科研专业方向
研究领域：
卫星通话系统技术
研究方向：
半导体器件、光电器件、集成电路、纳米管、纳米线、器件
黄博士
院士
A类,B类,C类,D类,院士
北京北京市
科研重点分布
近年科研重点
2011
射频集成电路 RC测量 多相滤波器 运算放大器2019
人工智能 类脑计算 神经形态芯片 神经形态器件科研产出增长曲线
历年科研产出
学科论文分布
无线电电子学：60
自动化技术：3
工业经济：2
化学：1
无机化工：1
计算机硬件技术：1
电力工业：1
仪器仪表工业：1
物理学：1
电信技术：1
总数:
70
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- 产学研合作
- 基金课题
- 荣誉&成就
- 科研成果
产学研合作
合作信息
| 合作单位 | 合作论文数量 |
|---|---|
| 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 5 |
| 国家自然科学基金委员会信息科学部 | 2 |
| 重庆大学光电工程学院 | 1 |
| 中国科学院沈阳自动化研究所 | 1 |
| 浙江大学人工智能研究所 | 1 |
| 西南大学电子信息工程学院 | 1 |
| 同济大学控制科学与工程系 | 1 |
| 西安交通大学人工智能与机器人研究所 | 1 |
| 富士通株式会社 | 1 |
| 钱塘科技创新中心 | 1 |
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基金课题
| 论文标题 | 基金名称 |
|---|---|
| 用于高品质射频集成电感的厚膜多孔硅背向生长技术(英文) | :SupportedbytheNationalNaturalScienceFoundationofChina |
| 厚膜P型宏孔多孔硅阳极氧化电流优化（英文） | SupportedbytheKeyProjectofNationalNaturalScienceFund |
| 厚膜P型宏孔多孔硅阳极氧化电流优化（英文） | NationalNaturalScienceFund |
| 纳米级精细线条图形的微细加工 | 国家重点基础研究专项基金 |
| 多晶硅注氮制备4.6nm超薄栅介质 | 国家重点基础研究发展规划 |
| 超薄SiO2栅介质厚度提取与分析 | 国家重点基础研究发展规划 |
| 平行平面穿通结击穿电压的计算及比较 | 国家重点基础研究专项经费资助 |
| 全耗尽SOIMOSFET辐照导致的阈值电压漂移模型 | 高等学校博士学科点专项科研基金 |
| 适用于数模混合集成的SOIMOSFET的失真分析 | 国家自然科学基金 |
| 3.4nm超薄SiO2栅介质的特性 | 国家自然科学基金 |
| 线性余因子差分亚阈电压峰技术测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的研究 | 国家重大基础研究项目 |
| 对异型硅岛实现的厚膜全耗尽SOIMOSFET的模拟研究 | 国家重点基础研究专项基金 |
| 纳米MOS器件中的超浅结和相关离子掺杂新技术的发展 | 富士通和北京大学联合研究项目低能离子注入模拟及软件开发的支持 |
| 进入纳米时代的CMOS设计 | 摩托罗拉中国技术中心资助项目 |
| 栅控二极管正向R-G电流对SOI体陷阱特征和硅膜结构的依赖性（英文） | 摩托罗拉和北京大学的联合研究项目Gated-Diode Method Application Development and Sensitivity Analysis的资助 |
| 等价掺杂转换理论预示扩散-外延穿通P-N结的击穿电压和击穿峰值电场强度（英文） | 国家重大基础研究 |
| 等价掺杂转换理论预示扩散-外延穿通P-N结的击穿电压和击穿峰值电场强度（英文） | & |
| SOIMOSFET因辐照引起的部分耗尽与全耗尽过渡区的漂移 | 高等学校博士学科点专项科研基金资助课题& |
| SOIMOSFET因辐照引起的部分耗尽与全耗尽过渡区的漂移 | & |
| TFSOIRESURF功率器件表面电场分布和优化设计的新解析模型（英文） | 国家基础研究项目系统芯片中新器件新工艺的基础研究的资助项目 |
| 正向栅控二极管的R-G电流直接表征NMOSFET沟道pocket或halo注入区（英文） | 摩托罗拉和北京大学联合研究基金资助项目 |
| 短沟道SOIMOSFET总剂量辐照效应模型 | 高等学校博士学科点专项科研基金973国家重点基础研究发展规划资助项目 |
| 栅控二极管R-G电流法表征SOI-MOS器件埋氧层界面陷阱的敏感性分析（英文） | 摩托罗拉-北京大学联合研究资助项目～～ |
| 高剂量辐照条件下的MOSFET总剂量辐照效应模型 | 高等学校博士学科点专项科研基金国家重点基础研究资助项目 |
| 新的正向栅控二极管技术分离热载流子应力诱生SOINMOSFET界面陷阱和界面电荷的研究（英文） | Motorola资助项目北京大学资助项目 |
| SOIMOSFET的失真行为（英文） | 国家重点基础研究发展规划 |
| 中、低能离子注入中的剂量效应及模拟方法 | 国家重点基础研究发展规划资助项目 |
| 亚0.1μm栅长CMOS器件和电路的研制 | 国家重点基础研究发展规划 |
| 正向栅控二极管监测F- N电应力诱生的SOI- MOSFET界面陷阱（英文） | Motorola和北京大学联合资助项目 |
| 低剂量辐照条件下的MOSFET因辐照导致的阈值电压漂移的模拟 | 高等学校博士学科点专项科研基金资助课题973国家重点基础研究发展规划项目 |
| SiGe衬底离子注入模拟研究 | 国家自然科学基金 |
| 适于纳米尺度集成电路技术的双栅/多栅MOS器件的研究 | 国家自然科学基金 |
| Sub-100nmNMOSHalo工艺优化分析 | 国家自然科学基金资助项目 |
| 一种直接提取噪声温度参数的方法 | 国家自然科学基金 |
| 一个解析的适用于短沟SOIMOSFET’s的高频噪声模型 | 国家重点基础研究专项基金 |
| Halo注入角度对热载流子效应的影响及优化 | 国家自然科学基金资助项目 |
| 一个适用于模拟电路的深亚微米SOIMOSFET器件模型 | 国家自然科学基金资助项目 |
| 一个适用于模拟电路的深亚微米SOIMOSFET器件模型 | & |
| SOI器件中瞬态浮体效应的模拟与分析 | 国家重点基础研究专项基金 |
| SOI数模混合集成电路的串扰特性分析 | 国家自然科学基金资助项目 |
| 氮注入多晶硅栅对超薄SiO2栅介质性能的影响 | 国家自然科学基金 |
| 一个描述硅原子团簇退火行为的模型 | 国家自然科学基金 |
| 一种用于剂量效应模拟的新型分子动力学统计噪声改进算法(英文) | 国家重点基础研究基金资助项目 |
| 硅衬底注氮方法制备超薄SiO2栅介质（英文） | 国家自然科学基金 |
| 基于自热修正的SOINMOSFETs热载流子注入效应寿命预测方法 | 国家重点基础研究发展计划 |
| SIMOX材料顶层硅膜中残余氧的行为 | 高等学校重点实验室访问学者基金资助 |
| 复合栅控二极管新技术提取热载流子诱生的NMOS/SOI器件界面陷阱的横向分布 | Motorola和北京大学联合资助项目 |
| 高迁移率Ge沟道器件研究进展 | 国家重点基础研究发展计划 |
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荣誉&成就
科研成果奖励：
2015年 新型低功耗多栅MOS器件的实验与理论研究 教育部自然科学一等奖（排名第一）
2014年 纳米尺度集成电路新器件与新工艺研究 国家自然科学基金创新群体（排名第一）
2013年 超大规模集成电路65-40纳米成套产品工艺研发与产业化 国家科学技术进步二等奖（排名第七）
2012年 超大规模集成电路65-40纳米成套产品工艺研发与产业化 北京市科学技术一等奖（排名第七）
2010年 纳米尺度硅基集成电路新器件与新工艺技术及其应用 国家科学技术发明二等奖（排名第一）
2007年 纳米尺度硅集成电路新器件与新工艺研究 北京市科学技术一等奖（排名第一）
2007年 90纳米-65纳米极大规模集成电路大生产关键技术研究 教育部科学技术进步一等奖（排名第七）
荣誉表彰：
国家杰青获得者
国家百千万人才工程国家级人选
2008年度 长江学者特聘教授
2005年，黄如入选教育部新世纪优秀人才支持计划
中国青年科技奖
2015年1月16日 第十一届中国青年女科学家奖
2015年12月7日 中国科学院院士（信息技术科学部）
2016年当选为美国电气和电子工程师协会会士
2019年当选为发展中国家科学院院士
2019年10月15日 杰出教学奖
科研成果
- 期刊论文
- 技术成果
- 专利
面向神经形态计算的智能芯片与器件技术
健壮人工智能模型与自主智能系统
GSM射频芯片内RC时间常数测量电路的设计
32nm及其以下技术节点CMOS技术中的新工艺及新结构器件
正向栅控二极管监测F- N电应力诱生的SOI- MOSFET界面陷阱（英文）
用于高品质射频集成电感的厚膜多孔硅背向生长技术(英文)
厚膜P型宏孔多孔硅阳极氧化电流优化（英文）
纳米级精细线条图形的微细加工
多晶硅注氮制备4.6nm超薄栅介质
超薄SiO2栅介质厚度提取与分析
平行平面穿通结击穿电压的计算及比较
全耗尽SOIMOSFET辐照导致的阈值电压漂移模型
适用于数模混合集成的SOIMOSFET的失真分析
热载流子诱生MOSFET/SOI界面陷阱的正向栅控二极管技术表征
3.4nm超薄SiO2栅介质的特性
改进击穿电压和导通电阻折中性能的线性变化掺杂漂移区RESURFLDMOS晶体管
线性余因子差分亚阈电压峰技术测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的研究
对异型硅岛实现的厚膜全耗尽SOIMOSFET的模拟研究
CMOS射频集成电路的研究进展
纳米MOS器件中的超浅结和相关离子掺杂新技术的发展
进入纳米时代的CMOS设计
采用CoSi2SALICIDE结构CMOS/SOI器件辐照特性的实验研究
电导调制型功率器件用穿通结构的基区优化理论
栅控二极管正向R-G电流对SOI体陷阱特征和硅膜结构的依赖性（英文）
等价掺杂转换理论预示扩散-外延穿通P-N结的击穿电压和击穿峰值电场强度（英文）
SOIMOSFET因辐照引起的部分耗尽与全耗尽过渡区的漂移
TFSOIRESURF功率器件表面电场分布和优化设计的新解析模型（英文）
新的二维解析方法预言场限环结构的电压分布和边界峰值电场及环间距的优化(英文)
正向栅控二极管的R-G电流直接表征NMOSFET沟道pocket或halo注入区（英文）
平面结场板结构表面场分布的二维解析
短沟道SOIMOSFET总剂量辐照效应模型
栅控二极管R-G电流法表征SOI-MOS器件埋氧层界面陷阱的敏感性分析（英文）
高剂量辐照条件下的MOSFET总剂量辐照效应模型
新的正向栅控二极管技术分离热载流子应力诱生SOINMOSFET界面陷阱和界面电荷的研究（英文）
一种新的不受寄生电容影响的电容式传感器接口电路
SOIMOSFET的失真行为（英文）
中、低能离子注入中的剂量效应及模拟方法
亚0.1μm栅长CMOS器件和电路的研制
快速锁定、宽带双环路频率综合器的数字粗调环路(英文)
低剂量辐照条件下的MOSFET因辐照导致的阈值电压漂移的模拟
深亚微米SOI横向非均匀掺杂推进型栅控混合管的准二维亚阈电流模型
面向产业需求的21世纪微电子技术的发展（上）
面向产业需求的21世纪微电子技术的发展（下）
亚100纳米MOS半导体器件技术探讨
SiGe衬底离子注入模拟研究
CmDSP:一种可配置媒体数字信号处理器
适于纳米尺度集成电路技术的双栅/多栅MOS器件的研究
垂直沟道器件的研究与进展
Sub-100nmNMOSHalo工艺优化分析
SOI退火推进型栅控混合管的实验研究
一种直接提取噪声温度参数的方法
一个解析的适用于短沟SOIMOSFET’s的高频噪声模型
Halo注入角度对热载流子效应的影响及优化
一种大厚度的三轴差分电容式硅微加速度计
非对称线性缓变结击穿电压的解析计算
适于低压低功耗工作的SOI栅控混合管（GCHT）的实验研究
高速SOIMOS器件及环振电路的研制
一个适用于模拟电路的深亚微米SOIMOSFET器件模型
SOI器件中瞬态浮体效应的模拟与分析
SOI数模混合集成电路的串扰特性分析
氮注入多晶硅栅对超薄SiO2栅介质性能的影响
一个描述硅原子团簇退火行为的模型
一种用于剂量效应模拟的新型分子动力学统计噪声改进算法(英文)
硅衬底注氮方法制备超薄SiO2栅介质（英文）
基于碳纳米管的晶体管及其集成的研究进展
基于自热修正的SOINMOSFETs热载流子注入效应寿命预测方法
SIMOX材料顶层硅膜中残余氧的行为
复合栅控二极管新技术提取热载流子诱生的NMOS/SOI器件界面陷阱的横向分布
高迁移率Ge沟道器件研究进展
1.6GHz24位4阶Σ-Δ小数分频频率合成器
适于低功耗高可靠集成电路应用的新机理与新结构器件技术
适于深纳米尺度低功耗集成电路的多栅器件研制与物理问题分析
纳米尺度硅基集成电路新器件与新工艺技术及其应用
纳米尺度硅基集成电路新器件与新工艺研究
纳米尺度硅集成电路新结构器件与工艺
90~65纳米极大规模集成电路大生产的关键技术研究
ULSI的新器件结构和工艺研究
一种低功耗三维阻变存储器
一种自选择修饰的互补性光突触晶体管及其制备方法
一种无隧穿氧化层的纳米线型突触晶体管及其制备方法
一种基于二维铁电材料的人工异源突触器件及调控方法
一种基于可动导电纳米颗粒的忆阻网络及自组织演化运算应用
一种全忆阻器神经网络及其制备方法和应用
一种模拟生物神经元功能的电子器件及方法
一种三端铁电隧穿结存储器及其制备方法和逻辑电路控制方法
一种基于非线性器件的原位自激活神经网络电路及神经网络运算方法
一种电路可靠性分析方法
一种卷积神经网络最大池化层电路
一种具有散热功能的手机壳
一种散热手机壳
基于铁电晶体管FeFET的卷积计算方法
基于铁电晶体管FeFET的侧抑制神经元电路
一种实现突触具备兴奋和抑制功能的方法
一种实现基于铁电晶体管的自适应随机脉冲神经元的方法
一种纳米线离子栅控突触晶体管及其制备方法
一种低压多功能电荷俘获型突触晶体管及其制备方法
一种静态随机存取存储器单元电路和存储器
一种逻辑电路的生成方法、生成装置、门电路和逻辑电路
面向超低功耗应用场景的半导体器件综合评估方法
一种提高MOS器件或集成电路抗辐照性能的方法
一种提高FinFET器件抗总剂量辐照性能的方法
一种FinFET器件的单粒子效应评估方法
一种抗总剂量辐射效应的FinFET器件设计方法
一种基于单极性忆阻器的完备非易失逻辑实现方法及其应用
一种双模阻变存储器件及其制备方法
一种基于铁电存储器的神经网络电路及其控制方法
基于铁电晶体管的FeFET-CMOS混合脉冲神经元电路
基于铁电晶体管的脉冲神经元电路
基于铁电晶体管的脉冲神经元电路
基于铁电晶体管的FeFET-CMOS混合脉冲神经元电路
常规隧穿场效应晶体管的衬底漏电隔离结构及工艺方法
一种插入倒T形介质层的鳍式场效应晶体管及其制备方法
一种插入倒T形介质层的鳍式场效应晶体管及其制备方法
一种评估FinFET器件总剂量辐射效应的方法
一种通过电学信号消除电阻失配的忆阻系统及校准电路
一种利用忆阻器进行非易失性复杂运算的方法
一种类胶质细胞神经形态器件及其制备方法
一种基于CMOS制备工艺的氧化物非易失性存储器及其制备方法
一种基于CMOS工艺平台的氧化物忆阻器及其制备方法
一种集成传统CMOS电路的阻变存储器及其制备方法
一种氧化物忆阻器及其集成方法
一种二维半导体材料负电容场效应晶体管及制备方法
一种基于二维半导体材料的同质PN结及其制备方法
一种基于二维半导体材料的陡亚阈器件及其制备方法
基于二维半导体异质结的与/或逻辑门电路及其实现和制备方法
基于二维半导体异质结的与/或逻辑门电路及其实现和制备方法
基于隧穿场效应晶体管的脉冲神经元电路
一种抗总剂量辐射的FinFET器件及其制备方法
一种抗总剂量辐射的SOIFinFET器件及其制备方法
一种锗硅沟道鳍式场效应晶体管及其制备方法
一种高迁移率沟道双纳米线场效应晶体管及其制备方法
一种锗硅沟道鳍式场效应晶体管及其制备方法
一种鳍式场效应晶体管及其制备方法
一种基于模糊玻尔兹曼机的忆阻神经网络训练方法
基于RRAM的无偏真随机数生成方法和生成器
一种支持非易失“与非”逻辑的三端忆阻器及实现方法
一种支持非易失“与非”逻辑的三端忆阻器及实现方法
一种垂直结构异源电子突触器件及其制备方法
一种用于电路中随机电报噪声的加速瞬态仿真方法
负电子压缩率-超陡亚阈斜率场效应晶体管及其制备方法
一种二维材料/半导体异质结垂直隧穿晶体管及制备方法
一种二维材料/半导体异质结垂直隧穿晶体管及制备方法
一种二维材料/半导体异质结隧穿晶体管及制备方法
超陡平均亚阈值摆幅鳍式隧穿场效应晶体管及其制备方法
超陡平均亚阈值摆幅鳍式隧穿场效应晶体管及其制备方法
一种提高金属锗化物热稳定性的方法
一种提高金属锗化物热稳定性的方法
一种线性缓变忆阻器及其制备方法
一种不同涨落源对器件电学特性影响幅度的提取方法
一种提取带陷阱耦合效应的随机电报噪声信号的方法
一种提取带陷阱耦合效应的随机电报噪声信号的方法
一种不同涨落源对器件电学特性影响幅度的提取方法
适用于EDA电路可靠性仿真的迭代外推预测BTI退化量的方法
适用于EDA电路可靠性仿真的迭代外推预测BTI退化量的方法
一种基于单相导通存储单元的存储阵列读取方法
一种基于单相导通存储单元的存储阵列读取方法
一种适用于交叉阵列的自选择阻变存储器及其读取方法
一种适用于交叉阵列的自选择阻变存储器及其读取方法
一种平面非易失性阻变存储器及其制备方法
一种平面非易失性阻变存储器及其制备方法
一种非线性自整流阻变存储器及其制备方法
一种非线性自整流阻变存储器及其制备方法
一种高一致性阻变存储器及其制备方法
一种Ω型顶栅结构的鳍式场效应晶体管及其制备方法
一种倒梯形顶栅结构鳍式场效应晶体管及其制备方法
一种纳米尺度多晶硅线条的制备方法
一种利用盖帽层退火结晶的多晶硅制备方法
一种纳米尺度多晶硅线条的制备方法
一种垂直沟道的纳米线生物传感器的集成方法
一种鞘层沟道结构的垂直纳米线器件及其制备方法
一种低功耗鳍式场效应晶体管及其制备方法
一种带栅极调控的垂直纳米线生物传感器的集成方法
一种带栅极调控的垂直纳米线生物传感器的集成方法
一种垂直沟道的纳米线生物传感器的集成方法
一种鳍式场效应晶体管及其制备方法
一种空气侧墙结构的垂直纳米线器件的集成方法
一种鞘层沟道结构的垂直纳米线器件及其制备方法
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