科研专业方向
研究领域:
电工、微电子和光电子新材料制备与应用技术
研究方向:
光电子物理和器件研究
研究领域:
电工、微电子和光电子新材料制备与应用技术
研究方向:
光电子物理和器件研究
合作单位 | 合作论文数量 |
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宽禁带半导体研究中心 | 5 |
人工微结构和介观物理国家重点实验室 | 4 |
人工微结构与介观物理国家重点实验室 | 2 |
北京宝龙光光电技术有限公司 | 1 |
天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室 | 1 |
人工微结构与介观物? | 1 |
介观物理国家重点实验室 | 1 |
人工微结构和介观物理国家重点实验室宽禁带半导体研究中心 | 1 |
中国科学院高能所 | 1 |
中国科学院高能物理研究所 | 1 |
北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司 | 1 |
论文标题 | 基金名称 |
---|---|
MEMS动态测试技术 | 国家863高技术研究发展计划资助项目 |
94K低温下和室温下GaN基MSM紫外光探测器性能的比较(英文) | 国家自然科学基金委国家杰出青年基金资助项目~~ |
InGaN 调制量子阱结构和性质,国家自然科学基金项目、III 族氮化物的异质外延生长, 国家自然科学基金项目、氮化镓基蓝光激光器,北京市科技计划项目、参与国家重大科学研究计划课题。
太阳能电池在微生物燃料电池中的光电催化性能研究
GaN基激光器多量子阱垒材料的研究
MOCVD生长的p型GaN薄膜中Mg掺杂的优化与分析(英文)
三元系和四元系GaN基量子阱结构的显微结构(英文)
铟对GaN基激光器晶体质量的影响
Mg掺杂浓度对MOCVD生长的p型GaN电学性能的影响
GaN基LED电流扩展的有限元模型及电极结构优化
薄膜组合结构在InGaAsP/InP双异质结外延片内引起的光波导的研究
MEMS动态测试技术
氧化Au/Ni/p-GaN欧姆接触形成的机理
MOCVD侧向外延GaN的结构特性
侧向外延法生长的高质量GaN及其外延缺陷的观察(英文)
大功率白光LED的制备和表征
MOCVD生长的InGaN薄膜中的相分离
空气和氧气气氛下p-GaN/Ni/Au合金性质
GaN基外延膜的激光剥离和InGaNLD外延膜的解理
氧化对GaN基LED透明电极接触特性的影响
MOCVD生长InGaN/GaNMQW紫光LED
半导体照明光源研究进展
In0.5(Ga1-xAlx)0.5P合金的掺杂生长特性
GaN光学微盘的显微荧光图像探讨
94K低温下和室温下GaN基MSM紫外光探测器性能的比较(英文)
利用空气作为绝缘介质的半导体纳米线电注入发光器件
利用太阳能提高效率的微生物燃料电池体系及其构造方法
一种可见光响应的氮化物光催化材料及制备方法
一种在GaN衬底上同质外延生长的方法
一种在GaN衬底上同质外延生长的方法
GaN基脊型激光二极管的制备方法
一种选区异质外延衬底结构及其制备和外延层生长方法
GaN基脊型激光二极管的制备方法
氮化物基脊型发光二极管和激光器及制备方法
一种制备氮化镓基半导体激光器的P型电极的方法
一种p型氮化镓的表面处理方法
分立晶粒垂直结构的LED芯片制备方法
高亮度GaN基发光管芯片及其制备方法
自然解理腔面的GaN基激光二极管的制备方法
带有二维自然散射出光面的LED芯片的制备方法
GaN基外延层的大面积、低功率激光剥离方法
在金属热沉上的激光剥离功率型LED芯片及其制备方法