科研专业方向
研究领域：
半导体新材料制备与应用技术
研究方向：
硅基集成光电子材料与器件、新型半导体低维材料与器件
李教授
副教授
A类
福建厦门市
科研重点分布
近年科研重点
2020
Ge光电探测器 Si基Ge材料 n型掺杂 肖特基势垒高度2021
光电探测器 接触势垒 响应度 介质插层 硅基光电集成 Ⅳ族材料 发光器件科研产出增长曲线
历年科研产出
学科论文分布
无线电电子学：11
物理学：4
材料科学：4
财政与税收：3
工业通用技术及设备：2
电力工业：1
化学：1
无机化工：1
计算机硬件技术：1
宏观经济管理与可持续发展：1
总数:
22
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- 产学研合作
- 基金课题
- 荣誉&成就
- 科研成果
产学研合作
合作信息
| 合作单位 | 合作论文数量 |
|---|---|
| 华侨大学工学院 | 2 |
| 闽南理工学院 | 1 |
| 福建工程学院信息科学与工程学院 | 1 |
| 闽南师范大学物理与信息工程学院 | 1 |
| 黎明职业大学信息与电子工程学院 | 1 |
| 闽江学院物理学与电子信息工程系 | 1 |
| 中科院半导体研究所集成光电子国家重点实验室 | 1 |
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基金课题
| 论文标题 | 基金名称 |
|---|---|
| 税制分权改革与上市公司的税收规避行为 | 国家自然科学基金项目信息操控、风险测度与盈余公告后的漂移现象 |
| 税制分权改革与上市公司的税收规避行为 | 教育部青年项目竞争市场结构下审计策略与结构优化研究 |
| 智能剥离制备GOI材料 | 国家重点自然科学基金 |
| 锗近红外光电探测器制备工艺研究进展 | 国家自然科学基金 |
| 高效GaAs/Si叠层电池设计优化 | 国家自然科学基金重点项目 |
| 图形化Si基Ge薄膜热应变的有限元分析 | 国家重点基础研究发展计划 |
| 铝分层诱导晶化非晶硅的研究 | 国家自然科学基金 |
| 金属与半导体Ge欧姆接触制备、性质及其机理分析 | 国家重点基础研究发展计划 |
| 双能谷效应对N型掺杂Si基Ge材料载流子晶格散射的影响 | 国家自然科学基金青年基金 |
| 超薄介质插层调制的氧化铟锡/锗肖特基光电探测器 | 国家自然科学基金 |
| 氮氧化铝的原子层沉积制备及其阻变性能研究 | 福建省自然科学基金 |
| 硅基Ⅳ族材料外延生长及其发光和探测器件研究进展 | 国家自然科学基金 |
| Ge组分对SiGeHBT直流特性的影响 | 福建省青年科技人才创新基金 |
| 基于Ge浓缩技术和O3氧化制备超薄GOI材料 | 国家自然科学基金项目 |
| Ge/SiGe异质结构肖特基源漏MOSFET | 国家自然科学基金资助项目 |
| 硅（100）衬底表面快速热退火制备硒纳米晶薄膜的结晶动力学 | 福建省自然科学基金面上项目 |
| 硅（100）衬底表面快速热退火制备硒纳米晶薄膜的结晶动力学 | JA13429）华侨大学科研基金资助项目 |
| Si（100）表面Se薄膜生长及其在Ti/Si欧姆接触中的应用 | 国家重点基础研究发展计划 |
| 采用Al/TaN叠层电极提高Si基GePIN光电探测器的性能 | 国家重点基础研究发展计划 |
| 硅基硒纳米颗粒的发光特性研究 | 华侨大学科研基金 |
| 同排位同牺牲原则下个人所得税税率设计 | 国家自然科学基金青年基金项目 |
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荣誉&成就
主要成果：
1)系统地研究了大晶格失配材料系锗/硅的外延技术，利用低温缓冲层技术在硅衬底上制备出低位错密度的锗薄膜。在此基础上，外延出高质量张应变Ge/SiGe多量子阱结构，并首次观测到锗量子阱直接带室温光致发光及其量子限制效应。在硅衬底上外延出调制掺杂Ge/SiGe异质结构，发现调制掺杂可有效提高锗直接带的发光强度，并采用SOI衬底观测到微腔增强的室温光荧光;这些结果对具有间接带特性的Ge/Si材料用于光电子器件的可行性提供了重要的实验依据。采用外延的材料，研制出硅基锗长波长光电探测器。
2)研究了硅基SiGe薄膜的氧化行为和氧化过程中应变的弛豫机理，澄清了一直存在争议的SiGe氧化过程中氧化速率饱和的作用机理，修正了Deal-Groove模型在氧化SiGe中的应用，指出氧分子在氧化物中的扩散仍然是限制氧化速率的关键因素。采用外延和氧化相结合的方法制备出锗组份可控的SGOI衬底，是发展下一代微电子器件的重要材料
3)利用UHV/CVD和MBE系统在国际上首次研制出硅基SiGe/Si多量子阱系列共振腔增强型光电探测器，将同类器件的量子效率提高了5倍以上。研究成果连续两次被美国光电子杂志LaserFocusWorld(WDMSolution)撰文在新闻栏目(newsbreak和R&Dnotes)中跟踪报道。该项研究的主要结果分别被Academicpress出版的专著“Silicongermaniumstrainedlayersandheterostructure”和Springer公司出版的专著“Opticalinterconnect,thesiliconapproach”收入，并给予较高的评价。
4）提出并优化硅化铁纳米颗粒pin发光二极管结构，研制出室温低电流密度下发光的硅基电致发光器件，达到当时国际最好水平。在国内外杂志如AppliedPhysicsLetters，IEEEPTL，Nanotechnology等和会议上发表论文八十多篇，其中被SCI收录五十多篇，被引用260余次，被EI收录二十余篇。获得4项中国发明专利。
科研:
1. 国家自然科学基金面上项目：绝缘体上锗（GOI）纳米带应变调控机理及其MOSFET研究，2015/01-2018/12。
2. 国家重点基础研究发展计划（973）子课题，硅基能带调控发光材料与激光器件，2013.1- 2017.12。
3. 国家重大科学研究计划课题，硅基混合集成高速高灵敏度光电探测器的研制，2012.1-2016.9。
4. 国家重点基础研究（973）计划子课题，基于能带工程的硅基发光材料及原型器件，2007-2011。
5. 国家自然科学基金重点项目子课题，硅基锗材料外延及相关器件基础研究，2011-2014年。
6. 国家自然科学基金面上项目，金属与锗接触界面微结构及势垒高度调制机理研究，2012-2015
7. 教育部博士点基金项目，基于能带工程的硅基锗高效发光材料研究，2012.1-2014.12
8. 国家自然科学基金面上项目，SOI基高速窄谱带长波长锗光电探测器的研究，2007-2009
9. 福建省工业科技重点项目：SOI基高速垂直腔探测器，2006-2009
科研成果
- 期刊论文
- 专利
超薄介质插层调制的氧化铟锡/锗肖特基光电探测器
硅基Ⅳ族材料外延生长及其发光和探测器件研究进展
锗近红外光电探测器制备工艺研究进展
双能谷效应对N型掺杂Si基Ge材料载流子晶格散射的影响
硅（100）衬底表面快速热退火制备硒纳米晶薄膜的结晶动力学
智能剥离制备GOI材料
氮氧化铝的原子层沉积制备及其阻变性能研究
基于Ge浓缩技术和O3氧化制备超薄GOI材料
图形化Si基Ge薄膜热应变的有限元分析
铝分层诱导晶化非晶硅的研究
Ge/SiGe异质结构肖特基源漏MOSFET
金属与半导体Ge欧姆接触制备、性质及其机理分析
硅基硒纳米颗粒的发光特性研究
同排位同牺牲原则下个人所得税税率设计
高效GaAs/Si叠层电池设计优化
采用Al/TaN叠层电极提高Si基GePIN光电探测器的性能
半导体光电结构材料及其应用
Si（100）表面Se薄膜生长及其在Ti/Si欧姆接触中的应用
税制分权改革与上市公司的税收规避行为
不同发射极指数的SiGe HBT直流特性分析
税制分权改革、地方政府行为异化与上市公司税收遵从行为
Ge组分对SiGeHBT直流特性的影响
一种锂离子电池硅负极材料的改性方法
一种柔性锂离子电池硅碳复合负极材料及其制备方法
一种柔性可弯曲杂化太阳能电池的制备方法
一种***面气泡绝缘层上锗键合方法
无氧化层半导体低温键合方法
弱键合强度脆性键合样品截面透射电子显微镜制备方法
一种基于电化学腐蚀的硅纳米带的制备方法
一种基于电化学腐蚀的硅纳米带的制备方法
利用非晶锗薄膜实现低温Si#Si键合的方法
利用非晶锗薄膜实现低温Si-Si键合的方法
一种优化堆叠栅介质与锗界面的方法
一种减小氧化铪栅介质漏电流的方法
Ge薄膜键合制备绝缘层上锗的方法
超薄硅薄膜钝化制备绝缘体上锗的方法
超薄硅薄膜钝化制备绝缘体上锗的方法
横向p-i-n结构Ge光电探测器的制备方法
一种Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带的制备方法
台阶状氧化层Au/SiO2/Si纳米柱存储器件的制备方法
甲藻细胞壁蛋白的分离提取方法
有害赤潮生物细胞表面特异性抗体及其制备方法
一种锗量子点的制备方法
基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管
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