科研专业方向
研究领域：
电工、微电子和光电子新材料制备与应用技术
研究方向：
微电子与集成电路系
张教授
教授
福建厦门市
科研重点分布
近年科研重点
2010
半导体光学 能隙重正化 光致发光 单量子阱科研产出增长曲线
历年科研产出
学科论文分布
无线电电子学：27
物理学：21
工业通用技术及设备：4
电力工业：4
无机化工：2
材料科学：1
化学：1
仪器仪表工业：1
总数:
43
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- 产学研合作
- 基金课题
- 荣誉&成就
- 科研成果
产学研合作
合作信息
| 合作单位 | 合作论文数量 |
|---|---|
| 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家联合重点实验室 | 3 |
| 厦门三安电子有限公司 | 2 |
| 福建省半导体照明中心 | 2 |
| 中山大学光电材料与技术国家重点实验室 | 2 |
| 华南师范大学 | 1 |
| 厦门理工学院光电与通信工程学院 | 1 |
| 福建省光电信息材料与器件重点实验室 | 1 |
| 华南理工大学物理与光电学院 | 1 |
| 集美大学理学院 | 1 |
| 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室 | 1 |
| 厦门三安电子有限公司技术中心 | 1 |
| 福建省半导体照明工程技术研究中心 | 1 |
| 通化师范学院物理系 | 1 |
| 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 | 1 |
| 广西大学物理科学与技术工程学院 | 1 |
| 广西大学材料科学与工程学院 | 1 |
| 独立行政法人理化学研究所 | 1 |
| 中国科学院半导体研究所集成光电子学联合国家重点实验室 | 1 |
| 萨本栋微纳米技术研究中心 | 1 |
| 洛阳光电技术研究中心 | 1 |
| 中山大学物理学院光电材料与技术国家重点实验室 | 1 |
| 福建中晶科技有限公司 | 1 |
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基金课题
| 论文标题 | 基金名称 |
|---|---|
| 垂直结构GaN基LED用Ni/Ag反射镜电极 | 国家自然科学基金委联合基金资助项目 |
| ZnO/MgZnO单量子阱的能带重正化与阱宽的关系 | 国家973计划 |
荣誉&成就
闽江学者特聘教授
2009年获得厦门大学中国银行奖
2010年获得厦门大学何宜慈奖教金
入选爱思唯尔（Elsevier）社发布的2014~2017年中国高被引学者榜单
科研成果
- 期刊论文
- 专利
氮化物垂直腔面发射激光器的发展与挑战（特邀）
硅基GaN微腔制作及其激射特性（特邀）
GaN基垂直腔面发射激光器的研究进展
GaN垂直腔面发射激光器研究进展
光电耦合对InGaN/GaN量子阱光学性能的影响
自分裂GaN基垂直结构LED研究
SiO2微盘腔的湿法腐蚀工艺研究
中红外硅微透镜阵列的离焦效应（英文）
GaN基蓝光VCSEL的制备及光学特性
Ag厚度对其反射率的影响
InGaN/GaN量子阱太阳能电池研究进展
GaN基半导体光伏电池的制备和特性研究
利用ICP进行In掺杂对GaN基LED材料性能的影响
激光剥离GaN表面的抛光技术
InGaN/GaN多量子阱太阳电池的研制及特性研究
p-GaN退火对InGaN量子阱光学性能的影响
GaN基光栅外腔半导体激光器研究进展
蓝紫光宽带可调谐光栅外腔半导体激光器
半导体光电结构材料及其应用
AlInN基紫外LED的研制
InGaN单结太阳电池中的浅能级杂质的理论计算和模拟
激光诱导p-GaN掺杂对发光二极管性能改善的分析
GaN基白光发光二极管失效机理分析
氮化物垂直腔面发射激光器
GaN垒层厚度对InGaN/GaN单量子阱光学特性的影响
ZnO/MgZnO单量子阱的能带重正化与阱宽的关系
ZnO/MgZnO单量子阱的能带重正化与阱宽的关系
蓝光波段高反射率AlN/GaN分布布拉格反射镜的制作
GaN基垂直腔面发射激光器的研制
生长温度对InGaN/GaN多量子阱LED光学特性的影响
AlInGaN/GaNPIN紫外光电探测器的研制
表面粗化提高GaN基LED光提取效率的模拟
ZnO薄膜的结构特征及光学性能评价
MOCVD生长高反射率AlN/GaN分布布拉格反射镜
多晶硅物理冶金提纯方法的冶金与进展
非平面化型ITO氮化镓基蓝光发光二极管
优化GaN基发光二极管的电极
生长温度对InGaN/GaN多量子阱LED光学特性影响
用p-InGaN/p-GaN超晶格做接触层获得低阻欧姆接触的研究
GaN基发光二极管的电极优化
与GaN晶格匹配的AlInN薄膜的外延生长
ZnO薄膜和量子阱的生长及光学特性（英文）
垂直结构GaN基LED用Ni/Ag反射镜电极
一种基于氮化物半导体的垂直腔面发射激光器的制备法
一种漫反射式激光照明装置
LED泵浦多波长波导激光器及多波长波导激光器
一种氮化镓基谐振腔发光二极管及其制备方法
基于导电氧化物DBR的氮化物垂直腔面发射激光器及制作方法
一种氮化镓基谐振腔发光二极管及其制备方法
一种悬浮LED器件及其制造方法
一种GaN基垂直腔面发射激光器的制备方法
一种电注入微盘谐振腔发光器件及其制备方法
一种紫外辐照系统
一种单体全球充转换器
一种单体迷你型全球充和转换装置
一种大电流PCB板
一种基于金属掩膜衬底的氮化物LED制作方法
一种氮化物半导体垂直腔面发射激光器
一种基于蓝光InGaN量子阱的绿光发射激光器
全介质膜DBR结构氮化镓面发射激光器的制备方法
一种发光波长可调谐的GaN基垂直腔面发射光源
一种基于氮化镓材料的双波长同时发射激光器
用于全色显示照明的垂直腔面发射激光器阵列
一种在001面硅片上腐蚀出111硅面的方法
一种改善P型氮化镓薄膜电学特性的方法
一种改善P型氮化镓薄膜电学特性的方法
一种氮化物半导体发光器件及其制备方法
一种氮化镓基谐振腔气体传感器的制备方法
一种氮化镓基谐振腔气体传感器的制备方法
一种衍射光学元件的制作方法
用于制作氮化镓基发光器件的非平面键合方法
一种氮化镓基垂直腔面发射激光器的制作方法
一种电注入GaN基谐振腔的制作方法
垂直结构InGaN太阳能电池及其制备方法
垂直结构InGaN太阳能电池及其制备方法
一种自支撑垂直结构GaN基LED芯片及其制备方法
自分裂GaN基外延薄膜转移方法
GaN基外延薄膜自分裂转移方法
氮化物分布布拉格反射镜及其制备方法
大功率半导体微腔发光二极管
一种氮化物发光器件及其制备方法
硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法
一种p-GaN低阻欧姆接触的制备方法
一种氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法
无应变InAlGaN/GaNPIN光电探测器
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