科研专业方向
研究领域：
半导体新材料制备与应用技术
研究方向：
重点开展GaN基功率电子器件，微波功率器件，紫外光电器件，以及透明薄膜场效应管的相关器件物理问题研究。
陆教授
教授
A类,B类
江苏南京市
科研重点分布
近年科研重点
2016
宽禁带 紫外探测器 Ⅲ族氮化物 碳化硅2020
氮化镓 高电子迁移率晶体管 综述 经时击穿 失效 可靠性 氮化镓（GaN） 高电子迁移率晶体管（HEMT）科研产出增长曲线
历年科研产出
学科论文分布
无线电电子学：16
物理学：6
工业通用技术及设备：4
旅游：1
农业经济：1
化学：1
材料科学：1
总数:
23
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- 产学研合作
- 基金课题
- 荣誉&成就
- 科研成果
产学研合作
合作信息
| 合作单位 | 合作论文数量 |
|---|---|
| 移动网络和移动多媒体技术国家重点实验室 | 4 |
| 中兴通讯股份有限公司 | 4 |
| 江苏省光电信息功能材料重点实验室 | 3 |
| 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室 | 1 |
| 南京微结构国家实验室（筹） | 1 |
| 江苏省光电信息功能材料实验室 | 1 |
| 南京电子器件研究所 | 1 |
| 美国西北大学材料科学工程系 | 1 |
| 国网山东省电力公司电力科学研究院 | 1 |
| 国家电网有限公司 | 1 |
| 青岛杰生电气有限公司 | 1 |
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基金课题
| 论文标题 | 基金名称 |
|---|---|
| 无电极光助化学腐蚀法制备GaN微/纳米结构及其物性研究 | 国家重点基础研究发展规划 |
| GaN/Al2O3（0001）上Ge薄膜的CVD外延生长 | 国家重点基础研究发展规划 |
| GaN转移电子器件的性能与基本设计 | 国家重点基础研究发展规划 |
| GaN转移电子器件的性能与基本设计 | 国家重点基础研究发展规划 |
| 厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响 | 国家重点基础研究发展计划 |
| 阴极荧光联合分析系统在III族氮化物研究中的应用 | 国家重点基础研究发展规划 |
| 厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响 | 国家重点基础研究发展计划 |
| GaN HEMT经时击穿可靠性的研究进展 | 国家重点研发计划 |
| 高灵敏度宽禁带半导体紫外探测器 | 国家自然科学基金 |
| GaN HEMT可靠性光学测试技术研究进展 | 囯家重点研发计划资助项目 |
| 基于银纳米薄膜欧姆接触的高波长选择性紫外探测器研究 | 国家重点研发计划项目 |
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荣誉&成就
2007年入选教育部新世纪人才支持计划；2008年获得国家杰出青年科学基金资助。
科研成果
- 期刊论文
- 技术成果
- 专利
AlGaN/GaN横向肖特基势垒二极管抗浪涌电流特性与封装方案
GaN HEMT经时击穿可靠性的研究进展
GaN HEMT可靠性光学测试技术研究进展
GaNHEMT可靠性光学测试技术研究进展
GaNHEMT经时击穿可靠性的研究进展
基于银纳米薄膜欧姆接触的高波长选择性紫外探测器研究
新一代宽禁带半导体紫外光电探测器
GaN的HVPE生长研究
AlGaN薄膜和AlGaN/AlN超晶格结构横向/纵向生长及应变状态研究
厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响
GaN/Al2O3（0001）上Ge薄膜的CVD外延生长
GaN转移电子器件的性能与基本设计
阴极荧光联合分析系统在III族氮化物研究中的应用
湿法化学腐蚀研究GaN薄膜中的位错
P型AlxGa1-xN（0≤x≤0．31）薄膜光电学性质研究
GaN/Al2O3（0001）上Ge薄膜的CVD外延生长
循环型旅游景区规划研究——以南京中山陵园风景区为例
经济发达地区的生态农业发展战略——以江苏省江阴市为例
GaN基高电子迁移率场效应管的可靠性研究
无电极光助化学腐蚀法制备GaN微/纳米结构及其物性研究
GaN转移电子器件的性能与基本设计
厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响
高灵敏度宽禁带半导体紫外探测器
高灵敏III族氮化物半导体紫外探测技术
有序可控半导体量子结构、光电子原型器件研究
一种新型离子注入弧形钝化介质终端的4H-SiC雪崩光电探测器
一种全平面离子注入倾斜高阻终端结构的4H-SiC雪崩光电探测器
一种广谱可调超窄带通滤光系统
基于超材料结构的偏振光调制器及其制备方法
一种氮化镓三极管栅极驱动电路及其控制方法
一种功率器件电学参数测量电路及测量方法
一种氮化镓三极管开关测试电路及测试方法
一种集成氮化镓二极管和三极管的雪崩测试电路及其控制方法
一种新型碳化硅肖特基结极深紫外探测器及其制备方法
一种基于Mg离子注入与高温退火工艺实现氮化镓p型掺杂的方法
基于厚栅介质层电极一步成型的AlGaN/GaNMIS-HEMT器件及其制备方法
一种制备GaN衬底材料的方法
一种复合终端结构的氮化镓二极管
一种UVC增强型PIN结构的4H-SiC紫外探测器
一种高响应度低暗电流PIN结构的4H-SiC紫外探测器及其制备方法
一种新型碳化硅雪崩二极管阵列良率及击穿电压测试方法
一种含水质监测功能的末端消毒净水组件
一种制备自支撑GaN衬底材料的方法
一种制备III族氧化物及氮化物纳米柱的方法
一种制备自支撑GaN衬底材料的方法
一种大尺寸GaN衬底的制备方法
一种多功能氢化物气相外延生长系统及应用
一种制备GaN衬底材料的方法
一种新型n#i#p#n半台面垂直结构的碳化硅雪崩二极管及其制备方法
一种新型n-i-p-n半台面垂直结构的碳化硅雪崩二极管及其制备方法
一种无应力InN纳米线生长方法
一种GaN纳米结构阵列生长方法
一种GaN纳米结构阵列生长方法
Si#CMOS阵列驱动电路控制的GaN基可见光微米柱阵列LED器件及其制备方法
表面等离激元增强InGaN／GaN偏振出光LED及其制备方法
表面等离激元增强InGaN/GaN偏振出光LED及其制备方法
一种以单个UV-LED为光源的紫外荧光三信号水质传感器
一种以单个UV‑LED为光源的紫外荧光三信号水质传感器及应用
一种微纳米GaN衬底及发光二极管制备方法
一种以LED发光二极管为光源的紫外荧光双信号水质监测装置及其应用方法
一种以LED发光二极管为光源的紫外荧光双信号水质监测装置及其应用方法
一种利用紫外软压印制备有序氮化镓纳米柱阵列的方法
一种利用紫外软压印制备有序氮化镓纳米柱阵列的方法
一种制备低应力GaN薄膜的方法
一种GaN纳米线生长方法
一种制备GaN薄膜材料的方法
一种制备GaN薄膜材料的方法
一种InN基薄膜材料生长方法
一种用于半导体材料热壁外延生长系统的加热装置
一种用于半导体材料热壁外延生长系统的加热装置
提高铝掺入效率获得高铝组分铝镓氮合金的生长方法
一种场板结构的氮化镓基肖特基二极管
一种金属衬底的氮化镓肖特基整流器及其制备方法
消除GaN厚膜材料表面缺陷的方法
消除GaN厚膜材料表面缺陷的方法
一种原位制备自支撑氮化镓衬底的方法
大尺寸非极性面GaN自支撑衬底制备方法
一种改善蓝宝石衬底上GaN厚膜完整性的方法
一种改进氢化物气相外延生长GaN材料均匀性的方法和装置
一种改进HVPE传输气流均匀性的装置
铌酸锂/Ⅲ族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法及应用
生长非极性面GaN薄膜材料的方法及其用途
半导体材料生长设备的独立MO源管路及应用
提高Ⅲ族氮化物发光效率的LED量子阱结构及其生长方法
一种利用线性偏振光来检验半导体衬底晶体质量的方法
基于平面结构的Ⅲ族氮化物半导体发光二极管及其制备方法
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