当前位置: 首页> 找人才> 正文

陈教授

教授 福建厦门市
科研能力 #基金项目申报# #应用技术研究#
个人简介
联系客服
科研专业方向

研究领域:

超导、高效能电池等其它新材料制备与应用技术

研究方向:

Si基光电材料与器件 Si负极锂离子电池 全固态锂离子电池

科研重点分布
近年科研重点
2021
光电探测器 接触势垒 响应度 介质插层 硅基光电集成 Ⅳ族材料 发光器件
2022
磁控溅射 Li1.3Al0.3Ti1.7(PO4)3薄膜 离子电导率 薄膜对称电池
科研产出增长曲线
历年科研产出
学科论文分布
无线电电子学:24 物理学:9 材料科学:5 无机化工:2 电力工业:2 工业通用技术及设备:2 有机化工:1 化学:1 计算机硬件技术:1
总数: 36
展开 >
  • 产学研合作
  • 基金课题
  • 荣誉&成就
  • 科研成果
产学研合作
合作信息
合作单位 合作论文数量
闽南师范大学 7
华侨大学工学院 2
集成光电子学国家联合重点实验室吉林大学实验区 1
闽南理工学院 1
闽南师范大学物理与信息工程学院 1
吉林大学集成光电子国家重点实验室 1
长春集成光电子学国家重点实验室吉林大学实验区 1
新疆大学物理系 1
信息产业部电子第十三研究所 1
黎明职业大学信息与电子工程学院 1
闽江学院物理学与电子信息工程系 1
中科院半导体研究所集成光电子国家重点实验室 1
展开全部
基金课题
论文标题 基金名称
固态电解质Li1.3Al0.3Ti1.7(PO4)3薄膜的溅射制备及其性能研究 国家自然科学基金
智能剥离制备GOI材料 国家重点自然科学基金
农膜光转换添加剂的XPS剖析 福建省自然科学基金资助项目
锗近红外光电探测器制备工艺研究进展 国家自然科学基金
一种新型阳极氧化多孔硅技术 国家重点自然科学基金资助项目
高效GaAs/Si叠层电池设计优化 国家自然科学基金重点项目
图形化Si基Ge薄膜热应变的有限元分析 国家重点基础研究发展计划
铝分层诱导晶化非晶硅的研究 国家自然科学基金
一种新的湿法钝化多孔硅的方法 国家自然基金项目
金属与半导体Ge欧姆接触制备、性质及其机理分析 国家重点基础研究发展计划
超薄介质插层调制的氧化铟锡/锗肖特基光电探测器 国家自然科学基金
氮氧化铝的原子层沉积制备及其阻变性能研究 福建省自然科学基金
硅基Ⅳ族材料外延生长及其发光和探测器件研究进展 国家自然科学基金
用XPS法研究硅基硫化锌薄膜 福建省自然科学基金
Ge组分对SiGeHBT直流特性的影响 福建省青年科技人才创新基金
GaAs/InP异质材料及MESFET器件研究 国家自然科学基金
GaAs/InP异质材料及MESFET器件研究 福建省自然科学基金
基于Ge浓缩技术和O3氧化制备超薄GOI材料 国家自然科学基金项目
Ge/SiGe异质结构肖特基源漏MOSFET 国家自然科学基金资助项目
硅(100)衬底表面快速热退火制备硒纳米晶薄膜的结晶动力学 福建省自然科学基金面上项目
硅(100)衬底表面快速热退火制备硒纳米晶薄膜的结晶动力学 JA13429)华侨大学科研基金资助项目
Si(100)表面Se薄膜生长及其在Ti/Si欧姆接触中的应用 国家重点基础研究发展计划
采用Al/TaN叠层电极提高Si基GePIN光电探测器的性能 国家重点基础研究发展计划
硅基硒纳米颗粒的发光特性研究 华侨大学科研基金
展开全部
荣誉&成就

暂无荣誉成就信息

科研成果
  • 期刊论文
  • 技术成果
  • 专利

固态电解质Li1.3Al0.3Ti1.7(PO4)3薄膜的溅射制备及其性能研究

超薄介质插层调制的氧化铟锡/锗肖特基光电探测器

硅基Ⅳ族材料外延生长及其发光和探测器件研究进展

锗近红外光电探测器制备工艺研究进展

硅(100)衬底表面快速热退火制备硒纳米晶薄膜的结晶动力学

智能剥离制备GOI材料

氮氧化铝的原子层沉积制备及其阻变性能研究

基于Ge浓缩技术和O3氧化制备超薄GOI材料

图形化Si基Ge薄膜热应变的有限元分析

铝分层诱导晶化非晶硅的研究

Ge/SiGe异质结构肖特基源漏MOSFET

金属与半导体Ge欧姆接触制备、性质及其机理分析

硅基硒纳米颗粒的发光特性研究

高效GaAs/Si叠层电池设计优化

采用Al/TaN叠层电极提高Si基GePIN光电探测器的性能

半导体光电结构材料及其应用

Si(100)表面Se薄膜生长及其在Ti/Si欧姆接触中的应用

不同发射极指数的SiGe HBT直流特性分析

农膜光转换添加剂的XPS剖析

一种新的湿法钝化多孔硅的方法

用XPS法研究硅基硫化锌薄膜

新型湿法氧化对多孔硅发光强度的影响

氢等离子体气氛中退火多孔硅的表面和光荧光特性

LP-MOCVD生长InGaN及InGaN/GaN量子阱的研究

GaAs/InP异质材料及MESFET器件研究

用于OEIC的InPMISFET的研制

纳米硅量子点的自然形成及其发光特性

InGaAs/InP分别限制量子阱激光器的阱数优化设计和实验制备

InGaAs(P)/InP应变量子阱和超晶格的光电性质

InP/GaAs/InPⅡ型量子阱的光致发光研究

准二维天然超晶格物质Mo4O11的输运现象

用于光电集成的GaAs/InPMESFET研究

利用K·P方法计算InGaAs/InP应变量子阱的能带

MOCVD生长InGaAs/InP体材料研究

一种新型阳极氧化多孔硅技术

Ge组分对SiGeHBT直流特性的影响

TFT-LCD 液晶屏缺陷工业检测机器人

一种基于激光激发荧光粉的透射式显示实现办法

一种锂离子电池硅负极材料的改性方法

一种提高剥离Si基和SOI基Ge薄膜质量的方法

一种图形化划道消除Ge/Si键合界面气泡的方法

一种超高质量SOI基键合Ge薄膜的制备方法

一种实现晶格阻断的零气泡Ge/Si异质混合集成方法

一种无气泡坑超高质量SOI基Ge薄膜异质键合方法

一种耐高温高质量SOI基剥离Ge薄膜的制备方法

一种无气泡无穿透位错Ge/Si异质混合集成方法

一种柔性锂离子电池硅碳复合负极材料及其制备方法

一种柔性可弯曲杂化太阳能电池的制备方法

一种***面气泡绝缘层上锗键合方法

无氧化层半导体低温键合方法

弱键合强度脆性键合样品截面透射电子显微镜制备方法

一种基于电化学腐蚀的硅纳米带的制备方法

一种基于电化学腐蚀的硅纳米带的制备方法

利用非晶锗薄膜实现低温Si#Si键合的方法

利用非晶锗薄膜实现低温Si-Si键合的方法

一种优化堆叠栅介质与锗界面的方法

一种减小氧化铪栅介质漏电流的方法

Ge薄膜键合制备绝缘层上锗的方法

超薄硅薄膜钝化制备绝缘体上锗的方法

超薄硅薄膜钝化制备绝缘体上锗的方法

横向p-i-n结构Ge光电探测器的制备方法

一种Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带的制备方法

台阶状氧化层Au/SiO2/Si纳米柱存储器件的制备方法

一种以锗为隧穿结的硅基三结太阳能电池

一种锗量子点的制备方法

基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管

展开全部
数据信息来源于网络,若有侵权请联系客服