是传统硅基芯片CMOS的1000倍,场发射低于硅基CMOS电路的单壁碳纳米管集成电路的室温温度,导热系数达到令人振奋的4000-6600W/MK,能源效率提高10倍,1纳米的碳纳米管CMOS栅电容导致延迟≈125飞秒,仅为硅基COMS的1/5,禁带宽度1.2-1.6eV,是硅基芯片的2.2倍,再加上传统的硅基芯片受到摩尔定律2nm限制,带隙宽度窄、工作效能差、散热性不佳、而新晋的碳化硅氮化镓材料芯片成本制作产率良率低,应用有限。 因此,6个9的高纯度碳纳米管芯片完全可完全替代硅基芯片,成为第三代、第四代半导体产品的佼佼者。