科研专业方向
研究领域：
超导、高效能电池等其它新材料制备与应用技术
研究方向：
凝聚态物理 半导体材料物理 表面和界面物理 量子结构材料物理 微电子学与固体电子学 大功率LED 深紫外LED 日盲探测器 新型太阳能电池
康教授
教授
福建厦门市
科研重点分布
近年科研重点
2014
六边形LED芯片 TracePro 光学性能 出光效率 MgZnO ZnO 超晶格 Ⅱ-Ⅵ比2015
ZnO 极性表面 扫描隧道显微 扫描隧道谱 偶极矩 高Al组分AlGaN 第一性原理 表面生长科研产出增长曲线
历年科研产出
学科论文分布
无线电电子学：42
物理学：27
化学：10
工业通用技术及设备：5
材料科学：5
无机化工：2
仪器仪表工业：1
电信技术：1
自动化技术：1
高等教育：1
教育理论与教育管理：1
总数:
75
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- 产学研合作
- 基金课题
- 荣誉&成就
- 科研成果
产学研合作
合作信息
| 合作单位 | 合作论文数量 |
|---|---|
| 福建省半导体材料及应用重点实验室 | 4 |
| 福建省半导体材料与应用重点实验室 | 2 |
| 福建医科大学数理与计算机教学部基础医学院 | 2 |
| 厦门理工学院光电与通信工程学院 | 2 |
| 厦门市未来显示技术研究院嘉庚创新实验室 | 2 |
| 福建厦门 | 2 |
| 东北大学金属材料研究所 | 2 |
| 集美大学 | 2 |
| 物理与机电工程学院 | 1 |
| 厦门理工学院数理系 | 1 |
| 集美大学理学院 | 1 |
| 厦门未来显示技术研究院 | 1 |
| 红外物理国家实验室 | 1 |
| 独立行政法人理化学研究所 | 1 |
| 南京大学物理系 | 1 |
| 昆明物理研究所 | 1 |
| 仙台980 | 1 |
| 日本东北大学金属材料研究所 | 1 |
| 日本东北大学学际科学研究中心 | 1 |
| 东北大学学际科学研究中心 | 1 |
| 日本东北大学 | 1 |
| 中科院半导体研究所集成光电子国家重点实验室 | 1 |
| 上海交通大学物理系人工结构及量子调控教育部重点实验室 | 1 |
| 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 | 1 |
| 嘉庚创新实验室 | 1 |
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基金课题
| 论文标题 | 基金名称 |
|---|---|
| 纤锌矿结构ZnO（0001）-Zn和（000-1）-O极性表面稳定几何及电子结构性质 | 国家自然科学基金 |
| ZnO（0001）Zn极性面上不同单体生长动力学特性 | 国家重点基础研究发展计划 |
| ZnO（0001）Zn极性面上不同单体生长动力学特性 | 国家自然科学基金项目 |
| 应变AlN表面生长动力学 | 国家重点基础研究发展计划 |
| 应变AlN表面生长动力学 | 国家高技术研究发展计划 |
| 应变AlN表面生长动力学 | 国家自然科学基金 |
| 应变AlN表面生长动力学 | 福建省教育厅科技项目B类 |
| 基于LabVIEW的外延片光致发光扫描系统 | 国家高技术研究发展计划 |
| 六边形LED芯片的出光效率模拟研究 | 国家973计划项目 |
| 六边形LED芯片的出光效率模拟研究 | 国家863计划项目 |
| 六边形LED芯片的出光效率模拟研究 | 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目 |
| Ⅱ-Ⅵ比对分子束外延生长的ZnO/ZnMgO超晶格的相结构调控 | 国家自然科学基金 |
| Ge组分对SiGeHBT直流特性的影响 | 福建省青年科技人才创新基金 |
| Si（001）衬底上闪锌矿ZnO的制备与分析 | 福建省自然科学基金 |
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荣誉&成就
申请或授权专利 ：
1.中国发明专利：纳米级高分辨应力测量方法（专利号：200510078721.5，2009.09.09授权）
2.中国发明专利：树叶脉络形大功率氮化镓基发光二极管芯片的P、N电极（专利号：200610092944.1，2008.11.26授权）
3.中国发明专利：选择超晶格位置掺杂的p型Ⅲ族氮化物材料的制备方法（专利号：200810071176.0，2010.04.15授权）
4.中国发明专利：一种表面等离激元同轴光波导结构（申请号：200810071867.0，2008.09.26申请）
5.中国发明专利：AlN生长面复合基底的制备方法以及氮化物半导体器件（申请号：200910111002.7，2009.02.03申请）
6.中国发明专利：基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构及其制备方法（申请号：200910112318.8，2009.07.30申请）
7.中国发明专利：多结太阳能电池及各子电池交流电致发光测试方法和装置（申请号：200910112669.9，2009.10.16申请）
主要科研项目：
1.主持国家自然科学基金重大研究计划培育项目：全同量子点晶格构筑及其量子态间耦合表征（2010.01-2012.12）
2.主持国家自然科学基金重点专项：原位半导体纳米结构综合测试系统研制（2009.01-2011.12）
3.主持国家自然科学基金面上项目：宽禁带半导体中光子与原子强耦合结构（2008.01-2010.12）
4.主持厦门市科技计划项目：稳定波长的高性能GaN基LED芯片（2006.1-2007.12）
5.主持国家“863”计划项目：GaN基半导体材料设计与关键外延技术开发（2006.10-2008.09）
6.主持国家自然科学基金重点项目子课题：氧化锌基单晶薄膜材料、物性及器件研究（2004.01-2007.12）
7.主持福建省科技计划重点项目：GaN基功率级LED芯片制备（2004.07-2007.06）
8.主持国家自然科学基金项目：III族氮化物异质界面的缺陷（2004.1-2006.12）
9.主持厦门市重大科技计划项目子课题: 半导体照明LED外延、芯片和封装关键技术攻关与产业化(2008.01-2010.12)
10.主持国家自然科学基金重点项目子课题: 表面原子过程和表面小系统量子效应问题—光谱实验(2002.01-2005.12)
科研成果
- 期刊论文
- 技术成果
- 专利
生长气压对分子束外延β-Ga2O3薄膜特性的影响
基于GaN微米阵列结构的单芯片白光LED有源区InGaN/GaN多量子阱结构设计
Micro-LED显示器的集成技术及其产业化前景的探讨
金属量子结构中的半导体输运性质及其调控
多场调控氮化物半导体量子结构及其固态光源应用
AlGaN量子结构及其紫外光源应用
紫外及深紫外光子晶体微腔特性研究
单层GaSe表面Fe原子吸附体系电子自旋性质调控
Mg杂质调控高Al组分AlGaN光学偏振特性
高Al组分AlGaN多量子阱结构材料发光机制探讨
纤锌矿结构ZnO（0001）-Zn和（000-1）-O极性表面稳定几何及电子结构性质
应变AlN表面生长动力学
分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极结构的AlGaN基紫外LEDs设计
应变AlN表面生长动力学
单双层石墨烯的制备及电导特性调控
六边形LED芯片的出光效率模拟研究
Ⅱ-Ⅵ比对分子束外延生长的ZnO/ZnMgO超晶格的相结构调控
不同衬底上Au纳米颗粒制备及其光学特性
Dy3+和La3+掺杂ZnO薄膜的特点及其气敏传感特性
高AI组分Ⅲ族氮化物结构材料及其在深紫外LED应用的进展
不同单体在ZnO（0001）-Zn极性面上生长的机制
InN在In极性面上的动力学生长过程
ZnO（0001）Zn极性面上不同单体生长动力学特性
用于短波段发光二极管的二维光子晶体禁带研究
高Al组分AlGaN基紫外LED结构材料
In极性面InN的生长动力学行为
AlGaN光学各向异性调控
AlGaN掺杂量子阱设计与制备
用于短波段的二维光子晶体禁带研究
大面积石墨烯二维晶体可控生长及其器件应用
MOCVDGaN/InN/GaN量子阱的应变表征
半导体光电结构材料及其应用
ZnO薄膜的椭圆偏振光谱研究
GaN薄膜的椭偏光谱研究
高Al组分AlGaN的P型结构设计与制备
表面/界面改性在铟镓氮/镓氮量子阱材料中的应用进展
Si（001）衬底上闪锌矿ZnO的制备与分析
不同结构参数氮化镓基发光二极管芯片出光的蒙特卡罗方法模拟
微纳尺度俄歇电子能谱新技术开发及其应用进展
Li嵌入对V2O5电子结构及光学性质的影响（英文）
GaN半导体中InN量子点的结构性质（英文）
InGaN量子阱的微观特性（英文）
不同发射极指数的SiGe HBT直流特性分析
ZnO薄膜和量子阱的生长及光学特性（英文）
ZnO中Li相关缺陷结构性质
硅酸锌的电子结构(英文)
MgxZn1-xO结构性质（英文）
纤锌矿结构ZnO中定位Ga-N共掺杂对p型掺杂效率的影响
具有新光学性质的Zn-Zn2SiO4纳米同轴线阵列
Au/Au-Be与GaP欧姆接触的表面分析
Ⅲ族氮化物外延层中的缺陷
AlGaAs∶Sn混晶中的两类类DX中心
AlGaAs∶Sn中DX中心电子俘获势垒的精细结构
GaN中与C和O有关的杂质能级第一性原理计算
半导体光电子材料中的缺陷
用Laplace谱研究缺陷深能级精细结构
闪锌矿GaN（001）表面的电子结构
实验管理与实验教学的改革与探索
超细SnO2纳米晶粒带边光吸收的线度效应
超细SnO2纳米晶粒的线度和表面修饰效应
SnO2纳米晶粒的带边光吸收
HgCdTe晶片研磨和抛光表面的扫描电镜观察
建设面向新世纪的物理基础实验室
用共轭梯度法分解多指数瞬态
Laplace缺陷谱方法研究
强磁场中晶体生长研究
GaAsP混晶中的DX中心
AlGaAs混晶中Te施主能级
AlGaAs混晶中的Sn施主深能级
GaAsP混晶中Te施主深能级的研究
AlxGa1-xAS:Te的光致发光和DLTS研究（英文）
AlGaAs中混晶无序与DX中心的性质
Ⅲ-Ⅴ半导体混晶中DX深中心的一种模型
基于LabVIEW的外延片光致发光扫描系统
Ge组分对SiGeHBT直流特性的影响
多场调控化合物半导体量子结构关键技术及其固态光源应用
全同量子点晶格构筑及其量子态间耦合表征
高效多结太阳能电池特性研究
高性能高亮度InGaAIP四元系红黄光LED外延片、芯片研制与生产
复杂材料的微观结构设计与性能预测
半导体制备参数的优化方法、装置及电子设备
一种手持式深紫外面光源消杀灯及消杀装置
一种生长高质量碳化硅单晶的坩埚结构及生长方法
一种碳化硅UMOSFET功率器件及其制备方法
非平衡条件下化学势调控生长单体的SiC台阶流快速生长方法
一种低电流MicroLED芯片外延结构及其制备方法
一种基于红光AlInGaAs量子点的Micro-LED结构及其制备方法
基于回音壁模式的电注入等离激元激光器阵列及制备方法
一种基于局域表面等离激元耦合增强的MIS结构的超快micro-LED及其制备方法
一种MoS-2/ZnO/Ag-2S同轴纳米管阵列的制备方法
一种无线能量采集系统、自旋二极管及其制备方法
一种可见光通信的微型阵列光收发集成芯片及制作方法
一种全彩有源寻址Micro-LED芯片结构及其制作方法
一种无需巨量转移的三色Micro/NanoLED阵列及其制作方法
无需巨量转移的三色Micro/NanoLED阵列
一种全色Micro/NanoLED阵列直接外延方法和结构
一种深紫外多波长MSM窄带光电探测器及其制备方法
一种基于核-壳纳米柱阵列的深紫外探测器及其制备方法
一种仅供行人、手推车和轮椅通行的旋转门
一种具有电场可控极化率的旋光发光二极管器件
一种具有电控极化率的可变波长二维旋光器件
一种基于自旋注入的电控自旋发光二极管器件
一种电可调的各向异性隧穿磁阻结构
一种电可控的二维自旋电子器件阵列
一种电控二维自旋过滤器件
一种柔性二维磁存储阵列
一种单芯片白光发光二极管及其制备方法
一种Mg掺杂量子阱的AlGaN基深紫外LED外延结构及其制备方法
一种深紫外薄膜半导体器件结构及其制作方法
基于局域表面等离激元效应的深紫外MSM探测器及制备方法
一种基于局域表面等离激元效应的深紫外MSM探测器
基于极性面和非极性面生长的微型LED集成全色显示芯片及其制备方法
基于局域表面等离激元增强的MIS结构紫外LED及其制备方法
一种管式CVD炉用接头、二维材料及其生长装置和方法
一种具有可控极化率的二维自旋电子器件
一种产生可控极化率的自旋电流的结构与方法
一种极化率可控的可变波长二维旋光器件及其制备方法
一种全电学调控的自旋发光探测一体器件及其制备方法
一种电场调控的二维自旋电子器件及其制备方法
一种产生具有电场可调极化率的旋光的结构与方法
一种具有电场可调极化率的二维旋光器件
一种二维柔性磁存储阵列及其制备方法
一种应力调控紫外多波长MSM光电探测器及其制备方法
一种应力调控紫外多波长MSM光电探测器
紫外-红外双波段集成p-i-n型光电探测器
一种紫外-红外双波段集成p-i-n型光电探测器
一种氮化物光子晶体及其制备方法
一种半导体器件的氮化物电介质结构
一种基于表面等离极化激元与光学腔强耦合的波长选择器
基于纳米孔阵式超短周期超晶格的深紫外MSM光电探测器
形貌可控扫描隧道显微镜针尖制备系统
矢量强磁场下分子束外延及其原位表征装置
矢量强磁场下分子束外延及其原位表征装置
一种氧化镁衬底生长氧化锌薄膜的方法
一种氧化镁衬底生长氧化锌薄膜的方法
一种单层密排纳米微球阵列的制备方法
一种单层密排纳米微球阵列的制备方法
一种原位测试LED应力的拉曼测试系统及其测试方法
一种原位测试LED应力的拉曼测试系统及其测试方法
一种在基底上制备晶片级大尺寸六方氮化硼的方法
一种在基底上制备晶片级大尺寸六方氮化硼的方法
一种合金包裹铜纳米线制备多功能核壳纳米材料的方法
一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器
一种陡峭界面GaN/AlGaN超晶格的制备方法
一种陡峭界面GaN/AlGaN超晶格的制备方法
一种尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备方法
一种深紫外发光二极管及其制备方法
一种纳米结构量子态电注入发光测试方法
分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极
有效提高外量子效率的深紫外发光二极管及其制备方法
AlN生长面复合基底的制备方法以及氮化物半导体器件
基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构及其制备方法
多结太阳能电池及各子电池交流电致发光测试方法和装置
一种表面等离激元同轴光波导结构
选择超晶格位置掺杂的p型Ⅲ族氮化物材料的制备方法
一种锗量子点的制备方法
基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管
树叶脉络形大功率氮化镓基发光二极管芯片的P、N电极
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