当前位置: 首页> 找人才> 正文

刘教授

教授 福建厦门市
科研能力 #基金项目申报# #应用技术研究# #高层次人才#
个人简介
联系客服
科研专业方向

研究领域:

极端制造与专用机械装备制造技术

研究方向:

微纳加工 、精密检测 、机电一体化、数控技术

科研重点分布
近年科研重点
2013
磁阻效应 磁阻传感器 车流量检测 HMC1022
科研产出增长曲线
历年科研产出
学科论文分布
无线电电子学:35 物理学:14 自动化技术:2 材料科学:2 工业通用技术及设备:1
总数: 46
展开 >
  • 产学研合作
  • 基金课题
  • 荣誉&成就
  • 科研成果
产学研合作
合作信息
合作单位 合作论文数量
集成光电子学国家联合重点实验室吉林大学实验区 1
华南师范大学 1
晶能光电有限公司 1
厦门华联电子有限公司 1
福建省半导体照明工程技术研究中心 1
吉林大学集成光电子国家重点实验室 1
长春集成光电子学国家重点实验室吉林大学实验区 1
新疆大学物理系 1
展开全部
基金课题
论文标题 基金名称
基于磁阻传感器的车流量检测系统的设计与应用 2011年度福建省大学生创新性实验计划项目
荣誉&成就

主要科研项目:目前负责863项目“GaN P型欧姆接触及产业化研究 ”和国家自然科学基金和福建省基金项目“无应变InGaAlN/GaN PIN紫外光电探测器的研制”, 参与省科技项目和产业化项目等多项。曾负责完成三项“七.五”攻关课题;三项福建省基金课题,参与完成一项“863”课题和多项国家自然科学基金和福建省 基金,并“863”先进个人。

科研成果
  • 期刊论文
  • 技术成果
  • 专利

侧壁粗化提高GaN基发光二极管出光效率的研究

纳米压印技术制备表面二维光子晶体发光二极管

低压下激光剥离的研究

基于磁阻传感器的车流量检测系统的设计与应用

基于磁阻传感器的车流量检测系统的设计与应用

基于5630TOPLED亚毫米级阵列式微型透镜的光学仿真

侧面粗化提高GaN基LED出光效率研究

AlInN基紫外LED的研制

In组分渐变提高InGaN/GaN多量子阱发光二极管发光性能

发光二极管的色度分析

用InGaN/AlGaN超晶格降低p-GaN欧姆接触电阻

全息技术制作二维光子晶体蓝宝石衬底提高发光二极管外量子效率

生长温度对InGaN/GaN多量子阱LED光学特性的影响

AlInGaN/GaNPIN紫外光电探测器的研制

表面粗化提高GaN基LED光提取效率的模拟

2×25.4mmGaNLED外延膜的激光剥离及其衬底的重复利用

MOCVD侧向外延生长GaN的研究

非平面化型ITO氮化镓基蓝光发光二极管

优化GaN基发光二极管的电极

低p-GaN欧姆接触电阻的研究

生长温度对InGaN/GaN多量子阱LED光学特性影响

用p-InGaN/p-GaN超晶格做接触层获得低阻欧姆接触的研究

GaN基发光二极管的电极优化

与GaN晶格匹配的AlInN薄膜的外延生长

AlN/GaN分布布拉格反射器反射率的研究

p型GaN欧姆接触的研究进展

氢等离子体气氛中退火多孔硅的表面和光荧光特性

激光剥离GaN/Al2O3材料温度分布的解析分析

掺硅InGaN和掺硅GaN的光学性质的研究

掺硅InGaN和GaN的光学性质研究

LP-MOCVD生长InGaN及InGaN/GaN量子阱的研究

InGaAs/InP量子线的子带结构和光学增益

InGaAs/InP量子阱和量子线的光学性质

用于OEIC的InPMISFET的研制

纳米硅量子点的自然形成及其发光特性

InGaAs/InP分别限制量子阱激光器的阱数优化设计和实验制备

K·P方法计算InGaAs/InP应变量子阱的增益矩阵元

InGaAs(P)/InP应变量子阱和超晶格的光电性质

应用LP-MOCVD方法研制InGaAs/InP应变量子阱LD

InGaAs/InP应变量子阱的能带比较

InP/GaAs/InPⅡ型量子阱的光致发光研究

应用LP-MOCVD方法研制InGaAs/InP应变量子阱LD

准二维天然超晶格物质Mo4O11的输运现象

用于光电集成的GaAs/InPMESFET研究

利用K·P方法计算InGaAs/InP应变量子阱的能带

MOCVD生长InGaAs/InP体材料研究

节能环保LED照明新技术及其推广应用

半导体照明评价测试系统和新技术及推广应用

半导体照明评价测试系统和新新技术及推广应用

一种漫反射式激光照明装置

一种新的半导体激光照明显示方法

一种基于激光激发荧光粉的透射式显示实现办法

一种侧面出光的LED发光管封装结构

一种激光图形显示方法

激光光源显示装置

一种基于激光激发荧光粉的白光照明装置及其实现方法

一种复折射率测量装置及其测量方法

一种复折射率测量装置

一种光子晶体结构GaN基LED的制备方法

一种横向结构的PN太阳能电池及其制备方法

一种横向结构的PIN太阳能电池及其制备方法

一种局域化发射区结构的太阳能电池及其制备方法

一种横向结构的PN太阳能电池及其制备方法

一种横向结构的PIN太阳能电池及其制备方法

一种局域化发射区结构的太阳能电池及其制备方法

一种弱极性面上氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法

一种场效应太阳能电池

一种有源区为P型的氮化镓系半导体发光管

一种GaN基垂直结构发光二极管及其制备方法

一种高出光效率GaN基发光二极管的制备方法

一种GaN基多量子阱超辐射发光二极管及其制备方法

GaN基多量子阱结构的高亮度发光二极管及其制备方法

大功率半导体微腔发光二极管

镓极性氮化镓缓冲层的生长方法

一种氮化镓基外延膜的制备方法

一种p-GaN低阻欧姆接触的制备方法

一种氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法

无应变InAlGaN/GaNPIN光电探测器

氮化镓基蓝光发光二极管

展开全部
数据信息来源于网络,若有侵权请联系客服