科研专业方向
研究领域：
半导体新材料制备与应用技术
研究方向：
1.GaN基Ⅲ族氮化物的衬底材料生长、性质和器件研究； 2.氢化物气相外延设备研制与应用； 3.微纳米氮化物半导体材料与器件研究；
修教授
副教授
江苏南京市
科研重点分布
近年科研重点
2016
绿光发光二极管（LED） 镓掺杂氧化锌（GaZnO）薄膜 发光效率 透明导电层（TCL） 多量子阱（MQW）2017
氢化物气相外延（HVPE） 氮化镓 纳米柱 气-液-固（VLS）机制 光致荧光科研产出增长曲线
历年科研产出
学科论文分布
无线电电子学：55
物理学：22
材料科学：11
工业通用技术及设备：9
化学：2
总数:
82
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- 产学研合作
- 基金课题
- 荣誉&成就
- 科研成果
产学研合作
合作信息
| 合作单位 | 合作论文数量 |
|---|---|
| 江苏省光电信息功能材料重点实验室 | 7 |
| 南京信息工程大学物理与光电工程学院 | 4 |
| 国网山东省电力公司电力科学研究院 | 4 |
| 中国科学院上海技术物理研究所 | 2 |
| 南京信息工程大学 物理与光电工程学院 | 1 |
| 南京微结构国家实验室（筹） | 1 |
| 江苏省光电信息功能材料实验室 | 1 |
| 江苏省光电功能材料重点实验室 | 1 |
| 南京信息工程大学数理学院 | 1 |
| 香港中文大学电子工程系 | 1 |
| 南京电子器件研究所 | 1 |
| 美国西北大学材料科学工程系 | 1 |
| 南京邮电大学电子科学与工程学院 | 1 |
| 南京晓庄学院生物化工与环境工程学院 | 1 |
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基金课题
| 论文标题 | 基金名称 |
|---|---|
| GaN微盘模式分布与强度研究 | 国家重点研发计划项目 |
| GaN纳米柱的量子效率研究 | 国家重点基础研究发展规划 |
| 阳极多孔氧化铝的斜孔形成过程及机理 | 国家重点基础研究发展规划 |
| 利用Ni纳米岛模板制备半极性晶面GaN纳米柱 | 国家重点基础研究发展规划 |
| AlGaN纳米柱光场强度的计算及其影响机制 | 国家重点基础研究发展计划 |
| 无电极光助化学腐蚀法制备GaN微/纳米结构及其物性研究 | 国家重点基础研究发展规划 |
| 氮气载气流量和系统温度对GaN膜质量的影响 | 国家自然科学基金青年科学基金资助项目 |
| 采用高分辨XRD对m面GaN位错特性的研究 | 国家973重点基础研究项目 |
| 氮气载气流量和系统温度对GaN膜质量的影响 | 国家自然科学基金青年科学基金资助项目 |
| GaN纳米柱发光特性 | 国家重点基础研究发展规划 |
| GaN从蓝宝石衬底上激光剥离技术的研究 | 国家重点基础研究规划 |
| m面GaN平面内结构和光学各向异性研究 | 国家重点基础研究发展规划 |
| 生长参数对Si1-xGex∶C合金薄膜中元素分布的影响 | 国家重点基础研究发展规划 |
| GaN大失配异质外延技术 | 国家重点基础研究规划项目G2 0 0 0 0 6 83 |
| GaN大失配异质外延技术 | 86 3高技术研究计划、国家杰出青年研究基金 |
| 厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响 | 国家重点基础研究发展计划 |
| 侧向外延生长GaN的结构特性（英文） | 国家8 6 3基金资助项目 |
| 溶胶-凝胶法制备ZnO基稀释磁性半导体薄膜 | 86 3计划 |
| 立式氢化物气相外延反应器生长GaN模拟研究 | 国家重点基础研究发展计划 |
| 阴极荧光联合分析系统在III族氮化物研究中的应用 | 国家重点基础研究发展规划 |
| InN材料及其应用 | 国家重点基础研究发展规划资助项目 |
| 额外HCl和氮化对HVPEGaN生长的影响 | 国家重点基础研究发展规划 |
| Mn+离子注入的GaN薄膜的光学性质及其磁性 | 国家重点基础研究发展规划 |
| 厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响 | 国家重点基础研究发展计划 |
| n型GaN薄膜输运性质与发光研究 | 国家重点基础研究发展计划 |
| 两步法生长氮化铝中缓冲层和外延层工艺研究 | 国家重点基础研究发展规划973项目 |
| 高温高压合成Co掺杂ZnO基DMS及其磁性特征 | 国家重点基础研究发展规划 |
| MOCVD制备InN薄膜的光学性质 | 国家重点基础研究发展规划 |
| 载气流量对HVPE外延生长GaN膜光学性质的影响 | 国家重点基础研究规划 |
| MOCVD制备InN薄膜的光学性质 | 国家重点基础研究发展规划 |
| 一维AlN纳米结构制备进展 | 国家重点基础研究发展规划 |
| AlxGa1-xN/AlN超晶格材料特性研究 | 国家重点基础研究发展计划 |
| PECVD法氮化硅薄膜生长工艺的研究 | 国家重点基础研究发展规划 |
| AlxGa1-xN/AlN超晶格材料特性研究 | 国家重点基础研究发展计划 |
| AlN/Si（111）衬底上4H-SiC的CVD外延生长研究 | 国家自然科学基金 |
| Si（111）衬底上HVPEGaN厚膜生长 | 国家重点基础研究发展计划 |
| 氢化物气相外延生长的GaN厚膜中位错密度计算 | 国家973重点基础研究项目 |
| 薄膜材料研究中的XRD技术 | 国家重点基础研究发展规划973 |
| MOCVD生长Mn掺杂GaN薄膜的结构与磁学性能研究 | 国家973重点基础研究项目 |
| GaN纳米线材料的特性和制备技术 | 国家重点基础研究发展规划项目 |
| InN纳米线材料的特性和制备技术 | 国家重点基础研究发展规划资助项目 |
| 用于紫外探测器DBR结构的高质量AlGaN材料MOCVD生长及其特性研究 | 国家重点基础研究发展规划 |
| 在MOCVD系统中用预淀积In纳米点低温下合成生长InN | 国家重点基础研究发展规划 |
| InN薄膜的退火特性 | 国家重点基础研究发展规划 |
| In2O3纳米线制备及其特性 | 国家重点基础研究发展规划 |
| 用氢化物气相外延（HVPE）法生长的氮化铟薄膜的性质研究 | 973计划 |
| 用氢化物气相外延（HVPE）法生长的氮化铟薄膜的性质研究 | 973计划 |
| AlN单晶性质与AlGaN外延生长研究 | 国家重点研发计划资助项目 |
| 石墨烯上生长GaN纳米线的研究 | 国家973计划项目 |
| 石墨烯上生长GaN纳米线 | 国家重点基础研究发展计划资助项目 |
| HVPE生长的高质量GaN纳米柱的光学性能 | 国家自然科学基金资助项目 |
| Si（110）和Si（111）衬底上制备InGaN/GaN蓝光发光二极管 | 国家自然科学基金青年科学基金 |
| Si（110）和Si（111）衬底上制备InGaN/GaN蓝光发光二极管 | 国家自然科学基金青年科学基金 |
| Fe/GaN、Fe3N/GaN的生长及其性能研究 | 国家重点基础研究发展计划 |
| 大尺寸HVPE反应室生长GaN的数值模拟 | 国家重点研发计划资助项目 |
| 背势垒对InAlN/GaN异质结构中二维电子气的影响 | 国家重点基础研究发展计划 |
| 新型电极材料石墨烯在LED中的应用 | 国家973计划 |
| GaN衬底材料的研究与发展 | 国家重点研发计划 |
| 氢化物气相外延生长高质量GaN膜生长参数优化研究 | 国家重点基础研究发展计划 |
| 氢化物气相外延生长GaN膜性质研究 | 国家重点基础研究发展计划 |
| 氢化物气相外延生长GaN膜性质研究 | 国家自然科学基金青年科学基金资助项目 |
| 氢化物气相外延生长高质量GaN膜生长参数优化研究 | 国家重点基础研究发展计划 |
| GaZnO透明导电层提高绿光LED发光效率 | 国家自然科学基金青年科学基金资助项目 |
| 氢化物气相外延生长GaN膜性质研究 | 国家重点基础研究发展计划 |
| 氢化物气相外延生长GaN膜性质研究 | 国家自然科学基金青年科学基金资助项目 |
| 利用X射线衍射研究Mg掺杂的InN的快速退火特性 | 国家973计划 |
| 纳米压印技术在LED器件制备中的应用 | 国家973计划 |
| GaZnO透明导电层提高绿光LED发光效率 | 国家自然科学基金青年科学基金资助项目 |
| LPCVD法在GaN上生长Ge薄膜及其特性（英文） | supported by special funds for major state basic research project |
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荣誉&成就
暂无荣誉成就信息
科研成果
- 期刊论文
- 技术成果
- 专利
HVPE生长的高质量GaN纳米柱的光学性能
GaZnO透明导电层提高绿光LED发光效率
用氢化物气相外延（HVPE）法生长的氮化铟薄膜的性质研究
Si（110）和Si（111）衬底上制备InGaN/GaN蓝光发光二极管
氮气载气流量和系统温度对GaN膜质量的影响
氢化物气相外延生长GaN膜性质研究
氢化物气相外延生长高质量GaN膜生长参数优化研究
利用X射线衍射研究Mg掺杂的InN的快速退火特性
纳米压印技术在LED器件制备中的应用
Si（111）衬底上HVPEGaN厚膜生长
立式氢化物气相外延反应器生长GaN模拟研究
GaN的HVPE生长研究
自旋发光二极管原型器件的设计和制备
PECVD法氮化硅薄膜生长工艺的研究
AlGaN薄膜和AlGaN/AlN超晶格结构横向/纵向生长及应变状态研究
采用高分辨XRD确定AlxGa1-xN/GaN异质结的应变状态
厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响
薄膜材料研究中的XRD技术
采用高分辨XRD对m面GaN位错特性的研究
m面GaN平面内结构和光学各向异性研究
生长参数对Si1-xGex∶C合金薄膜中元素分布的影响
阴极荧光联合分析系统在III族氮化物研究中的应用
n型GaN薄膜输运性质与发光研究
AlxGa1-xN/AlN超晶格材料特性研究
AlN/Si（111）衬底上4H-SiC的CVD外延生长研究
氢化物气相外延生长的GaN厚膜中位错密度计算
MOCVD生长Mn掺杂GaN薄膜的结构与磁学性能研究
Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料制备和特性研究
Si1-xGex：C合金薄膜的EDS元素深度分析
脉冲激光沉积制备Al-LiNbO3-GaN结构研究
MOCVD制备InN薄膜的光学性质
利用MOCVD设备生长Mn掺杂GaN稀释磁性半导体材料
一维AlN纳米结构制备进展
MOCVD技术生长的InN薄膜结构和光学性质
宽禁带半导体自旋电子材料研究
P型AlxGa1-xN（0≤x≤0．31）薄膜光电学性质研究
应用MOCVD方法在GaN上生长FexN薄膜及其性能研究
AlxGa1-xN/AIN超晶格材料的结构和光学特性
高温高压条件合成Co掺杂的ZnO基DMS及其磁性特征
GaN微盘模式分布与强度研究
GaN纳米柱的量子效率研究
阳极多孔氧化铝的斜孔形成过程及机理
利用Ni纳米岛模板制备半极性晶面GaN纳米柱
AlGaN纳米柱光场强度的计算及其影响机制
无电极光助化学腐蚀法制备GaN微/纳米结构及其物性研究
氮气载气流量和系统温度对GaN膜质量的影响
GaN纳米柱发光特性
GaN从蓝宝石衬底上激光剥离技术的研究
GaN大失配异质外延技术
厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响
侧向外延生长GaN的结构特性（英文）
溶胶-凝胶法制备ZnO基稀释磁性半导体薄膜
InN材料及其应用
额外HCl和氮化对HVPEGaN生长的影响
Mn+离子注入的GaN薄膜的光学性质及其磁性
两步法生长氮化铝中缓冲层和外延层工艺研究
高温高压合成Co掺杂ZnO基DMS及其磁性特征
载气流量对HVPE外延生长GaN膜光学性质的影响
额外HCl对HVPE生长GaN性质的影响
MOCVD制备InN薄膜的光学性质
AlxGa1-xN/AlN超晶格材料特性研究
GaN纳米线材料的特性和制备技术
InN纳米线材料的特性和制备技术
用于紫外探测器DBR结构的高质量AlGaN材料MOCVD生长及其特性研究
在MOCVD系统中用预淀积In纳米点低温下合成生长InN
InN薄膜的退火特性
In2O3纳米线制备及其特性
用氢化物气相外延（HVPE）法生长的氮化铟薄膜的性质研究
AlN单晶性质与AlGaN外延生长研究
石墨烯上生长GaN纳米线的研究
石墨烯上生长GaN纳米线
Si（110）和Si（111）衬底上制备InGaN/GaN蓝光发光二极管
Fe/GaN、Fe3N/GaN的生长及其性能研究
大尺寸HVPE反应室生长GaN的数值模拟
背势垒对InAlN/GaN异质结构中二维电子气的影响
新型电极材料石墨烯在LED中的应用
GaN衬底材料的研究与发展
氢化物气相外延生长高质量GaN膜生长参数优化研究
氢化物气相外延生长GaN膜性质研究
GaZnO透明导电层提高绿光LED发光效率
黏附层以及退火气氛对Au/Si共晶体系中硅扩散的影响研究
LPCVD法在GaN上生长Ge薄膜及其特性（英文）
Ⅲ族氮化物半导体极化和缺陷研究
胆固醇生物传感器及其制备方法
垂直Ga2O3纳米管有序阵列及其制备方法
减缓卤化物气相外延生长系统中管壁沉积氮化镓的方法及卤化物气相外延生长系统
高效制备氮化镓衬底的方法
制备低应力GaN薄膜的方法
氧化镓外延薄膜及生长氧化镓外延薄膜的方法
高速InGaN多量子阱微纳LED发光器件阵列及其制备工艺
提高功率肖特基二极管反向耐压的器件外延结构的器件及其制备方法
一种控制GaN纳米线结构与形貌的分子束外延生长方法
用于透明显示的GaNMicro-LED阵列器件及其制备方法
基于深硅刻蚀模板量子点转移工艺的微米全色QLED阵列器件及其制备方法
利用表面等离激元增强LED光通信器件及其制备方法
具有非极性、半极性面的图形蓝宝石衬底、可见光通信光源及其制备方法
制备自支撑GaN衬底的自分离方法
制备GaN衬底的自分离方法
多孔网状结构GaN单晶薄膜、其制备方法及应用
一种制备GaN衬底材料的方法
PA-MBE同质外延高质量GaN单晶薄膜的制备方法
PA-MBE同质外延高质量GaN单晶薄膜的制备方法
采用分子束外延技术生长用于缓解/消除铝镓氮薄膜表面裂纹的超晶格插入层的方法
采用分子束外延技术生长用于缓解/消除铝镓氮薄膜表面裂纹的超晶格插入层的方法
全色型Micro-LED器件及其制备方法
具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件及其制备方法
具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件及其制备方法
背电极通孔UVC半导体发光二极管及其制备方法
一种制备自支撑GaN衬底材料的方法
一种制备III族氧化物及氮化物纳米柱的方法
一种制备自支撑GaN衬底材料的方法
一种大尺寸GaN衬底的制备方法
一种多功能氢化物气相外延生长系统及应用
一种制备GaN衬底材料的方法
一种立式氢化物气相外延生长系统
一种无应力InN纳米线生长方法
一种GaN纳米结构阵列生长方法
一种GaN纳米结构阵列生长方法
Si#CMOS阵列驱动电路控制的GaN基可见光微米柱阵列LED器件及其制备方法
表面等离激元增强InGaN／GaN偏振出光LED及其制备方法
表面等离激元增强InGaN/GaN偏振出光LED及其制备方法
一种改善电流扩展的半导体器件
一种微纳米GaN衬底及发光二极管制备方法
一种布拉格反射镜增强InGaN电极、制备与利用
一种布拉格反射镜增强InGaN电极、制备与利用
一种利用紫外软压印制备有序氮化镓纳米柱阵列的方法
一种利用紫外软压印制备有序氮化镓纳米柱阵列的方法
基于SiO＆lt;sub＆gt;2＆lt;/sub＆gt;/Si＆lt;sub＆gt;3＆lt;/sub＆gt;N＆lt;sub＆gt;4＆lt;/sub＆gt;分布式布拉格反射镜的紫外带通滤波器及
一种制备低应力GaN薄膜的方法
一种GaN纳米线生长方法
一种制备GaN薄膜材料的方法
一种制备GaN薄膜材料的方法
一种InN基薄膜材料生长方法
ICP刻蚀GaN基多量子阱制备纳米阵列图形的方法
ICP刻蚀GaN基多量子阱制备纳米阵列图形的方法
一种干法腐蚀去除电池极片毛刺的方法
一种制备高密度氮化镓量子点有源层结构的方法
一种立式氢化物气相外延生长系统
一种多片多源卧式氢化物气相外延生长系统
一种多片多源卧式氢化物气相外延生长系统
一种立式氢化物气相外延生长系统
一种用于半导体材料热壁外延生长系统的加热装置
一种用于半导体材料热壁外延生长系统的加热装置
提高铝掺入效率获得高铝组分铝镓氮合金的生长方法
一种Fe＆lt;sub＆gt;3＆lt;/sub＆gt;N材料的生长方法
一种场板结构的氮化镓基肖特基二极管
一种宽光谱白光LED结构及生长方法
一种GaN基量子阱红光LED结构的生长方法
一种非极性面InN材料的生长方法
消除GaN厚膜材料表面缺陷的方法
消除GaN厚膜材料表面缺陷的方法
CVD材料生长设备气路的U形管道连接方法
化学气相淀积材料生长设备的装样、取样和样品转移的方法
化学气相淀积材料生长设备的反应源进气分配方法与装置
一种原位制备自支撑氮化镓衬底的方法
大尺寸非极性面GaN自支撑衬底制备方法
一种改善蓝宝石衬底上GaN厚膜完整性的方法
一种改进氢化物气相外延生长GaN材料均匀性的方法和装置
一种改进HVPE传输气流均匀性的装置
铌酸锂/Ⅲ族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法及应用
GaMnN稀释磁性半导体薄膜材料的制备方法及其应用
生长非极性面GaN薄膜材料的方法及其用途
通过气相传输法制备InN纳米线和纳米棒的方法
半导体材料生长设备的独立MO源管路及应用
用于半导体材料气相淀积生长系统的氮源离化方法和装置
一种用于MOCVD系统的双层气流石英整流罩反应室装置
一种Fe掺杂生长GaFeN稀释磁性半导体的方法及其用途
提高Ⅲ族氮化物发光效率的LED量子阱结构及其生长方法
具有宽谱光发射功能的半导体发光器件的结构及制备方法
原位腐蚀降低HVPEGaN薄膜位错密度的方法
太阳光紫外线指数监测的微型探测装置
InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜及制备方法
铟镓氮外延薄膜及生长方法和在太阳能电池的应用
用于紫外探测器的高反射率分布布拉格反射镜结构和生长方法
AlGaN基共振增强单色紫外探测器结构和生长方法
改进的制备自支撑氮化镓衬底的激光剥离的方法
一种a面和m面GaN薄膜材料的控制生长方法
一种生长高结晶氮化铟单晶外延膜的方法
一种m面InGaN/GaN量子阱LED器件结构的生长方法
在β三氧化二镓衬底上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法
化学气相淀积生长掺碳硅锗合金缓冲层及生长锗薄膜方法
无掩膜横向外延生长高质量氮化镓
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