科研专业方向
研究领域：
集成电路芯片制造工艺软件
研究方向：
小尺寸MOS器件物理与结构、CMOS集成电路工艺与设计技术、新型纳米半导体器件和集成电路。
张教授
教授
A类
北京北京市
科研重点分布
近年科研重点
2001
F-N应力效应 界面陷阱 R-G电流 栅控二极管 MOSFET/SOI科研产出增长曲线
历年科研产出
学科论文分布
无线电电子学：121
自动化技术：9
物理学：9
计算机软件及计算机应用：8
电信技术：8
工业经济：6
地质学：5
地球物理学：5
电力工业：5
航空航天科学与工程：3
计算机硬件技术：2
材料科学：2
自然地理学和测绘学：2
仪器仪表工业：2
工业通用技术及设备：2
化学：1
无机化工：1
总数:
167
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- 产学研合作
- 基金课题
- 荣誉&成就
- 科研成果
产学研合作
合作信息
| 合作单位 | 合作论文数量 |
|---|---|
| 北京华品博睿网络技术有限公司 | 5 |
| 清华大学工程力学系热科学与动力工程教育部重点实验室 | 2 |
| 深圳市腾讯计算机系统有限公司 | 2 |
| 京东方科技集团股份有限公司 | 2 |
| 清华大学航天航空学院 | 1 |
| 热科学与动力工程教育部重点实验室 | 1 |
| 微米纳米加工技术国家级重点实验室 | 1 |
| 富士通株式会社 | 1 |
| 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 1 |
| 北京时代民芯科技有限公司 | 1 |
| 中国航天时代电子公司第七七二研究所 | 1 |
| 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 1 |
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基金课题
| 论文标题 | 基金名称 |
|---|---|
| 用于高品质射频集成电感的厚膜多孔硅背向生长技术(英文) | :SupportedbytheNationalNaturalScienceFoundationofChina |
| 厚膜P型宏孔多孔硅阳极氧化电流优化（英文） | SupportedbytheKeyProjectofNationalNaturalScienceFund |
| 厚膜P型宏孔多孔硅阳极氧化电流优化（英文） | NationalNaturalScienceFund |
| 一种降低寄生电容影响的64×4红外焦平面读出电路 | 云南省省院省校科技合作计划项目 |
| 一种基于特征选取的传感器选择方法 | 国家科技支撑计划项目 |
| 基于Android的虚拟桌面USB设备重映像系统的设计 | PKU-ITU合作项目 |
| 一维GaN纳米结构的制备、表征及其特性研究 | 973国家重大基础研究项目 |
| 非掺杂对称双栅的基于完整表面电势的核心模型(英文) | the National Natural Science Foundation of China |
| 2017MS7.0九寨沟地震前后AETA数据分析 | 深圳市科技计划 |
| 2017MS7.0九寨沟地震前后AETA数据分析 | JCYJ20170412151159461）资助 |
| 基于多粒度感知SVM的复杂场景人车分类方法 | 深圳市基础研究计划重大项目 |
| 基于有限状态机的硬件木马设计和插入（英文） | 国家自然科学基金 |
| 多分量地震监测系统AETA的研究与实现 | 深圳市科技创新委员会项目 |
| 基于AETA监测数据的地震预测研究 | 深圳市科技创新委员会项目 |
| 纳米级精细线条图形的微细加工 | 国家重点基础研究专项基金 |
| 使用嵌入式处理器的水声调制解调器控制系统设计方法与研究 | 中国国家留学基金美国国家科学基金 |
| 使用嵌入式处理器的水声调制解调器控制系统设计方法与研究 | 中国国家留学基金美国国家科学基金 |
| 使用嵌入式处理器的水声调制解调器控制系统设计方法与研究 | 美国国家科学研究生奖学金资助 |
| 具有时间延迟积分（TDI）功能的288×4红外焦平面读出电路 | 云南省省院省校科技合作计划项目 |
| 多晶硅注氮制备4.6nm超薄栅介质 | 国家重点基础研究发展规划 |
| 超薄SiO2栅介质厚度提取与分析 | 国家重点基础研究发展规划 |
| CoxTi1-xO2-δ体材中氢退火引起的铁磁性及结构相变 | 国家高等学校博士学科点专项科研基金 |
| ZnCoO稀磁半导体的室温磁性 | 国家自然科学基金 |
| 平行平面穿通结击穿电压的计算及比较 | 国家重点基础研究专项经费资助 |
| 全耗尽SOIMOSFET辐照导致的阈值电压漂移模型 | 高等学校博士学科点专项科研基金 |
| 适用于数模混合集成的SOIMOSFET的失真分析 | 国家自然科学基金 |
| 3.4nm超薄SiO2栅介质的特性 | 国家自然科学基金 |
| 线性余因子差分亚阈电压峰技术测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的研究 | 国家重大基础研究项目 |
| 对异型硅岛实现的厚膜全耗尽SOIMOSFET的模拟研究 | 国家重点基础研究专项基金 |
| 纳米MOS器件中的超浅结和相关离子掺杂新技术的发展 | 富士通和北京大学联合研究项目低能离子注入模拟及软件开发的支持 |
| 进入纳米时代的CMOS设计 | 摩托罗拉中国技术中心资助项目 |
| 栅控二极管正向R-G电流对SOI体陷阱特征和硅膜结构的依赖性（英文） | 摩托罗拉和北京大学的联合研究项目Gated-Diode Method Application Development and Sensitivity Analysis的资助 |
| 等价掺杂转换理论预示扩散-外延穿通P-N结的击穿电压和击穿峰值电场强度（英文） | 国家重大基础研究 |
| 等价掺杂转换理论预示扩散-外延穿通P-N结的击穿电压和击穿峰值电场强度（英文） | & |
| SOIMOSFET因辐照引起的部分耗尽与全耗尽过渡区的漂移 | 高等学校博士学科点专项科研基金资助课题& |
| SOIMOSFET因辐照引起的部分耗尽与全耗尽过渡区的漂移 | & |
| TFSOIRESURF功率器件表面电场分布和优化设计的新解析模型（英文） | 国家基础研究项目系统芯片中新器件新工艺的基础研究的资助项目 |
| 正向栅控二极管的R-G电流直接表征NMOSFET沟道pocket或halo注入区（英文） | 摩托罗拉和北京大学联合研究基金资助项目 |
| 多晶硅后热退火引起SiO2栅介质可靠性下降的原因分析及其抑制方法 | 国家自然科学基金资助项目 |
| RESURFLDMOS功率器件表面场分布和击穿电压的解析模型（英文） | 国家基础研究资助项目 |
| 短沟道SOIMOSFET总剂量辐照效应模型 | 高等学校博士学科点专项科研基金973国家重点基础研究发展规划资助项目 |
| 栅控二极管R-G电流法表征SOI-MOS器件埋氧层界面陷阱的敏感性分析（英文） | 摩托罗拉-北京大学联合研究资助项目～～ |
| 高剂量辐照条件下的MOSFET总剂量辐照效应模型 | 高等学校博士学科点专项科研基金国家重点基础研究资助项目 |
| 双栅和环栅MOSFET中短沟效应引起的阈值电压下降 | 国家重大基础研究规划资助项目 |
| 新的正向栅控二极管技术分离热载流子应力诱生SOINMOSFET界面陷阱和界面电荷的研究（英文） | Motorola资助项目北京大学资助项目 |
| SOIMOSFET的失真行为（英文） | 国家重点基础研究发展规划 |
| 中、低能离子注入中的剂量效应及模拟方法 | 国家重点基础研究发展规划资助项目 |
| 亚0.1μm栅长CMOS器件和电路的研制 | 国家重点基础研究发展规划 |
| 正向栅控二极管监测F- N电应力诱生的SOI- MOSFET界面陷阱（英文） | Motorola和北京大学联合资助项目 |
| 低剂量辐照条件下的MOSFET因辐照导致的阈值电压漂移的模拟 | 高等学校博士学科点专项科研基金资助课题973国家重点基础研究发展规划项目 |
| SOIMOSFET浮体效应与抑制的研究 | 国家重点科技项目 |
| 新型半导体器件及工艺基础研究 | 973计划项目 |
| 基于脉宽收缩和累积寄存器的片上时钟抖动测试电路 | 国家自然科学基金 |
| 高性能钆铝锌氧薄膜晶体管的制备 | 国家自然科学基金 |
| SiGe衬底离子注入模拟研究 | 国家自然科学基金 |
| 基于FPGA与DLP的体三维显示系统设计方法与研究 | 国家重点基础研究发展计划 |
| 一种改进的基于人体静电冲击模型应力的瞬态功率模型 | 国家自然科学基金 |
| 适于纳米尺度集成电路技术的双栅/多栅MOS器件的研究 | 国家自然科学基金 |
| Sub-100nmNMOSHalo工艺优化分析 | 国家自然科学基金资助项目 |
| 具有HfN/HfO2栅结构的p型MOSFET中的负偏置-温度不稳定性研究 | 国家高技术研究发展计划 |
| 一种直接提取噪声温度参数的方法 | 国家自然科学基金 |
| 一个解析的适用于短沟SOIMOSFET’s的高频噪声模型 | 国家重点基础研究专项基金 |
| Halo注入角度对热载流子效应的影响及优化 | 国家自然科学基金资助项目 |
| 一个适用于模拟电路的深亚微米SOIMOSFET器件模型 | 国家自然科学基金资助项目 |
| 一个适用于模拟电路的深亚微米SOIMOSFET器件模型 | & |
| SOI器件中瞬态浮体效应的模拟与分析 | 国家重点基础研究专项基金 |
| SOI数模混合集成电路的串扰特性分析 | 国家自然科学基金资助项目 |
| 氮注入多晶硅栅对超薄SiO2栅介质性能的影响 | 国家自然科学基金 |
| 一个描述硅原子团簇退火行为的模型 | 国家自然科学基金 |
| 一种用于剂量效应模拟的新型分子动力学统计噪声改进算法(英文) | 国家重点基础研究基金资助项目 |
| 硅衬底注氮方法制备超薄SiO2栅介质（英文） | 国家自然科学基金 |
| 基于自热修正的SOINMOSFETs热载流子注入效应寿命预测方法 | 国家重点基础研究发展计划 |
| SIMOX材料顶层硅膜中残余氧的行为 | 高等学校重点实验室访问学者基金资助 |
| 复合栅控二极管新技术提取热载流子诱生的NMOS/SOI器件界面陷阱的横向分布 | Motorola和北京大学联合资助项目 |
| 改进的基于GSM标准二阶多位噪声耦合过采样调制器（英文） | 国家杰出青年科学基金 |
| 隧道场效应晶体管静电放电冲击特性研究 | 国家自然科学基金青年科学基金 |
| 高迁移率Ge沟道器件研究进展 | 国家重点基础研究发展计划 |
| 一种适用于大地震临震预测的地声监测系统 | 深圳市战略新兴产业发展专项资金项目 |
| 基于VSPTIDR编码压缩的测试资源划分方法 | 广东省自然科学基金项目 |
| 一种适用于AETA的日志系统的设计与实现 | 广东省省级科技计划项目 |
| 一种适用于AETA的日志系统的设计与实现 | 深圳市科技计划项目 |
| 一种高性能智能卡的设计实现 | 信息产业部电子基金项目 |
| 一种具有新型时钟产生器的无源超高频RFID标签（英文） | 863计划 |
| 可重构视频编解码处理器ReMAP设计 | 863计划 |
| MASH21Sigma-Delta调制器的自顶向下设计 | 深圳市科技计划 |
| 实时低功耗飞行器神经网络 | 国家自然科学基金 |
| 飞行器强化学习多模在轨控制 | 国家自然科学基金 |
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荣誉&成就
首次得出了采用CoSi2自对准栅可以提高器件抗总剂量辐照能力的结论 开发了系列深亚微米SOI器件模型和CMOS/SOI电路模拟软件，在国内首次实现了深亚微米CMOS/SOI电路的模拟
科研成果
- 期刊论文
- 技术成果
- 专利
超低功耗高性能集成路器件与工艺基础研究立项报告
超低功耗集成电路技术
多晶金薄膜电子-声子耦合
飞秒脉冲激光加热金属薄膜的理论和实验研究
飞秒激光热反射系统测量金属薄膜中的热波
32nm及其以下技术节点CMOS技术中的新工艺及新结构器件
溶胶-凝胶法制备TiO2:Co薄膜的磁性及其机制研究
正向栅控二极管监测F- N电应力诱生的SOI- MOSFET界面陷阱（英文）
低压低功耗集成电路:SOI技术的新机遇
21世纪及1999年微电子技术展望
跨世纪的新技术——微机电系统（MEMS）
用于高品质射频集成电感的厚膜多孔硅背向生长技术(英文)
厚膜P型宏孔多孔硅阳极氧化电流优化（英文）
一款工作于2.4GHz频段的带有源负载的高性能双平衡有源混频器（英文）
一种降低寄生电容影响的64×4红外焦平面读出电路
一种基于特征选取的传感器选择方法
一种基于Cache机制的嵌入式Flash控制器设计
基于Android的虚拟桌面USB设备重映像系统的设计
一维GaN纳米结构的制备、表征及其特性研究
一种软硬件协同设计工具原型及其设计描述方法
非掺杂对称双栅的基于完整表面电势的核心模型(英文)
2017MS7.0九寨沟地震前后AETA数据分析
基于多粒度感知SVM的复杂场景人车分类方法
基于有限状态机的硬件木马设计和插入（英文）
多分量地震监测系统AETA的研究与实现
基于AETA监测数据的地震预测研究
纳米级精细线条图形的微细加工
使用嵌入式处理器的水声调制解调器控制系统设计方法与研究
适合SoC应用的片上集成输出电容快速响应LDO（英文）
一种在FPGA上实现FIR数字滤波器的资源优化算法
使用嵌入式处理器的水声调制解调器控制系统设计方法与研究
高灵敏度GPS接收机捕获电路的优化与实现
具有时间延迟积分（TDI）功能的288×4红外焦平面读出电路
多晶硅注氮制备4.6nm超薄栅介质
超薄SiO2栅介质厚度提取与分析
CoxTi1-xO2-δ体材中氢退火引起的铁磁性及结构相变
ZnCoO稀磁半导体的室温磁性
SOI技术的机遇和挑战
平行平面穿通结击穿电压的计算及比较
全耗尽SOIMOSFET辐照导致的阈值电压漂移模型
适用于数模混合集成的SOIMOSFET的失真分析
热载流子诱生MOSFET/SOI界面陷阱的正向栅控二极管技术表征
3.4nm超薄SiO2栅介质的特性
改进击穿电压和导通电阻折中性能的线性变化掺杂漂移区RESURFLDMOS晶体管
线性余因子差分亚阈电压峰技术测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的研究
对异型硅岛实现的厚膜全耗尽SOIMOSFET的模拟研究
薄膜全耗尽CMOS／SOI──下一代超高速Si IC主流工艺
短沟道CMOS／SIMOX器件及电路的辐照特性研究
方兴未艾的微机电系统
CMOS射频集成电路的研究进展
场限环结构电压和边界峰值电场分布及环间距优化
纳米MOS器件中的超浅结和相关离子掺杂新技术的发展
MEMS将成为21世纪新技术增长点
纳米时代的新型CMOS器件
进入纳米时代的CMOS设计
薄膜深亚微米SOIMOSFET的瞬态数值模拟
低压高速CMOS/SOI器件和电路的研制
0.15μm薄膜全耗尽MOS/SOI器件的设计和研制
采用CoSi2SALICIDE结构CMOS/SOI器件辐照特性的实验研究
电导调制型功率器件用穿通结构的基区优化理论
栅控二极管正向R-G电流对SOI体陷阱特征和硅膜结构的依赖性（英文）
等价掺杂转换理论预示扩散-外延穿通P-N结的击穿电压和击穿峰值电场强度（英文）
SOIMOSFET因辐照引起的部分耗尽与全耗尽过渡区的漂移
TFSOIRESURF功率器件表面电场分布和优化设计的新解析模型（英文）
新的二维解析方法预言场限环结构的电压分布和边界峰值电场及环间距的优化(英文)
正向栅控二极管的R-G电流直接表征NMOSFET沟道pocket或halo注入区（英文）
3—6nm超薄SiO2栅介质的特性
平面结场板结构表面场分布的二维解析
多晶硅后热退火引起SiO2栅介质可靠性下降的原因分析及其抑制方法
RESURFLDMOS功率器件表面场分布和击穿电压的解析模型（英文）
短沟道SOIMOSFET总剂量辐照效应模型
6H-SiC单极功率器件性能的温度关系（英文）
栅控二极管R-G电流法表征SOI-MOS器件埋氧层界面陷阱的敏感性分析（英文）
高剂量辐照条件下的MOSFET总剂量辐照效应模型
双栅和环栅MOSFET中短沟效应引起的阈值电压下降
新的正向栅控二极管技术分离热载流子应力诱生SOINMOSFET界面陷阱和界面电荷的研究（英文）
由等价掺杂转换理论得到非对称线性缓变P-N结的击穿特性（英文）
一种新的不受寄生电容影响的电容式传感器接口电路
SOIMOSFET的失真行为（英文）
中、低能离子注入中的剂量效应及模拟方法
亚0.1μm栅长CMOS器件和电路的研制
快速锁定、宽带双环路频率综合器的数字粗调环路(英文)
短沟道CMOS／SOI器件加固技术研究
深亚微米薄膜全耗尽SOIMOSFET的强反型电流模型
高质量栅氧化层的制备及其辐照特性研究
低剂量辐照条件下的MOSFET因辐照导致的阈值电压漂移的模拟
SOIMOSFET浮体效应与抑制的研究
新型半导体器件及工艺基础研究
进入纳米时代的CMOS设计
SOI技术的机遇和挑战
亚50nm新型半导体器件研究——973项目“系统芯片中新器件新工艺基础研究”主要进展
下一代新型半导体器件及工艺基础研究
深亚微米SOI横向非均匀掺杂推进型栅控混合管的准二维亚阈电流模型
面向产业需求的21世纪微电子技术的发展（上）
面向产业需求的21世纪微电子技术的发展（下）
低温制备的双层栅介质铟镓锌氧薄膜晶体管
基于脉宽收缩和累积寄存器的片上时钟抖动测试电路
高性能钆铝锌氧薄膜晶体管的制备
亚100纳米MOS半导体器件技术探讨
SiGe衬底离子注入模拟研究
适于低功耗高可靠集成电路应用的新机理与新结构器件技术
纳米尺度硅基集成电路新器件与新工艺技术及其应用
纳米尺度硅基集成电路新器件与新工艺研究
纳米尺度硅集成电路新结构器件与工艺
90~65纳米极大规模集成电路大生产的关键技术研究
CMOS/SIMOX-SOI电路
ULSI的新器件结构和工艺研究
阻变存储器件的制备方法、装置、电子设备和存储介质
一种基于阻变器件的神经元树突的操作方法及装置
存内逻辑电路
一种用于肿瘤细胞检测的传感器的制备方法
一种场效应晶体管及其制备方法
一种稀疏神经网络的数据处理方法、处理器和系统
一种深度可分离卷积神经网络加速方法和加速器
用于卷积神经网络的卷积运算装置、系统和图像处理装置
一种深度卷积神经网络加速方法、模块、系统及存储介质
基于阻变存储器的非挥发性锁存器电路及操作方法
一种阻变器件的突触模拟方法及系统
一种阻变器件的突触模拟方法及系统
用于地震预报的监测数据处理方法
一种基于脉动阵列架构的深度学习硬件系统
一种基于脉动阵列硬件架构的深度学习卷积运算实现方法
一种实现忆阻突触器件多样化STDP的方法及系统
一种提高MOS器件或集成电路抗辐照性能的方法
一种提高FinFET器件抗总剂量辐照性能的方法
一种插入倒T形介质层的鳍式场效应晶体管及其制备方法
一种插入倒T形介质层的鳍式场效应晶体管及其制备方法
一种评估FinFET器件总剂量辐射效应的方法
基于FDSOI的gg-NMOS器件
一种基于FDSOI的gg-NMOS器件
基于FDSOI的gg-NMOS器件
用于地震预报的监测数据处理方法、地震预报方法和系统
一种断裂带的活动监测方法、勘探方法和装置
用于地震预报的前兆数据处理方法、地震预报方法和系统
用于山体滑坡的监测数据处理方法和山体滑坡预报方法
一种基于间隔优化的集成学习方法及装置
基于异构信息网络和贝叶斯个性化排序的推荐方法及装置
一种基于人才流动的学校和公司共同排名方法及装置
一种基于K近邻的贝叶斯个性化推荐方法及装置
一种抗总剂量辐射的FinFET器件及其制备方法
一种抗总剂量辐射的SOIFinFET器件及其制备方法
一种锗硅沟道鳍式场效应晶体管及其制备方法
一种高迁移率沟道双纳米线场效应晶体管及其制备方法
一种锗硅沟道鳍式场效应晶体管及其制备方法
一种鳍式场效应晶体管及其制备方法
一种RSA电路结构及RSA加密方法
一种RSA电路结构及RSA加密方法
一种超高频RFID编码电路
一种异步与同步相结合的RFID数字芯片电路结构
一种异步与同步相结合的RFID数字芯片电路结构
一种基于主动学习和模型剪枝的集成学习方法及装置
一种提高金属锗化物热稳定性的方法
一种提高金属锗化物热稳定性的方法
摄像装置、转动装置、测距装置、测距系统和测距方法
一种反应腔室的清洗方法
触控系统、触控显示系统和触控交互方法
一种ESD电源钳位保护电路
二极管辅助触发的可控硅器件及其制造方法、集成电路
二极管辅助触发的可控硅器件及其制造方法、集成电路
一种静电放电发生器电路
一种静电放电发生器电路
一种三维交叉阵列透明阻变存储器及其制备方法
数据离散化的方法及装置
数据离散化的方法及装置
一种应变锗器件的制备方法
基于延时锁相环结构的倍频器
一种具有启动控制功能的延时锁相环电路
基于延时锁相环结构的倍频器
一种半速率随机数据相位检测电路
一种半速率随机数据相位检测电路
一种硅控整流器
一种二极管链触发的栅控PIN结静电放电保护器件
顶栅自对准金属氧化物半导体薄膜晶体管及制备方法
一种抗单粒子辐射的场效应晶体管及其制备方法
一种锗基CMOS的制备方法
一种锗基CMOS的制备方法
一种检测集成电路制造工艺中工艺波动的检测电路
一种检测集成电路制造工艺中工艺波动的检测电路
一种基于BIST的高速串行IO接口抖动容限测试方法和电路
一种基于ID和FSM结合的电路可信性设计方法
针对Intel移动平台的实时AVS软编码方法
在石墨烯材料上淀积高k栅介质的方法及应用
在石墨烯材料上淀积高k栅介质的方法及应用
一种逆D类功率单元及全数字射频发射前端集成电路结构
一种逆D类功率单元及全数字射频发射前端集成电路结构
一种全碳同轴线及其制备方法
一种全碳同轴线及其制备方法
一种LDMOSESD器件
高速CML锁存器
高速CML锁存器
低功耗低相位噪声电感电容压控振荡器
一种低相位噪声电感电容压控振荡器
一种低相位噪声LC-VCO
一种基于可控硅的静电放电保护电路
一种维持电压可调的静电放电保护电路
一种基于可控硅的静电放电保护电路
一种维持电压可调的静电放电保护电路
一种电源钳位静电放电保护电路
一种直流触发与瞬态触发结合的电源钳位ESD保护电路
一种瞬态触发静电放电保护电路
一种直流触发型电源钳位ESD保护电路
输入级ESD保护电路
一种防闩锁型电源钳位ESD保护电路
输入级ESD保护电路
防过压击穿型输入级ESD保护电路
一种低漏电型电源钳位ESD保护电路
一种低漏电型电源钳位ESD保护电路
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