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胡教授

副教授 北京北京市
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科研专业方向

研究领域:

电工、微电子和光电子新材料制备与应用技术

研究方向:

光电子物理和器件研究

科研重点分布
近年科研重点
2005
微机电系统 动态测试 频闪成像 计算机视觉 干涉测量 激光多普勒
科研产出增长曲线
历年科研产出
学科论文分布
无线电电子学:13 物理学:10 电力工业:2 无机化工:1 仪器仪表工业:1 工业通用技术及设备:1
总数: 22
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  • 产学研合作
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  • 荣誉&成就
  • 科研成果
产学研合作
合作信息
合作单位 合作论文数量
宽禁带半导体研究中心 5
人工微结构和介观物理国家重点实验室 4
人工微结构与介观物理国家重点实验室 2
北京宝龙光光电技术有限公司 1
天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室 1
人工微结构与介观物? 1
介观物理国家重点实验室 1
人工微结构和介观物理国家重点实验室宽禁带半导体研究中心 1
中国科学院高能所 1
中国科学院高能物理研究所 1
北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司 1
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基金课题
论文标题 基金名称
MEMS动态测试技术 国家863高技术研究发展计划资助项目
94K低温下和室温下GaN基MSM紫外光探测器性能的比较(英文) 国家自然科学基金委国家杰出青年基金资助项目~~
荣誉&成就

InGaN 调制量子阱结构和性质,国家自然科学基金项目、III 族氮化物的异质外延生长, 国家自然科学基金项目、氮化镓基蓝光激光器,北京市科技计划项目、参与国家重大科学研究计划课题。

科研成果
  • 期刊论文
  • 专利

太阳能电池在微生物燃料电池中的光电催化性能研究

GaN基激光器多量子阱垒材料的研究

MOCVD生长的p型GaN薄膜中Mg掺杂的优化与分析(英文)

三元系和四元系GaN基量子阱结构的显微结构(英文)

铟对GaN基激光器晶体质量的影响

Mg掺杂浓度对MOCVD生长的p型GaN电学性能的影响

GaN基LED电流扩展的有限元模型及电极结构优化

薄膜组合结构在InGaAsP/InP双异质结外延片内引起的光波导的研究

MEMS动态测试技术

氧化Au/Ni/p-GaN欧姆接触形成的机理

MOCVD侧向外延GaN的结构特性

侧向外延法生长的高质量GaN及其外延缺陷的观察(英文)

大功率白光LED的制备和表征

MOCVD生长的InGaN薄膜中的相分离

空气和氧气气氛下p-GaN/Ni/Au合金性质

GaN基外延膜的激光剥离和InGaNLD外延膜的解理

氧化对GaN基LED透明电极接触特性的影响

MOCVD生长InGaN/GaNMQW紫光LED

半导体照明光源研究进展

In0.5(Ga1-xAlx)0.5P合金的掺杂生长特性

GaN光学微盘的显微荧光图像探讨

94K低温下和室温下GaN基MSM紫外光探测器性能的比较(英文)

利用空气作为绝缘介质的半导体纳米线电注入发光器件

利用太阳能提高效率的微生物燃料电池体系及其构造方法

一种可见光响应的氮化物光催化材料及制备方法

一种在GaN衬底上同质外延生长的方法

一种在GaN衬底上同质外延生长的方法

GaN基脊型激光二极管的制备方法

一种选区异质外延衬底结构及其制备和外延层生长方法

GaN基脊型激光二极管的制备方法

氮化物基脊型发光二极管和激光器及制备方法

一种制备氮化镓基半导体激光器的P型电极的方法

一种p型氮化镓的表面处理方法

分立晶粒垂直结构的LED芯片制备方法

高亮度GaN基发光管芯片及其制备方法

自然解理腔面的GaN基激光二极管的制备方法

带有二维自然散射出光面的LED芯片的制备方法

GaN基外延层的大面积、低功率激光剥离方法

在金属热沉上的激光剥离功率型LED芯片及其制备方法

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