科研专业方向
研究领域：
集成电路芯片制造工艺软件
研究方向：
集成电路工艺 半导体器件 半导体材料
张教授
副教授
上海上海市
科研重点分布
近年科研重点
2019
存储器 氧化铪 铁电性 铁电隧道结2021
功率放大器 InGaP/GaAs HBT 模拟预失真 相位补偿 功率附加效率 HBT 变压器 5G科研产出增长曲线
历年科研产出
学科论文分布
无线电电子学：19
材料科学：4
电力工业：4
无机化工：3
化学：3
高等教育：2
工业通用技术及设备：2
物理学：2
计算机硬件技术：2
数学：1
总数:
32
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- 产学研合作
- 基金课题
- 荣誉&成就
- 科研成果
产学研合作
合作信息
| 合作单位 | 合作论文数量 |
|---|---|
| 上海集成电路制造创新中心有限公司 | 98 |
| 罗门哈斯电子材料(上海)有限公司 | 3 |
| 桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室 | 2 |
| 中国电子科技集团公司第三十四研究所 | 2 |
| 复旦-诺发互连研究中心 | 2 |
| 上海大学化学系 | 2 |
| 同济大学 | 1 |
| 罗门哈斯电子材料有限公司 | 1 |
| 同济大学Bohr固体物理研究所 | 1 |
| 镓特半导体科技(上海)有限公司 | 1 |
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基金课题
| 论文标题 | 基金名称 |
|---|---|
| 应用于LTE的高效率高线性功率放大器 | 国家自然科学基金资助项目 |
| 基于变压器匹配的5G通信手机功率放大器设计 | 国家自然科学基金资助项目 |
| 应用于LTE的高效率高线性功率放大器 | 国家自然科学基金资助项目 |
| 应用于LTE的高效率高线性功率放大器 | 专用集成电路与系统国家重点实验室开放课题 |
| 应用于LTE的高效率高线性功率放大器 | 广西创新研究团队项目 |
| 应用于LTE的高效率高线性功率放大器 | 广西创新驱动发展专项资金项目 |
| 应用于LTE的高效率高线性功率放大器 | 广西精密导航技术与应用重点实验室项目 |
| 铪基铁电薄膜及其隧道结存储器件研究 | 国家自然科学基金项目 |
| 铪基铁电薄膜及其隧道结存储器件研究 | 上海市科技启明星计划项目 |
| 铪基铁电薄膜及其隧道结存储器件研究 | 上海优秀学术带头人项目 |
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荣誉&成就
原子层淀积高介电常数栅介质的界面层抑制和性能调控国家自然科学基金(60628403)：集成电路的基础材料上海市科委重点项目(08111100500)：150mm硅片光学薄膜测量设备的研制与应用技术
科研成果
- 期刊论文
- 技术成果
- 专利
先进CMOS制造工艺的技术演进及自主发展思考
应用于LTE的高效率高线性功率放大器
基于变压器匹配的5G通信手机功率放大器设计
3nm以下节点堆叠环栅器件关键技术的考虑
高端集成电路工艺实验室管理探究
铪基铁电薄膜及其隧道结存储器件研究
基于二维材料及其范德瓦尔斯异质结的光电探测器
面向微电子应用的二维过渡金属硫族化合物制备进展
原子晶体非易失存储
单层二维Ta2O5中电子缺陷能级的研究
复旦大学微电子学专业特色的挖掘与拓展
压电能量收集器件基于有限元仿真比较和研究
原子层淀积技术应用于太阳电池的研究进展
22nm技术节点异质栅MOSFET的特性研究
石墨烯基红外探测器的高k栅氧集成
ZrN扩散阻挡层与SiCON低k介质界面特性XPS研究
高介电常数HfO2栅介质的制备及性能
添加剂对铜互连线脉冲电镀的影响
集成电路Cu互连线的XRD研究
直流和脉冲电镀Cu互连线的性能比较
脉冲时间参数对电沉积铜薄膜性能的影响
有机添加剂对铜互连线脉冲电镀的影响
Si衬底上原子层淀积Al2O3薄膜的界面层抑制
原子层淀积Al2O3薄膜的热稳定性研究
四角晶相HfO2（001）表面原子和电子结构研究
ZrO2在Si（100）-2×1表面原子层淀积反应机理的密度泛函理论研究
集成电路铜互连线脉冲电镀研究
原子层淀积制备金属氧化物薄膜研究进展
非晶含氟聚合物薄膜的热稳定性
蒸发淀积Al和TeflonAF薄膜间的相互作用
应用于LTE的高效率高线性功率放大器
应用于LTE的高效率高线性功率放大器
以半浮栅器件为代表的新结构器件的研发及产业化
基于隧穿场效应晶体管的存储器的探索研究
先进铜互连技术及产业化
集成电路铜互连关键材料及集成技术应用
非平衡非耗散热力学和非平衡相图的现代热力学新领域
外延结构的制备方法、氮化镓器件及器件制备方法
增强型氮化镓晶体管、制作方法、设备的制备方法及设备
增强型p沟道氮化镓功率器件及其制备方法以及电子设备
带有负压驱动模块的常开型氮化镓功率器件集成电路
氮化镓功率器件的制作方法、器件以及集成电路
具有栅极保护功能的GaNHEMT器件结构及其制作方法
增强型氮化镓器件以及器件的制作方法
能量存储电容器及其制备方法
双半浮栅光电存储器及其制备工艺
聚合物半导体薄膜及其制备方法、气体传感器
非易失性存储器及其制备方法
环栅器件及其源漏制备方法、器件制备方法、电子设备
硅通孔阵列
GAA晶体管及其制备方法、电子设备
半浮栅存储器及其制造工艺
半浮栅存储器的制造方法及半浮栅存储器
半浮栅存储器的制造工艺及半浮栅存储器
半浮栅存储器及其制造方法
GaN基开关集成单元与GaN基开关管的晶圆结构的制备方法
驱动电路以及电子设备
GaN晶体管的驱动模块、开关电路与电子设备
GaN晶体管的驱动模块、开关电路与电子设备
三维集成结构及其制造方法
一种剥离式自支撑的神经突触仿生器件的制备方法
一种二维互补型存储器及其制备方法
选通器及其制备方法
1S1R型存储器集成结构及其制备方法
双向阈值对称的选通器及其制备方法
选通器开关的仿真方法及系统
TSV无源转接板及其制造方法
动态随机存取存储器及其制备工艺
三维集成结构及其制造方法
硅通孔结构、封装结构及其制造方法
封装结构及其制造方法
一种半浮栅存储器的制造工艺及半浮栅存储器
三维集成结构及其制造方法
三维集成结构及其制造方法
三维集成结构及其制造方法
硅通孔结构、封装结构及其制造方法
硅通孔结构、封装结构及其制造方法
动态随机存取存储器及其制备方法
基于二维材料的用于3D集成的选通器件及其制备方法
基于二维材料的NS叠层晶体管及其制备方法
一种二维半导体晶体管结构
一种性能可控的二维半导体晶体管结构及其制备方法
基于单层有序氧化锡纳米碗支化氧化铁纳米棒结构的气敏纳米材料、制备工艺及其应用
能同时检测力的大小和方向的仿蜘蛛网状柔性触觉传感器
驱动能力可自适应调整的输出驱动电路及其控制方法
用于增强型GaN HEMT的高频智能半桥栅驱动电路
一种基于三维电容电感的高通滤波器及制备方法
基于高功能密度硅通孔结构的三维电容电感及制备方法
临时键合方法
一种基于三维电容电感的通用基板及制备方法
一种基于三维电容电感的低通滤波器及制备方法
临时键合方法
半导体衬底、制备方法以及电子元器件
一种半浮栅存储器及其制备方法
一种纳米电容三维集成结构及其制备方法
一种快速可擦写浮栅存储器及其制备方法
一种用于三维互连的硅通孔结构及其制造方法
一种硅基纳米电容三维集成结构及其制备方法
一种高存储容量纳米电容三维集成结构及其制备方法
一种用于三维封装的SOI有源转接板及其制备方法
一种用于系统级封装的TSV无源转接板制备方法
一种高隧穿效率半浮栅存储器及其制备方法
一种用于三维系统级封装的TSV无源转接板制备方法
一种半浮栅TFT存储器及其制备方法
一种基于双浮栅材料的半浮栅存储器及其制备方法
一种基于双隧穿晶体管的半浮栅存储器及其制备方法
三维集成结构及其制造方法
一种纳米电容三维集成结构及其制备方法
一种高擦写速度半浮栅存储器及其制备方法
一种硅通孔结构及其制备方法
三维集成结构及其制造方法
一种TSV结构及其制备方法
一种石墨烯/铜复合互连结构及其制造方法
一种高集成密度半浮栅存储器及其制备方法
一种多功能TSV结构及其制备方法
一种三维集成系统及制备方法
一种纳米电容三维集成结构及其制作方法
一种锗硅-硅通孔结构及其制备方法
一种铜互连结构及其制作方法
一种基于金属氧化物半导体的半浮栅存储器及其制备方法
一种低操作电压半浮栅存储器及其制备方法
一种铜互连结构及其制造方法
一种多功能TSV结构及其制备方法
一种基于二维材料的半浮栅存储器及其制备方法
一种低功耗半浮栅存储器及其制备方法
一种基于太阳能的三维集成系统及制备方法
一种高能量密度纳米电容三维集成结构及其制备方法
一种用于能量缓冲的纳米电容三维集成系统及其制备方法
一种DRAM芯片三维集成系统及其制备方法
一种用于系统级封装的TSV有源转接板制备方法
一种低功耗二维材料半浮栅存储器及其制备方法
一种内嵌电容器的TSV结构及其制备方法
一种基于纵向隧穿晶体管的半浮栅存储器及其制备方法
三维集成结构及其制备方法
一种组合式太阳能三维集成系统及其制备方法
一种用于2.5D封装的TSV转接板及其制备方法
一种带有封孔层的铜互连结构及其制备方法
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