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程教授

教授 A类 北京北京市
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科研专业方向

研究领域:

集成电路设计技术

研究方向:

模拟/射频 、集成电路设计

科研重点分布
近年科研重点
2012
NAND Flash SSD AHB
2014
串行RapidIO AXI总线 PIPE IP核 脑电信号 小波变换 快速独立分量分析 准期望值
科研产出增长曲线
历年科研产出
学科论文分布
无线电电子学:10 计算机硬件技术:3 电信技术:1 临床医学:1 神经病学:1 生物医学工程:1
总数: 14
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  • 产学研合作
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  • 荣誉&成就
  • 科研成果
产学研合作
合作信息
合作单位 合作论文数量
中芯国际 1
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基金课题
论文标题 基金名称
纳米CMOS工艺下集成电路可制造性设计技术 国家自然科学基金资助项目
基于AXI总线串行RapidIO端点控制器的FPGA实现 国家自然科学基金
基于结合小波变换与FastICA算法的脑电信号降噪(英文) 国家高技术研究发展计划
基于结合小波变换与FastICA算法的脑电信号降噪(英文) 国家科技重大专项计划
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荣誉&成就

所开发的BSIM3v3被美国电子工业协会定为世界首个集成电路设计标准模型

科研成果
  • 期刊论文
  • 技术成果
  • 专利

基于AXI总线串行RapidIO端点控制器的FPGA实现

基于结合小波变换与FastICA算法的脑电信号降噪(英文)

针对固态硬盘应用的多通道闪存控制器实现

高效能,低功耗DDR2控制器的硬件实现

基于FPGA的图像信号处理器IP实现

适合NAND闪存控制器的BCH纠错编译码器VLSI实现

多通道NAND闪存控制器的硬件实现

0.0068mm~2自校准电路在锁相环中的应用(英文)

纳米CMOS工艺下集成电路可制造性设计技术

短沟道薄膜全耗尽SOI/MOSFET’s大信号电容模型

薄膜全耗尽SOI短沟道MOSFET准二维电流模型

簿全耗尽SOI膜N沟道MOSFET强反型电流模型

甚大规模集成电路制造中的离子注入技术

全耗尽CMOS/SOI技术的研究进展

CMOS/SIMOX-SOI电路

基于阻变器件的多位全加器及其操作方法

基于阻变器件的多位全加器及其操作方法

LED批量抗静电测试基座

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