科研专业方向
研究领域：
半导体新材料制备与应用技术
研究方向：
半导体薄膜、电致发光、发光特性、光致发光、硅衬底、外延生长、肖特基势垒
秦老师
院士
A类,院士
北京北京市
科研重点分布
近年科研重点
2001
磁控溅射 光致发光 电致发光 高斯峰 密度缺陷区 发光中心 吸除作用科研产出增长曲线
历年科研产出
学科论文分布
无线电电子学：15
物理学：12
材料科学：1
总数:
26
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- 产学研合作
- 基金课题
- 荣誉&成就
- 科研成果
产学研合作
合作信息
| 合作单位 | 合作论文数量 |
|---|---|
| 复旦大学表面物理实验室 | 4 |
| 中国科学院半导体研究所 | 2 |
| 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 | 2 |
| 山东曲阜师范大学物理系 | 1 |
| 化学与分子工程学院物理化学研究所 | 1 |
| 化学与分子工程学院物理化学? | 1 |
| 泉州师范学院物理系功能材料研究所 | 1 |
| 河北半导体研究所 | 1 |
| 中国科学技术大学物理系 | 1 |
| 人工微结构和介观物理国家重点实验室 | 1 |
| 曲阜师范大学物理系 | 1 |
| 浙江大学材料科学与工程学院硅材料国家重点实验室 | 1 |
| 信息产业部第十三研究所GaAs集成电路国家实验室 | 1 |
| 中国科学院微电子中心 | 1 |
| 信息产业部电子第十三研究所 | 1 |
| 清华大学核能研究所 | 1 |
| 北京有色研究总院北京 | 1 |
| 冶金部北京有色金属研究总院 | 1 |
| 中国科学院国际材料物理中心 | 1 |
| 中科院国际材料物理中心沈阳 | 1 |
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基金课题
| 论文标题 | 基金名称 |
|---|---|
| 刻划的富硅二氧化硅/p-Si结构的光致发光和电致发光 | 国家自然科学基金资助项目& |
| 刻划的富硅二氧化硅/p-Si结构的光致发光和电致发光 | & |
荣誉&成就
最早用单轴应力电容瞬态谱研究半导体中深能级，揭示了硅中金深能级的物理特性
科研成果
- 期刊论文
- 技术成果
- 专利
在硅和碳化硅上不加偏置的条件下对其进行等离子体室温掺杂及其物理机制的研究
以硅量子点为发光材料的电致发光研究
单根In掺杂的n-ZnO纳米线/p+-Si异质结的紫外电致发光
在双热舟化学气相沉积系统中通过掺In技术生长GaN纳米线和纳米锥
离子注入GaN的拉曼散射研究
SiO2:Er和SixO2:Er薄膜室温Er3+1.54μm波长的电致发光
Si离子注入和退火温度对GaN黄光的影响
刻划的富硅二氧化硅/p-Si结构的光致发光和电致发光
硅、锗和氩离子注入富硅二氧化硅的电致发光
超临界干燥和普通干燥方法对多孔硅的结构及性质的影响
用溶胶-凝胶方法制备Tb3+掺杂的硅基发光材料
光照下经H2O2处理的多孔硅的光致发光
发可见光多孔硅的电子顺磁共振研究
激光促进多孔硅内表面氧化与光致发光的退化
GexSi1-x/Si超晶格中周期不均匀对折叠声学声子拉曼线宽的影响
发可见光的多孔硅
氢氟酸电解腐蚀硅制备的量子线阵的光致发光
大气中存放的多孔硅的红外吸收与光致发光的时间演化
氧与激光辐照对多孔硅光致发光光谱的影响
GexSi1-x/Si应变层超晶格中折迭声学声子的喇曼光谱研究
GexSi1-x/Si超晶格中纵声学声子的喇曼散射强度研究
GexSi1-x/Si应变层超晶格的折迭纵声学声子
大气中Pd-H（D）系中H（D）的释放及其表面附近H的分布
GexSi1-x/Si应变层超晶格周期不均匀性对喇曼光谱中折迭声学声子线宽的影响
光弹模型计算GexSi1-x应变层超晶格中折迭声学声子的散射强度
中子辐照含氢硅中的与氢有关的深能级缺陷
纳米硅-纳米氧化硅体系发光及其物理机制
氧化多孔硅和含纳米硅中锗的氧化硅发光
关于深能级结谱方法的研究
一种向砷化镓材料引入杂质并加以激活的方法
一种向硅中引入杂质并将杂质激活的方法
一种向硅中引入杂质并将杂质激活的方法
一种等离子体激活掺杂装置
一种多功能半导体掺杂的装置
一种等离子体浸没离子注入掺杂装置及其应用
一种等离子体激励的非高温扩散掺杂装置及方法
一种在室温环境下向硅材料中引入固态杂质的方法
一种在室温环境下向氮化镓中引入杂质的方法
一种在室温环境下向砷化镓材料引入杂质的方法
室温环境下激励砷化镓中金属原子扩散的方法
一种室温环境下激励砷化镓中金属原子扩散的方法
一种室温环境中激励硅中非金属原子扩散的方法
以铜/石墨烯复合电极为阳极的半导体光电器件
一种提高太阳电池转换效率的方法
一种图形化石墨烯的制备方法
一种制备硅纳米线的方法
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