科研专业方向
研究领域:
电工、微电子和光电子新材料制备与应用技术
研究方向:
光学、应用光学和光电子学
研究领域:
电工、微电子和光电子新材料制备与应用技术
研究方向:
光学、应用光学和光电子学
合作单位 | 合作论文数量 |
---|---|
华侨大学工学院 | 1 |
闽江学院物理学与电子信息工程系 | 1 |
中科院半导体研究所集成光电子国家重点实验室 | 1 |
论文标题 | 基金名称 |
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图形化Si基Ge薄膜热应变的有限元分析 | 国家重点基础研究发展计划 |
金属与半导体Ge欧姆接触制备、性质及其机理分析 | 国家重点基础研究发展计划 |
Ge组分对SiGeHBT直流特性的影响 | 福建省青年科技人才创新基金 |
基于Ge浓缩技术和O3氧化制备超薄GOI材料 | 国家自然科学基金项目 |
Ge/SiGe异质结构肖特基源漏MOSFET | 国家自然科学基金资助项目 |
Si(100)表面Se薄膜生长及其在Ti/Si欧姆接触中的应用 | 国家重点基础研究发展计划 |
采用Al/TaN叠层电极提高Si基GePIN光电探测器的性能 | 国家重点基础研究发展计划 |
硅基硒纳米颗粒的发光特性研究 | 华侨大学科研基金 |
主要科研项目:
1. Si基材料的化学健能带改性研究,国家自然科学基金重点项目2004.01-2008.01
2. SiGe异质结晶体管(HBT)及其集成化工艺技术研究,福建省自然科学基金2004.07-2007.07
3. 稀土掺杂氟化物玻璃球微腔激光器,国家自然科学基金项目 2002.01--2006.01
专利:
1. <利用光莫尔效应制作隐蔽型全息密码的装置>,发明专利,专利号96100427.4
2. <用莫尔技术制作显现全息密码的装置>发明专利,专利号96102653.7
3. <用莫尔技术制作显现型全息密码的装置>,实用新型专利, 专利号ZL 96 2 03829.6
4. <利用光莫尔效应制作隐蔽型全息密码的装置>,实用新型专利, 专利号ZL 96 2 03828.8
5. <利用富立叶变换频谱制作全息密码的装置>,实用新型专利, 专利号ZL 94 2 23597.5
6. <多方位全息彩虹装饰材料母版的拍摄装置>,实用新型专利, 专利号ZL 94 2 23596.7
7. <单光束一步拷贝法制作彩虹全息图的装置>,实用新型专利, 专利号ZL 94 2 23280.1
8. <二维闪耀彩虹全息图制作装置>,实用新型专利, 专利号ZL 94 2 23265.8
基于Ge浓缩技术和O3氧化制备超薄GOI材料
图形化Si基Ge薄膜热应变的有限元分析
Ge/SiGe异质结构肖特基源漏MOSFET
金属与半导体Ge欧姆接触制备、性质及其机理分析
硅基硒纳米颗粒的发光特性研究
采用Al/TaN叠层电极提高Si基GePIN光电探测器的性能
Si(100)表面Se薄膜生长及其在Ti/Si欧姆接触中的应用
不同发射极指数的SiGe HBT直流特性分析
Ge组分对SiGeHBT直流特性的影响
全息莫尔密码防伪技术
2D闪耀彩虹全息照相技术
光栅光谱编码多方位彩虹装饰母板的全息摄制技术
加密码全息防伪标识的研究及其应用
单光束编码彩虹全息图的相干“拷贝”技术
一种锗量子点的制备方法
基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管