科研专业方向
研究领域：
半导体新材料制备与应用技术
研究方向：
GaN基光电子探测器、传感器结构设计与器件工艺和物理，GaN基太阳电池材料与器件结构设计及器件制备，GaN基异质结构设计与表征及其微波功率器件可靠性，新型低维半导体结构与器件等方面的
陈教授
教授
江苏南京市
科研重点分布
近年科研重点
2014
单片机 直接数字量输出（DO） RS485 电磁阀 半导体气路控制2016
宽禁带 紫外探测器 Ⅲ族氮化物 碳化硅科研产出增长曲线
历年科研产出
学科论文分布
无线电电子学：24
物理学：10
环境科学与资源利用：6
自动化技术：5
计算机硬件技术：5
工业通用技术及设备：3
电力工业：3
材料科学：2
高等教育：1
化学：1
金属学及金属工艺：1
电信技术：1
总数:
46
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- 产学研合作
- 基金课题
- 荣誉&成就
- 科研成果
产学研合作
合作信息
| 合作单位 | 合作论文数量 |
|---|---|
| 江苏省光电信息功能材料重点实验室 | 3 |
| 河海大学 | 3 |
| 北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室 | 2 |
| 南京电子器件研究所 | 2 |
| 中科院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 | 1 |
| 南京工程学院基础部 | 1 |
| 信息产业部南京电子第五十五所 | 1 |
| 江苏省电力公司南京供电公司 | 1 |
| 南京市三汊河河口闸管理处 | 1 |
| 南京市水务工程建设管理中心 | 1 |
| 南京冠鼎光电科技有限公司 | 1 |
| 国网山东省电力公司电力科学研究院 | 1 |
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基金课题
| 论文标题 | 基金名称 |
|---|---|
| 光谱综合实验仪在开放式创新实验教学中的应用 | 河海大学理学院学科建设行动计划建设经费 |
| 紫外光谱设备在水质监测中的应用 | 国家重点研发计划项目 |
| 有机污染物紫外吸收光谱分析技术 | 中央高校基本科研业务费专项资金国家重点研发计划 |
| GaNMOCVD生长速率及表面形貌随生长参数的变化 | 国家重点基础研究发展规划973 |
| GaN1-xPx薄膜的结构特性研究 | 国家重点基础研究专项基金 |
| 表面钝化前后Al0.22Ga0.78N/GaN异质结势垒层应变的高温特性 | 国家重点基础研究专项基金 |
| GaN1-xPx三元合金的光学与结构特性 | 国家重点基础研究专项 |
| GaN1-xPx三元合金的MOCVD生长 | 国家重点基础研究专项 |
| 用MOCVD方法制备的GaN1-xPx三元合金的喇曼与红外光谱 | 国家重点基础研究专项 |
| 模糊神经网络技术在材料加工领域中的应用 | 国家自然科学基金资助项目 |
| 板料激光曲线弯曲成形的数值模拟 | 国家自然科学基金资助项目 |
| AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气的磁致子带间散射效应 | 国家重点基础研究专项 |
| AlxGa1-xN/GaN调制掺杂异质结能带分裂特性 | 国家重点基础研究专项 |
| AlN钝化层对AlGaN/GaN异质结及其高温特性的影响 | 国家自然科学基金 |
| Au/Ni/Al/Ti/AlxGa1-xN/GaN和Au/Pt/Al/Ti/AlxGa1-xN/GaN欧姆接触研究 | 国家杰出青年科学基金 |
| Au/Ni/Al/Ti/AlxGa1-xN/GaN和Au/Pt/Al/Ti/AlxGa1-xN/GaN欧姆接触研究 | 国家863计划 |
| AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的高温输运性质 | 国家重点基础研究专项基金 |
| AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的高温输运性质 | 国家重点基础研究专项基金 |
| InGaN太阳电池转换效率的理论计算 | 国家重点基础研究发展规划 |
| AlN钝化层对AlGaN/GaN异质结及其高温特性的影响 | 国家自然科学基金 |
| In0.2Ga0.8N化合物肖特基太阳电池 | 国家863项目 |
| MOCVD生长的InN薄膜中In分凝现象 | 国家自然科学基金 |
| 在MOCVD系统中用预淀积In纳米点低温下合成生长InN | 国家重点基础研究发展规划 |
| InN薄膜的退火特性 | 国家重点基础研究发展规划 |
| 基于异构分部式水质监测传感器分析平台的设计 | 国防八六三计划项目 |
| 级联结构氮化镓功率器件及其在无线电能传输系统中的应用 | 国家重点研发计划资助项目 |
| 结构参数对N极性面GaN/InAlN高电子迁移率晶体管性能的影响 | 国家自然科学基金重点项目 |
| 结构参数对N极性面GaN/InAlN高电子迁移率晶体管性能的影响 | 国家自然科学基金青年科学基金 |
| 结构参数对N极性面GaN/InAlN高电子迁移率晶体管性能的影响 | 国家自然科学基金联合基金 |
| 基于GPRS的多参数分布式水质预警系统设计 | 国防863计划基金资助项目 |
| 肖特基型β-Ga2O3日盲紫外光电探测器 | 新疆维吾尔自治区科技厅自然科学基金项目 |
| 富In组分的InGaN合金组分及温度对声子模特性的影响 | 国家重点基础研究发展计划资助项目 |
| 高灵敏度宽禁带半导体紫外探测器 | 国家自然科学基金 |
| 背势垒对InAlN/GaN异质结构中二维电子气的影响 | 国家重点基础研究发展计划 |
| 分布式探测器系统测量数据的无线传送 | 国家973项目 |
| 分布式探测器系统测量数据的无线传送 | 国家973项目 |
| 基于SPI互连的多串口系统 | 国家863计划资助项目 |
| 基于STC10F04EX的多串口数据收发系统 | 国家863计划项目 |
| 基于STC10F04EX的多串口数据收发系统 | 国家973计划项目 |
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荣誉&成就
2005年入选“教育部新世纪优秀人才计划”，
2008年被评为南京大学中青年优秀学术带头人
科研成果
- 期刊论文
- 技术成果
- 专利
水质光电在线监测设备研发及其应用
新一代宽禁带半导体紫外光电探测器
基于单片机的多通道控制器的设计
分布式探测器系统测量数据的无线传送
基于单片机的可见光及紫外光强探测系统
MOCVD生长富In组分InGaN合金及表面电化学处理提高InGaN光电极转换效率
基于SPI互连的多串口系统
基于STC10F04EX的多串口数据收发系统
GaNMOCVD生长速率及表面形貌随生长参数的变化
AlN钝化层对AlGaN/GaN异质结及其高温特性的影响
In0.2Ga0.8N化合物肖特基太阳电池
InGaN太阳电池转换效率的理论计算
不同钝化介质层对AlGaN/GaN异质结构高温性质的影响
C面宝石基MOCVD生长的InN薄膜的In分凝现象的研究
AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的高温输运性质
AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的高温输运性质
Au/Ni/Al/Ti/AlxGa1-xN/GaN和Au/Pt/Al/Ti/AlxGa1-xN/GaN欧姆接触研究
GaN1-xPx三元合金的红外反射光谱研究
光谱综合实验仪在开放式创新实验教学中的应用
紫外光谱设备在水质监测中的应用
有机污染物紫外吸收光谱分析技术
磁控溅射生长AlN钝化层的研究
GaN1-xPx薄膜的结构特性研究
表面钝化前后Al0.22Ga0.78N/GaN异质结势垒层应变的高温特性
GaN1-xPx三元合金的光学与结构特性
GaN1-xPx三元合金的MOCVD生长
用MOCVD方法制备的GaN1-xPx三元合金的喇曼与红外光谱
模糊神经网络技术在材料加工领域中的应用
板料激光曲线弯曲成形的数值模拟
AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气的磁致子带间散射效应
AlxGa1-xN/GaN调制掺杂异质结能带分裂特性
AlN钝化层对AlGaN/GaN异质结及其高温特性的影响
MOCVD生长的InN薄膜中In分凝现象
在MOCVD系统中用预淀积In纳米点低温下合成生长InN
InN薄膜的退火特性
基于异构分部式水质监测传感器分析平台的设计
级联结构氮化镓功率器件及其在无线电能传输系统中的应用
基于单片机的多通道控制器的设计
结构参数对N极性面GaN/InAlN高电子迁移率晶体管性能的影响
基于GPRS的多参数分布式水质预警系统设计
肖特基型β-Ga2O3日盲紫外光电探测器
富In组分的InGaN合金组分及温度对声子模特性的影响
高灵敏度宽禁带半导体紫外探测器
背势垒对InAlN/GaN异质结构中二维电子气的影响
分布式探测器系统测量数据的无线传送
基于单片机的可见光及紫外光强探测系统
高灵敏III族氮化物半导体紫外探测技术
Ⅲ族氮化物半导体极化和缺陷研究
胆固醇生物传感器及其制备方法
ε-MnO-2/WO-3异质结材料及其在检测H-2S气体中的应用
滚筒筛筛孔清堵装置和滚筒筛筛孔清堵方法
基于非对称量子阱结构的UV-LED及其制备方法
高速InGaN多量子阱微纳LED发光器件阵列及其制备工艺
双沟道增强型准垂直结构GaN基JFET及其制备方法
具有改善的横向SAM型APD边缘电场聚集效应的器件及其制备方法
基于钛酸锶/铝酸镧异质结的pH传感器及其制备方法
提高功率肖特基二极管反向耐压的器件外延结构的器件及其制备方法
分子束外延生长蓝宝石基AlGaN/GaN异质结结构的方法
一种控制GaN纳米线结构与形貌的分子束外延生长方法
用于透明显示的GaNMicro-LED阵列器件及其制备方法
基于深硅刻蚀模板量子点转移工艺的微米全色QLED阵列器件及其制备方法
应用于日盲光电探测器的AlN/AlGaN多周期一维光子晶体滤波器及日盲光电探测器
利用InN保护层降低HEMT器件界面态的再生长方法及HEMT器件
横向GaN基增强型结型场效应管器件及其制备方法
利用MBE再生长的横向结构GaN基JFET器件及其制备方法
槽栅结构的AlGaN/GaN增强型MOSFET器件及制备方法
GaNHEMT器件高频动态损耗的非线性分段时序模型建立方法
具有挡光层的非等平面AlGaN基肖特基型紫外探测器及其制备方法
利用表面等离激元增强LED光通信器件及其制备方法
具有非极性、半极性面的图形蓝宝石衬底、可见光通信光源及其制备方法
PA-MBE同质外延高质量GaN单晶薄膜的制备方法
PA-MBE同质外延高质量GaN单晶薄膜的制备方法
基于III族氮化物半导体量子点的混合型RGB微米孔LED阵列器件及其制备方法
基于III族氮化物半导体/量子点的混合型RGB微米孔LED阵列器件及其制备方法
全色型Micro-LED器件及其制备方法
具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件及其制备方法
具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件及其制备方法
分布式水质监测装置及其数据交互方法
测量比例电磁铁动作响应时间和速度的装置及方法
测量比例电磁铁动作响应时间和速度的装置及方法
AlGaN斜角台面APD器件刻蚀方法
一种基于Ni金属自组装制备AlN纳米图形模板的方法
背电极通孔UVC半导体发光二极管及其制备方法
AlGaN异质结纳米柱阵列发光器件及其制备方法
AlGaN异质结纳米柱阵列发光器件及其制备方法
GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器及其制备方法
在化合物半导体表面制作纳米图形的方法
Si#CMOS阵列驱动电路控制的GaN基可见光微米柱阵列LED器件及其制备方法
表面等离激元增强InGaN／GaN偏振出光LED及其制备方法
表面等离激元增强InGaN/GaN偏振出光LED及其制备方法
AlGaN日盲紫外增强型雪崩光电探测器及其制备方法
AlGaN日盲紫外增强型雪崩光电探测器及其制备方法
III族氮化物半导体/量子点混合白光LED器件及其制备方法
InGaN/GaN多量子阱单纳米柱LED器件及其制备方法
InGaN/GaN多量子阱单纳米柱LED器件及其制备方法
水体硝基苯含量测量装置及测量方法
水体硝基苯含量测量装置及测量方法
水质COD的光谱测量装置及测量方法
水质COD的光谱测量装置及测量方法
异质结倍增层增强型AlGaN日盲雪崩光电二极管及其制备方法
异质结倍增层增强型AlGaN日盲雪崩光电二极管及其制备方法
无栅AlGaN/GaN场效应晶体管传感器及其制备方法
无栅AlGaN/GaN场效应晶体管传感器及其制备方法
低压ET/TRIAC可调光LED适配器
GHz高速LED光通信驱动器
一种GHz高速LED光通信驱动器
高速LED光通信调制器
无栅AlInN/GaN场效应晶体管传感器及其制备方法
无栅AlInN/GaN场效应晶体管传感器及其制备方法
智能APD阵列读出装置及方法
高性能电流式多切LED控制器
低成本全方位全兼容驱动装置
智能APD阵列读出装置及方法
高性能电流式多切LED控制器
低成本全方位全兼容驱动装置
低功率电流自锁LED控制器
车载控制器高精密流控装置
一种利用紫外软压印制备有序氮化镓纳米柱阵列的方法
一种利用紫外软压印制备有序氮化镓纳米柱阵列的方法
基于SiO＆lt;sub＆gt;2＆lt;/sub＆gt;/Si＆lt;sub＆gt;3＆lt;/sub＆gt;N＆lt;sub＆gt;4＆lt;/sub＆gt;分布式布拉格反射镜的紫外带通滤波器及
日盲紫外DBR及其制备方法
高增益的AlGaN紫外雪崩光电探测器及其制备方法
日盲紫外DBR及其制备方法
用于光电微型传感器的宽谱紫外发光二极管及其制作方法
用于光电微型传感器的宽谱紫外发光二极管及其制作方法
p-i-n结InGaN太阳电池制造方法
极化增强的p-i-n结InGaN太阳电池
极化增强的p-i-n结InGaN太阳电池
p-i-n结InGaN太阳电池制造方法
一种制备高密度氮化镓量子点有源层结构的方法
铟镓氮基光电极的表面处理方法
提高铝掺入效率获得高铝组分铝镓氮合金的生长方法
用于水质在线监测的紫外光电微型传感器装置及监测方法
轻巧升降装置中的磁性止动机构
一种可见光铟镓氮基光电化学电池及制备方法
一种动态监测有机污染物的紫外光电方法和装置
铟镓氮p-n结型多结太阳电池的结构的设置方法
新型半导体材料铟镓氮表面势垒型太阳电池及其制备方法
半导体材料的高温霍尔测量方法及装置
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