科研专业方向
研究领域：
半导体新材料制备与应用技术
研究方向：
(a)宽带隙半导体材料； (b)III族氮化物半导体光电子器件； (3)GaN基稀释磁性半导体
刘教授
教授
B类,C类
江苏南京市
科研重点分布
近年科研重点
2019
地质学 矿前期黄铁矿 LA-MC-ICP-MS S同位素 铀沉淀 相山铀矿田 高校化学实验室 安全教育培训2021
多囊卵巢综合征 雄激素类 受体雄激素 性腺甾类激素 反馈 神经系统科研产出增长曲线
历年科研产出
学科论文分布
无线电电子学：57
化学：32
物理学：30
工业通用技术及设备：10
高等教育：9
材料科学：8
环境科学与资源利用：4
有机化工：3
计算机软件及计算机应用：3
地质学：2
矿业工程：2
生物学：2
电信技术：2
计算机硬件技术：2
核科学技术：1
内分泌腺及全身性疾病：1
妇产科学：1
自然地理学和测绘学：1
农业基础科学：1
农艺学：1
金属学及金属工艺：1
机械工业：1
轻工业手工业：1
一般化学工业：1
互联网技术：1
总数:
135
展开
>
- 产学研合作
- 基金课题
- 荣誉&成就
- 科研成果
产学研合作
合作信息
| 合作单位 | 合作论文数量 |
|---|---|
| 江苏省光电信息功能材料重点实验室 | 11 |
| 江苏省光电功能材料重点实验室 | 4 |
| 国网山东省电力公司电力科学研究院 | 4 |
| 江苏省机动车尾气污染控制重点实验室 | 3 |
| 中国科学院上海技术物理研究所 | 3 |
| 介观化学教育部重点实验室 | 2 |
| 四川理工学院材料与化学工程系 | 2 |
| 重庆科技学院 | 2 |
| 南京电子器件研究所 | 2 |
| 合肥学院生物与环境工程系 | 2 |
| 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室 | 2 |
| 发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 2 |
| 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室 | 2 |
| 西安电子科技大学微电子学院宽带隙半导体技术国防重点学科实验室 | 2 |
| 中国原子能研究院同位素研究所 | 1 |
| 核工业二七〇研究所 | 1 |
| 中国地质大学地质过程与矿产资源国家重点实验室 | 1 |
| 西北大学化材学院 | 1 |
| 西北大学化学系 | 1 |
| 延安大学化学化工学院 | 1 |
| 核工业70研究所 | 1 |
| 江苏省土地开发中心 | 1 |
| 南京南源土地开发利用咨询有限公司 | 1 |
| 中国原子能研究院 | 1 |
| 南京微结构国家实验室（筹） | 1 |
| 江苏省光电信息功能材料实验室 | 1 |
| 南京工程学院基础部 | 1 |
| 香港中文大学电子工程系 | 1 |
| 美国西北大学材料科学工程系 | 1 |
| 南方科技大学电子与电气工程系 | 1 |
| 中山大学 | 1 |
| 吉林大学 | 1 |
| 吉林大学集成光电子学国家重点实验室 | 1 |
| 固体微结构物理国家重点实验室 | 1 |
| 中国科学院半导体研究所 | 1 |
| 半导体照明研发中心 | 1 |
| 中山大学计算机科学系 | 1 |
展开全部
基金课题
| 论文标题 | 基金名称 |
|---|---|
| CuO/Mn2O3/γ-Al2O3催化剂的制备、表征及其在CO氧化反应中的性能研究 | 国家自然科学基金 |
| 相山铀矿田黄铁矿微量元素、硫同位素特征及其地质意义 | 国家重点研发计划项目 |
| CO预处理对CuO/γ-Al2O3催化剂性能的影响 | 国家自然科学基金资助项目 |
| 胚胎发育期高雄激素诱导多囊卵巢综合征患者内分泌紊乱的中枢机制 | 国家自然科学基金 |
| 相山西部牛头山铅锌矿化体成矿物质来源：原位硫同位素的制约 | 国家重点研发计划项目深地资源勘查开采专项 |
| 生长温度对AlGaInN四元合金薄膜性质的影响 | 南京大学扬州光电研究院研发基金 |
| GaN微盘模式分布与强度研究 | 国家重点研发计划项目 |
| GaN纳米柱的量子效率研究 | 国家重点基础研究发展规划 |
| MOCVD生长的全组分InGaN材料 | 南京大学扬州光电研究院研发基金 |
| 阳极多孔氧化铝的斜孔形成过程及机理 | 国家重点基础研究发展规划 |
| 利用Ni纳米岛模板制备半极性晶面GaN纳米柱 | 国家重点基础研究发展规划 |
| MOCVD生长的全组分InGaN材料 | 南京大学扬州光电研究院研发基金 |
| AlGaN纳米柱光场强度的计算及其影响机制 | 国家重点基础研究发展计划 |
| 无电极光助化学腐蚀法制备GaN微/纳米结构及其物性研究 | 国家重点基础研究发展规划 |
| 采用高分辨XRD对m面GaN位错特性的研究 | 国家973重点基础研究项目 |
| a面GaN阴极荧光激发强度特性的研究 | 国家973重点基础研究项目 |
| GaN电感耦合等离子体刻蚀的优化和损伤分析 | 国家重点基础研究发展计划 |
| m面GaN平面内结构和光学各向异性研究 | 国家重点基础研究发展规划 |
| 厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响 | 国家重点基础研究发展计划 |
| 立式氢化物气相外延反应器生长GaN模拟研究 | 国家重点基础研究发展计划 |
| 阴极荧光联合分析系统在III族氮化物研究中的应用 | 国家重点基础研究发展规划 |
| InN材料及其应用 | 国家重点基础研究发展规划资助项目 |
| 厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响 | 国家重点基础研究发展计划 |
| n型GaN薄膜输运性质与发光研究 | 国家重点基础研究发展计划 |
| 两步法生长氮化铝中缓冲层和外延层工艺研究 | 国家重点基础研究发展规划973项目 |
| MOCVD制备InN薄膜的光学性质 | 国家重点基础研究发展规划 |
| MOCVD制备InN薄膜的光学性质 | 国家重点基础研究发展规划 |
| 利用金属有机物化学气相沉积技术生长的a面GaN表面形貌和位错的研究 | 国家重点基础研究发展计划 |
| 利用金属有机物化学气相沉积技术生长的a面GaN表面形貌和位错的研究 | 2006AA03A142）国家自然科学基金 |
| 利用金属有机物化学气相沉积技术生长的a面GaN表面形貌和位错的研究 | 60676057 |
| 利用金属有机物化学气相沉积技术生长的a面GaN表面形貌和位错的研究 | 60731160628 |
| 利用金属有机物化学气相沉积技术生长的a面GaN表面形貌和位错的研究 | 60820106003）江苏省自然科学基金 |
| AlN钝化层对AlGaN/GaN异质结及其高温特性的影响 | 国家自然科学基金 |
| 一维AlN纳米结构制备进展 | 国家重点基础研究发展规划 |
| AlxGa1-xN/AlN超晶格材料特性研究 | 国家重点基础研究发展计划 |
| PECVD法氮化硅薄膜生长工艺的研究 | 国家重点基础研究发展规划 |
| AlxGa1-xN/AlN超晶格材料特性研究 | 国家重点基础研究发展计划 |
| AlN/Si（111）衬底上4H-SiC的CVD外延生长研究 | 国家自然科学基金 |
| AlN钝化层对AlGaN/GaN异质结及其高温特性的影响 | 国家自然科学基金 |
| 薄膜材料研究中的XRD技术 | 国家重点基础研究发展规划973 |
| GaN纳米线材料的特性和制备技术 | 国家重点基础研究发展规划项目 |
| InN纳米线材料的特性和制备技术 | 国家重点基础研究发展规划资助项目 |
| 用于紫外探测器DBR结构的高质量AlGaN材料MOCVD生长及其特性研究 | 国家重点基础研究发展规划 |
| MOCVD生长的InN薄膜中In分凝现象 | 国家自然科学基金 |
| 在MOCVD系统中用预淀积In纳米点低温下合成生长InN | 国家重点基础研究发展规划 |
| InN薄膜的退火特性 | 国家重点基础研究发展规划 |
| In2O3纳米线制备及其特性 | 国家重点基础研究发展规划 |
| AlGaN基共振腔增强的p-i-n型紫外探测器 | 国家重大基础研究 |
| AlGaN/GaN分布布拉格反射镜的设计与表征 | 国家自然科学基金项目 |
| 用氢化物气相外延（HVPE）法生长的氮化铟薄膜的性质研究 | 973计划 |
| 用氢化物气相外延（HVPE）法生长的氮化铟薄膜的性质研究 | 973计划 |
| 石墨烯上生长GaN纳米线的研究 | 国家973计划项目 |
| 紫外波段SiO2/Si3N4介质膜分布式布拉格反射镜的制备与研究 | 国家重点基础研究发展计划 |
| GaN基纳米阵列LED器件制备及发光特性 | 国家重点研发计划 |
| 富In组分的InGaN合金组分及温度对声子模特性的影响 | 国家重点基础研究发展计划资助项目 |
| 基于蓝绿光Micro-LED的可见光通信芯片调制带宽研究 | 国家重点研发计划项目 |
| 背势垒对InAlN/GaN异质结构中二维电子气的影响 | 国家重点基础研究发展计划 |
| InN的光致发光特性研究 | 国家重点基础研究发展计划 |
| 紫外波段SiO2/Si3N4介质膜分布式布拉格反射镜的制备与研究 | 国家重点基础研究发展计划 |
| 新型电极材料石墨烯在LED中的应用 | 国家973计划 |
| 表面等离激元半导体纳米激光器 | 国家重点研发计划 |
| InGaN/GaN薄膜的阴极荧光研究 | 国家重点基础研究发展规划 |
| 大失配、强极化第三代半导体材料体系生长动力学和载流子调控规律 | 国家重点研发计划 |
| 大失配、强极化第三代半导体材料体系生长动力学和载流子调控规律 | 国家重点研发计划 |
| 红橙光InGaN/GaN量子阱的结构与光学性质研究 | 国家重点基础研究发展规划 |
| 利用X射线衍射研究Mg掺杂的InN的快速退火特性 | 国家973计划 |
| 纳米压印技术在LED器件制备中的应用 | 国家973计划 |
| GaN薄膜中的马赛克结构随厚度发生的变化 | 国家重点基础研究发展计划 |
| 碳化硅薄膜的力学性能理论研究 | 国家重点研发计划项目 |
| 碳化硅薄膜的力学性能理论研究 | 国家重点研发计划项目 |
| LPCVD法在GaN上生长Ge薄膜及其特性（英文） | supported by special funds for major state basic research project |
| 互联网上的文本信息采掘 | 国家自然科学基金部分资助 |
展开全部
荣誉&成就
博士论文获得全国优秀博士论文提名奖。
2010年获得霍英东教育基金会青年基金资助，
2012年获得教育部新世纪优秀人才计划支持，
2014年获得国家自然科学基金委优秀青年基金，
2016年获教育部青年长江学者。
科研成果
- 期刊论文
- 技术成果
- 专利
液氮温区182WMssbauer实验
前言
基于镍基催化剂合成与表征的化学实验设计
胚胎发育期高雄激素诱导多囊卵巢综合征患者内分泌紊乱的中枢机制
Micro-LED：下一代VR/AR技术候选者
氮化镓基Micro-LED显示技术研究进展
相山铀矿田黄铁矿微量元素、硫同位素特征及其地质意义
高校化学实验室安全教育培训体系构建
基于课立方系统的大学化学实验教学模式改革实践
化学实验室玻璃仪器管理工作的改进与拓展
重金属化学试剂的回收再利用——以“三氯化六氨合钴实验”为例
工科《大学物理》课程PBL教学方案初探
问题导向式教学在基础化学实验课堂中的应用——以“探讨二草酸合铜酸钾中铜离子测定条件”为例
相山西部牛头山铅锌矿化体成矿物质来源：原位硫同位素的制约
基于土壤肥力的江苏省耕作层土壤剥离分区与深度确定
大失配、强极化第三代半导体材料体系生长动力学和载流子调控规律
大失配、强极化第三代半导体材料体系生长动力学和载流子调控规律
碳化硅薄膜的力学性能理论研究
大学化学实验教学改革的探讨与研究
5S管理在高校化学实验室管理中的应用
用氢化物气相外延（HVPE）法生长的氮化铟薄膜的性质研究
InN的光致发光特性研究
利用X射线衍射研究Mg掺杂的InN的快速退火特性
纳米压印技术在LED器件制备中的应用
GaN薄膜中的马赛克结构随厚度发生的变化
CuO/Mn2O3/γ-Al2O3催化剂的制备、表征及其在CO氧化反应中的性能研究
CuO/Mn2O3/γ-Al2O3催化剂的制备、表征及其在CO氧化反应中的性能研究
N,N’-（二甲基羧酸）亚胺基甲基次膦酸的钴、铜化合物:超分子层状结构和磁学性质
MOCVD生长富In组分InGaN合金及表面电化学处理提高InGaN光电极转换效率
紫外波段SiO2/Si3N4介质膜分布式布拉格反射镜的生长与研究
紫外波段SiO2/Si3N4介质膜分布式布拉格反射镜的制备与研究
MOCVD生长温度对InGaN薄膜性质的影响
铈基复合氧化物负载CuO催化剂的制备及其催化消除NO性能研究
Au与CeO2氧空位协同效应对CO氧化活性的影响
InGaN/GaN薄膜的阴极荧光研究
红橙光InGaN/GaN量子阱的结构与光学性质研究
CeO2形貌和晶面效应对CuO/CeO2催化还原NO性质的影响
比较AAO和SiO2薄膜对InGaN/GaN MQW出光效率的影响
立式氢化物气相外延反应器生长GaN模拟研究
GaN的HVPE生长研究
琥珀色InGaN基多量子阱的制备及其性能表征
自旋发光二极管原型器件的设计和制备
同质衬底和蓝宝石上生长的InGaN/GaN量子阱的发光特性
PECVD法氮化硅薄膜生长工艺的研究
AlGaN薄膜和AlGaN/AlN超晶格结构横向/纵向生长及应变状态研究
负载型催化剂的表面相互作用及其在大气分子污染物（NO、CO）消除中的应用基础研究
不同载体负载CuO及其在NO+CO反应中吸附性质研究
不同前驱体制备CuO-CoxOy/γ-Al2O3催化剂在“NO+CO”中的反应性能研究
不同铈锆比对CuO/CexZr1-xO2/γ-Al2O3催化活性的影响
MOCVD生长的全组分InGaN材料
采用高分辨XRD确定AlxGa1-xN/GaN异质结的应变状态
厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响
利用金属有机物化学气相沉积技术生长的a面GaN表面形貌和位错的研究
薄膜材料研究中的XRD技术
焙烧温度对CuO在γ-Al2O3载体上的分散和催化CO完全氧化性能的影响
负载型催化剂的表面相互作用及其在大气分子污染物（NO、CO）消除中的应用基础研究
采用高分辨XRD对m面GaN位错特性的研究
a面GaN阴极荧光激发强度特性的研究
m面GaN平面内结构和光学各向异性研究
阴极荧光联合分析系统在III族氮化物研究中的应用
n型GaN薄膜输运性质与发光研究
MOCVD外延生长R面宝石基A面GaN及Ⅴ/Ⅲ比研究“生长与表征分会场”
AlN钝化层对AlGaN/GaN异质结及其高温特性的影响
AlxGa1-xN/AlN超晶格材料特性研究
AlN/Si（111）衬底上4H-SiC的CVD外延生长研究
湿法化学腐蚀研究GaN薄膜中的位错
MOCVD生长的a面GaN表面形貌和位错的研究
Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料制备和特性研究
MOCVD外延生长a面GaN薄膜及其面内各向异性研究
MO（M=Cu和Ni）/TiO2/γ-Al2O3催化剂在CO+O2反应中的活性
添加CuO（或NiO）对负载MoO3的催化剂表面酸性的影响
V2O5的引入对CO在CuO/Ti0.5Sn0.5O2催化剂表面的吸附及氧化反应性质的影响
CO在CuO/CexZr1-xO2表面的吸附及其完全氧化反应
CO预处理对CuO/γ-Al2O3催化剂性能的影响
CO预处理对CuO/γ-Al2O3催化剂性能的影响
MOCVD制备InN薄膜的光学性质
利用MOCVD设备生长Mn掺杂GaN稀释磁性半导体材料
一维AlN纳米结构制备进展
MOCVD技术生长的InN薄膜结构和光学性质
宽禁带半导体自旋电子材料研究
P型AlxGa1-xN（0≤x≤0．31）薄膜光电学性质研究
不同钝化介质层对AlGaN/GaN异质结构高温性质的影响
AlxGa1-xN/AIN超晶格材料的结构和光学特性
GaN基共振腔增强型紫外探测器的研究
C面宝石基MOCVD生长的InN薄膜的In分凝现象的研究
乳品有机废水产气条件优化
海洋真菌Asteromycessp.TM76木聚糖酶生产初步研究
新型杂多阴离子[{Na2（H2O）3}Ni（H2O）VOAs4W40O140]21-的结构及表征
废旧锌锰干电池回收利用的探讨
USB2.0及基于多芯片的外设端通用模块设计
Linux用户空间打印机驱动程序的设计与实现
互联网上的文本信息采掘
Linux中SoftwareRAID驱动程序的机制分析
WindowsNT4.0非标准打印机Mini驱动程序的实现方法
Mg3129mTeO6穆斯堡尔源的研制
微波辐射下酯的还原
选择性氧化剂-苯并咪唑重铬酸复合物的合成与表征
丝裂霉素C诱发大鼠外周血G0期淋巴细胞核损伤指标的比较观察
高效液相色谱法测定精氨酸催产素及其酶催化降解产物
蟾蜍脑突触质膜对精氨酸-催产素（AVT）的酶促转化
高灵敏III族氮化物半导体紫外探测技术
Ⅲ族氮化物半导体极化和缺陷研究
胆固醇生物传感器及其制备方法
基于Mxene-AlInGaN异质结的自驱动紫外光探测器及其制备方法
制备高发光效率AlGaN纳米柱LED结构的方法
Micro-LED巨量转移方法
一种低压电场耦合导电超滤膜原位抗膜污染的方法
多色堆叠台阶式背出光Micro-LED显示器件及其制备方法
激光辅助MPCVD法增强单晶金刚石SiV色心的应用及具有SiV色心的单晶金刚石
铁薄膜在辅助剥离金刚石多晶薄膜中的应用
减缓卤化物气相外延生长系统中管壁沉积氮化镓的方法及卤化物气相外延生长系统
高效制备氮化镓衬底的方法
制备低应力GaN薄膜的方法
高速InGaN多量子阱微纳LED发光器件阵列及其制备工艺
提高功率肖特基二极管反向耐压的器件外延结构的器件及其制备方法
基于氮化镓纳米孔阵列/量子点混合结构的全色微米LED显示芯片及其制备方法
基于氮化镓纳米孔阵列/量子点混合结构的全色微米LED显示芯片及其制备方法
分子束外延生长蓝宝石基AlGaN/GaN异质结结构的方法
一种控制GaN纳米线结构与形貌的分子束外延生长方法
用于透明显示的GaNMicro-LED阵列器件及其制备方法
基于深硅刻蚀模板量子点转移工艺的微米全色QLED阵列器件及其制备方法
利用InN保护层降低HEMT器件界面态的再生长方法及HEMT器件
利用MBE再生长的横向结构GaN基JFET器件及其制备方法
利用表面等离激元增强LED光通信器件及其制备方法
具有非极性、半极性面的图形蓝宝石衬底、可见光通信光源及其制备方法
基于III族氮化物半导体的Micro-LED阵列器件及其制备方法
制备自支撑GaN衬底的自分离方法
制备GaN衬底的自分离方法
多孔网状结构GaN单晶薄膜、其制备方法及应用
PA-MBE同质外延高质量GaN单晶薄膜的制备方法
PA-MBE同质外延高质量GaN单晶薄膜的制备方法
基于III族氮化物半导体量子点的混合型RGB微米孔LED阵列器件及其制备方法
基于III族氮化物半导体/量子点的混合型RGB微米孔LED阵列器件及其制备方法
采用分子束外延技术生长用于缓解/消除铝镓氮薄膜表面裂纹的超晶格插入层的方法
采用分子束外延技术生长用于缓解/消除铝镓氮薄膜表面裂纹的超晶格插入层的方法
一种利用极化调控提高InGaN/GaN材料多量子阱太阳能光电化学电池效率的方法
全色型Micro-LED器件及其制备方法
具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件及其制备方法
具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件及其制备方法
背电极通孔UVC半导体发光二极管及其制备方法
基于步态的可穿戴设备用户识别方法及系统
AlGaN异质结纳米柱阵列发光器件及其制备方法
AlGaN异质结纳米柱阵列发光器件及其制备方法
GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器及其制备方法
在化合物半导体表面制作纳米图形的方法
一种立式氢化物气相外延生长系统
Si#CMOS阵列驱动电路控制的GaN基可见光微米柱阵列LED器件及其制备方法
表面等离激元增强InGaN／GaN偏振出光LED及其制备方法
表面等离激元增强InGaN/GaN偏振出光LED及其制备方法
一种有向充电器的布置方法
III族氮化物半导体/量子点混合白光LED器件及其制备方法
InGaN/GaN多量子阱单纳米柱LED器件及其制备方法
InGaN/GaN多量子阱单纳米柱LED器件及其制备方法
一种改善电流扩展的半导体器件
一种布拉格反射镜增强InGaN电极、制备与利用
一种布拉格反射镜增强InGaN电极、制备与利用
一种利用紫外软压印制备有序氮化镓纳米柱阵列的方法
一种利用紫外软压印制备有序氮化镓纳米柱阵列的方法
基于SiO＆lt;sub＆gt;2＆lt;/sub＆gt;/Si＆lt;sub＆gt;3＆lt;/sub＆gt;N＆lt;sub＆gt;4＆lt;/sub＆gt;分布式布拉格反射镜的紫外带通滤波器及
ICP刻蚀GaN基多量子阱制备纳米阵列图形的方法
ICP刻蚀GaN基多量子阱制备纳米阵列图形的方法
一种干法腐蚀去除电池极片毛刺的方法
一种制备高密度氮化镓量子点有源层结构的方法
铟镓氮基光电极的表面处理方法
提高铝掺入效率获得高铝组分铝镓氮合金的生长方法
一种Fe＆lt;sub＆gt;3＆lt;/sub＆gt;N材料的生长方法
一种宽光谱白光LED结构及生长方法
一种GaN基量子阱红光LED结构的生长方法
一种非极性面InN材料的生长方法
一种可见光铟镓氮基光电化学电池及制备方法
低温水热合成有机膦酸类锂电池正极材料Li＜sub＞x＜/sub＞M＜sub＞m＜/sub＞R（PO＜sub＞3＜/sub＞）＜sub＞n＜/sub＞
铌酸锂/Ⅲ族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法及应用
GaMnN稀释磁性半导体薄膜材料的制备方法及其应用
生长非极性面GaN薄膜材料的方法及其用途
通过气相传输法制备InN纳米线和纳米棒的方法
半导体材料生长设备的独立MO源管路及应用
用于半导体材料气相淀积生长系统的氮源离化方法和装置
一种用于MOCVD系统的双层气流石英整流罩反应室装置
一种Fe掺杂生长GaFeN稀释磁性半导体的方法及其用途
提高Ⅲ族氮化物发光效率的LED量子阱结构及其生长方法
具有宽谱光发射功能的半导体发光器件的结构及制备方法
氮化镓基共振腔增强型紫外光电探测器及制备方法
太阳光紫外线指数监测的微型探测装置
InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜及制备方法
染料敏化太阳电池的抗衰老封装方法
染料敏化太阳能电池转换效率及单波长量子效率测量方法
染料敏化纳晶薄膜太阳能电池高孔隙柔性碳对电极及制备方法
新型半导体材料铟镓氮表面势垒型太阳电池及其制备方法
铟镓氮外延薄膜及生长方法和在太阳能电池的应用
用于紫外探测器的高反射率分布布拉格反射镜结构和生长方法
AlGaN基共振增强单色紫外探测器结构和生长方法
一种a面和m面GaN薄膜材料的控制生长方法
一种生长高结晶氮化铟单晶外延膜的方法
一种m面InGaN/GaN量子阱LED器件结构的生长方法
在β三氧化二镓衬底上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法
展开全部
数据信息来源于网络，若有侵权请联系客服