偶氮四唑胍盐GZT高压物性的第一性原理计算

偶氮四唑叠氮基甲脒AFZT高压物性的第一性原理计算

α和β-Si3N4的电子、光学及热力学性质的第一性原理计算

高压下氯化钠型SnAs结构和电子性质的密度泛函理论研究（英文）

密度泛函理论研究硫族元素取代对单层Ag2S结构和电子性质的影响（英文）

MoS2薄膜电子性质随层数变化的理论研究

Fe-Si合金结构和电子性质的第一性原理计算

含氧空位立方HfO2电子结构和光学性质的第一性原理研究（英文）

Cmcm空间群斜方SrHfO3的电子结构和光学性质理论计算（英文）

MoS2电子结构、振动和介电性质的第一性原理计算

HfO2基阻变存储器的电极效应（英文）

金掺杂氧化铪薄膜的电阻转变性能研究

磁控溅射法制备HfO2薄膜及电阻转变特性研究（英文）

Si掺杂正交相SrHfO3电子结构与光学性质的第一性原理计算（英文）

第一性原理研究不同压力下正交相SrHfO3的电子结构（英文）

含盐胶体液滴的蒸发图案形成机理

紫外压印长波红外亚波长结构的涂胶工艺研究

SrHfON高k栅介质薄膜的漏电特性研究

退火时间对Cu-Al-O薄膜性能影响的研究

原子层沉积Sn掺杂ZnO薄膜结构及光电性能的研究

软膜紫外光固化纳米压印中Amonil光刻胶的刻蚀参数优化（英文）

退火对栅介质SrHfON薄膜性能的影响

反应离子刻蚀法制备石英纳米压印模板的工艺研究

锗表面二维亚波长结构的反应离子刻蚀制备

HfOx薄膜双极电阻转变特性及其机理的研究

用X射线衍射研究缓冲层对GaInAs材料的影响

退火对磁控溅射HfSixOy薄膜光学性质的影响

不同氧源对原子层沉积ZnO薄膜的性能影响

ZnS衬底表面亚波长增透结构的设计及制备

O2/Ar气体流量比对射频磁控溅射HfO2薄膜的影响

软膜紫外光固化纳米压印制备等离子体纳米孔结构的工艺优化

锗衬底红外抗反射亚波长结构的研究

快速退火对HfO2高k薄膜结构和电学性能的影响

锗衬底上锥形二维亚波长结构的制备

RIE对Ge衬底上制备亚波长结构形貌的影响

退火处理对Y2O3薄膜结构和光学性能的影响

闪锌矿型CdSe电子结构和光学性质的研究

立方SrZrO3电子结构和光学性质的研究

氧气对磁控溅射HfO2薄膜电学性能的影响

CVD金刚石衬底上抗氧化、增透膜的制备与性能

锐钛矿型TiO2的第一性原理研究

开放体系优化ZnSe多晶原料化学计量比

闪锌矿型GaX（X=P,As,Sb）电子结构和光学性质的第一性原理计算

闪锌矿型HgTe电子结构和光学性质的第一性原理计算

六方HfB2弹性性质、电子结构和光学性质的第一性原理计算

立方CdHgSe2电子结构和光学性质的第一性原理计算（英文）

闪锌矿型CdS电子结构和光学性质的第一性原理计算

A-La2O3电子结构和光学性质的第一性原理计算

Si掺杂立方HfO2的电子结构和光学性质的第一性原理计算

四方ZrO2弹性常数、电子结构和光学性质的第一性原理计算

蓝宝石头罩增透保护膜系的制备

共聚物水凝胶在金属离子溶液中的消溶胀动力学

高K栅介质HfSixOy薄膜的制备工艺与结构分析

四方晶相HfO2在（100）和（001）方向上光学特性的理论计算

四方晶相HfO2电子结构和弹性常数的第一性原理计算

金刚石镀氧化钇增透膜系的设计与研究

锗衬底上反应离子刻蚀制备宽波段红外增透结构的工艺及性能研究

纤锌矿型氧化锌电子结构的第一性原理计算

压力作用下六方钛电子结构和弹性性质的第一性原理计算

等离子体发射光谱诊断用于射频磁控溅射GaP薄膜的工艺参数优化

Y2O3薄膜热应力分布的有限元模拟

Si（111）面电子结构、表面能和功函数的第一性原理研究（英文）

闪锌矿型CdTe电子结构和光学性质的第一性原理

新型高k栅介质HfSiON薄膜的制备及性能研究

退火对Y2O3薄膜结构和电学性能的影响

B（C6F5）3催化Si—H/Si—OR缩聚反应机理及产物结构

AMPS/DMAEMA共聚水凝胶合成与性能

GeC薄膜的射频磁控反应溅射制备及性质

射频磁控反应溅射制备HfO2薄膜的工艺及电性能

关于衡量气相沉积快慢的思考

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射频磁控溅射法制备HfSiON高k薄膜的结构特性

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ZnS衬底上GeC/GaP增透保护膜系的制备及红外光学性质

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