科研专业方向
研究领域:
半导体新材料制备与应用技术
研究方向:
GaN基半导体材料与器件,LED器件工艺与先进封装,光电器件及系统的可靠性分析与寿命预测
研究领域:
半导体新材料制备与应用技术
研究方向:
GaN基半导体材料与器件,LED器件工艺与先进封装,光电器件及系统的可靠性分析与寿命预测
合作单位 | 合作论文数量 |
---|---|
南京电子器件研究所 | 1 |
论文标题 | 基金名称 |
---|---|
金属/n型AlGaN欧姆接触 | 国家重点基础研究专项 |
用肖特基电容电压特性数值模拟法确定调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结中的极化电荷 | 国家重点基础研究专项 |
Pb(Zr0.53Ti0.47)O3/AlxGa1-xN/GaN异质结构的电容-电压特征(英文) | 国家自然科学基金资助项目 |
电容-电压法研究AlxGa1-xN/GaN异质结压电极化效应(英文) | 国家自然科学基金资助项目 |
光加热低压金属有机化学气相淀积生长AlGaN | 863计划国家自然科学基金资助项目 |
III族氮化物基的肖特基势垒二极管的研制 | 863计划 |
III族氮化物基的肖特基势垒二极管的研制 | 6980 60 0 6 |
III族氮化物基的肖特基势垒二极管的研制 | 699870 0 1)国家杰出青年基金 |
GaN基HFET的新进展 | 国家重点基础研究规划 |
肖特基C-V法研究AlxGa1-xN/GaN异质结界面二维电子气 | 国家重点基础研究专项基金 |
氮化镓注镁(Mg:GaN)的光致发光 | 国家重点基础研究专项资助项目 |
调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结中AlxGa1-xN势垒层表面态及其他局域态性质研究 | 国家重点基础研究专项基金 |
光加热金属有机物化学气相淀积生长氮化镓 | 国家863高技术计划国家攀登计划国家自然科学基金 |
金属-铁电体-GaN结构研究 | 国家重点基础研究规划项目 |
ZnAl2O4/α-Al2O3衬底上GaN的生长 | 国家重点基础研究规划 |
Si基GaN外延生长 | 国家863计划教育部博士点基金自然科学基金国家攀登计划南京市科委基金 |
基于银纳米薄膜欧姆接触的高波长选择性紫外探测器研究 | 国家重点研发计划项目 |
暂无荣誉成就信息
基于银纳米薄膜欧姆接触的高波长选择性紫外探测器研究
AlGaN/GaN异质结构欧姆接触的研制
Si衬底上横向外延GaN材料的微结构和光学性质的研究
ZnAl2O4/α-Al2O3衬底上GaN的MOCVD生长
Pb(Zr0.53Ti(0.47))O3/GaN结构的制备和电学性质研究
金属/n型AlGaN欧姆接触
用肖特基电容电压特性数值模拟法确定调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结中的极化电荷
Pb(Zr0.53Ti0.47)O3/AlxGa1-xN/GaN异质结构的电容-电压特征(英文)
电容-电压法研究AlxGa1-xN/GaN异质结压电极化效应(英文)
光加热低压金属有机化学气相淀积生长AlGaN
III族氮化物基的肖特基势垒二极管的研制
GaN基HFET的新进展
调制掺杂AlGaN/GaN异质结上的Pt肖特基接触
肖特基C-V法研究AlxGa1-xN/GaN异质结界面二维电子气
氮化镓注镁(Mg:GaN)的光致发光
调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结中AlxGa1-xN势垒层表面态及其他局域态性质研究
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