科研专业方向
研究领域:
集成电路设计技术
研究方向:
(1) 新型半导体器件与集成技术 (2) 光电子器件与光电集成电路 (3) 射频集成电路设计
研究领域:
集成电路设计技术
研究方向:
(1) 新型半导体器件与集成技术 (2) 光电子器件与光电集成电路 (3) 射频集成电路设计
合作单位 | 合作论文数量 |
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天津工业大学信息与通信工程学院 | 2 |
天津市成像与感知微电子技术重点实验室 | 1 |
南开大学光电子所 | 1 |
南开大学物理学院 | 1 |
辽宁工程技术大学电子与信息工程学院 | 1 |
河北半导体研究所专用集成电路重点实验室 | 1 |
复旦大学计算机学院 | 1 |
中国电子科技集团公司第五十四研究所 | 1 |
中国电子科技集团公司第13研究所 | 1 |
论文标题 | 基金名称 |
---|---|
基于ROM结构的直接数字频率合成器ASIC设计 | 863计划重大项目 |
InP基低阈值单向双稳态工作微环激光器的设计与制备 | 国家自然科学基金 |
160GHz三级堆栈式CMOS功率放大器的设计 | 国家自然科学基金重点项目 |
暂无荣誉成就信息
“现代半导体器件物理”课程改革与探索
“微电子工艺技术”教学改革创新与实践全文替换
160GHz三级堆栈式CMOS功率放大器的设计
楔形瓣状结构对正向注入型Si-LED发光特性的影响
基于标准CMOS的低压高效正向注入型Si-LED阵列研究
共振隧穿型太赫兹波振荡器设计
基于BiCMOS工艺的180GHz信号产生、调制与探测电路
集成于无源UHFRFID标签的宽温测范围CMOS温度传感器
应用于无源RFID标签的BICMOS温度传感器
基于标准BiCMOS工艺的1.5Gbit/s调节型共源共栅光接收机
基于标准CMOS工艺的串联高压太阳能电池研究
RTD串联电阻和峰值电压随温度变化的测量与分析
应用于TD-LTE的SiGeBiCMOS功率放大器的设计
8nm基区宽度负阻双异质结晶体管的设计与研制
基于相控阵天线的RFID定位系统的理论分析
标准Ge-on-SOI工艺全差分光电探测器(本期优秀论文)
基于标准CMOS工艺太阳能电池的微电源管理系统
集成于无源UHFRFID标签的超低功耗CMOS温度传感器
集成温度传感器的无源UHFRFID标签设计与验证
一种应用于可定位射频标签中的接收强度指示器
采用多级噪声抵消技术的CMOS全差分LNA设计
标准CMOS工艺新型多晶硅PIN-LED的设计与实现
用电阻补偿效应分析RTD表观正阻产生的物理机制
共振隧穿二极管的直流变温特性
基于BiCMOS工艺的光接收机前端电路
适用于TD-SCDMA/TD-LTE协议发射机的可变带宽低通滤波器
用于塑料光纤通信的空间调制光电探测器
2.45GHzRFID半有源标签电源管理电路设计
InP基环形波导激光器的研究与进展
集成于无源UHFRFID标签的高分辨率CMOS温度传感器
标准CMOS工艺载流子注入型三端Si-LED的设计与研制
应用于无源UHFRFID标签的CMOS兼容集成微型太阳能电池研究
一种应用于单芯片UHF阅读器的低成本直接上变频发射机(英文)
集成于无源UHFRFID标签的新结构CMOS温度传感器
AlInN/GaN高电子迁移率晶体管的研究与进展
标准CMOS工艺下单片集成MSM光电探测器的2Gb/s光接收机
基于0.5μm标准CMOS工艺的新型Λ负阻器件
InP基低阈值单向双稳态工作微环激光器的设计与制备
肖特基栅型共振隧穿三极管器件模型的研究
基于CMOS迁移率与阈值电压特性的温度传感器
有限元分析法在SOI基微环谐振器设计中的应用
1Gb/sCMOS调节型共源共栅光接收机
一种基于标准CMOS工艺的单片光互连
一种基于Spice的硅基微环光学谐振器模型及其在光学滤波器中的应用
硅基环形电-光调制器的理论分析和性能优化
半导体环形激光器的非线性分岔动力学研究
用变温法测量RTD串联电阻
InP基UTC-PD的理论分析与模拟
共振隧穿二极管串联电阻测量方法的比较与分析
InGaAs/InPSAGCMAPD的电流响应模型研究
基于ROM结构的直接数字频率合成器ASIC设计
一种用于PAM4接收机的时钟与数据恢复电路
使用电流镜进行模式切换的大动态范围、小面积读出电路
基于PAM4调制方式的BiCMOS光发射机驱动电路
一种用于室内VLC系统双间隔脉冲位置调制解调方法
用于时间数字转换器的温度计码转二进制码电路
一种半导体光控太赫兹量子阱振荡器
NMOS型栅体互连光电探测器及其制备方法
基于标准CMOS工艺的全波导型横向多晶硅光互连系统
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一种用于GaN功率器件的双频宽带功率放大器匹配电路
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失调馈送缝隙天线RTO太赫兹波源及制作工艺
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一种利用可见光通信的无源射频识别标签
一种具有新型材料结构的矩形微带贴片天线太赫兹波源
发射区In含量渐变集电区高In过渡层的RTD器件
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一种超窄双阱的共振隧穿二极管器件
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基于标准CMOS工艺的新型光互连结构及其制备方法
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