科研专业方向
研究领域：
新材料
研究方向：
光电材料与器件方面
董老师
创新人才
山西太原市
科研重点分布
近年科研重点
2021
ZnO纳米棒 共同掺杂 光学性质 水热法2022
大功率半导体激光器 砷化镓（GaAs） 输出功率 电光转换效率 光束质量 寿命与可靠性 GaN基蓝光激光二极管 电子阻挡层科研产出增长曲线
历年科研产出
学科论文分布
无线电电子学：13
化学：9
物理学：7
无机化工：3
工业通用技术及设备：1
材料科学：1
总数:
24
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- 产学研合作
- 基金课题
- 荣誉&成就
- 科研成果
产学研合作
合作信息
| 合作单位 | 合作论文数量 |
|---|---|
| 陕西科技大学材料原子·分子科学研究所 | 7 |
| 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 | 4 |
| 山西省新材料工程技术研究中心 | 2 |
| 山西浙大新材料与化工研究院 | 2 |
| 材料科学与工程学院 | 1 |
| 航天科工防御技术研究试验中心 | 1 |
| 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 1 |
| 山西烁科晶体有限公司 | 1 |
| 北京工业大学激光工程研究院 | 1 |
| 陕西科技大学材料原子分子科学研究所 | 1 |
| 山西飞虹激光科技有限公司 | 1 |
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基金课题
| 论文标题 | 基金名称 |
|---|---|
| TMIn流量对GaN基蓝光LED外延薄膜的影响 | 国家自然科学基金 |
| 不同醇对溶剂热法制备氧化亚铜形貌的影响 | 山西省自然科学基金资助项目 |
| 溶剂热法制备不同微米结构的氧化亚铜 | 山西省回国留学人员重点资助项目 |
| GaAs基大功率半导体激光器的研究进展 | 国家自然科学基金 |
| GaAs基大功率半导体激光器的研究进展 | 21972103 |
| GaAs基大功率半导体激光器的研究进展 | 61604104 |
| GaAs基大功率半导体激光器的研究进展 | 51672185）国家重点研发计划 |
| GaAs基大功率半导体激光器的研究进展 | 201801D121101 |
| GaAs基大功率半导体激光器的研究进展 | 201901D111111 |
| GaAs基大功率半导体激光器的研究进展 | 201901D211090 |
| GaAs基大功率半导体激光器的研究进展 | 201601D202029）山西省重点研发项目 |
| 电子阻挡层Al组分对GaN基蓝光激光二极管光电性能的影响 | 国家自然科学基金 |
| 一维TiO2亚波长光栅的衍射异常现象及其结构设计 | 国家自然科学基金 |
| GaN基薄膜材料对器件光电性能的影响研究 | 国家自然科学基金 |
| p型4H-SiC单晶衬底表征及第一性原理计算 | 山西省重点研发项目 |
| Ag和Cu共掺对ZnO纳米棒形貌和光学性质的影响 | 国家自然科学基金 |
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荣誉&成就
暂无荣誉成就信息
科研成果
- 期刊论文
- 专利
980nm渐变双波导激光二极管及其光电性能研究
AlGaInN/InGaN应变补偿DBR结构设计
GaAs基大功率半导体激光器的研究进展
电子阻挡层Al组分对GaN基蓝光激光二极管光电性能的影响
一维TiO2亚波长光栅的衍射异常现象及其结构设计
p型4H-SiC单晶衬底表征及第一性原理计算
GaAs基大功率半导体激光器的研究进展
Ag和Cu共掺对ZnO纳米棒形貌和光学性质的影响
n波导层铟组分对GaN基绿光激光二极管光电性能的影响
GaAs基980nm高功率半导体激光器的研究进展
TMIn流量对GaN基蓝光LED外延薄膜的影响
中高温GaN插入层厚度对蓝光LED光电性能的影响
Ag/ZnO/ZnSe三元异质结的合成及其可见光光催化性能
ZnO/ZnSe复合纳米结构的制备及可见光光催化性能
ZnO/In2O3纳米异质结的合成及其光催化性能的研究
花状CuInSe2微晶的溶剂热合成与表征
ZnO/NiO纳米异质结的合成及其光催化性能的研究
GaOOH和Ga2O3的制备及光学性能研究
β-Ga2O3∶Dy3+荧光粉的快速制备及光学性能研究
Ag/ZnS核壳结构纳米棒的制备及其光催化性能分析
GaN薄膜的两步法制备及其物性转变的研究
溶剂热法制备不同微米结构的氧化亚铜
不同醇对溶剂热法制备氧化亚铜形貌的影响
GaN基薄膜材料对器件光电性能的影响研究
一种光激活动态长寿命磷光材料及其应用
一种在金刚石衬底上制备闪锌矿GaN薄膜的方法
一种在金刚石衬底上制备闪锌矿GaN薄膜的方法
一种利用SiO2作为衬底制备非极性a面GaN外延层的方法
一种利用SiO2作为衬底制备非极性a面GaN外延层的方法
一种高性能GaN基发光二极管结构及其制备方法
一种高性能GaN基发光二极管结构
一种高性能GaN基发光二极管结构
边发射激光器光束整形结构、激光器芯片及其制备方法
一种纳米线激光器外延结构及其制备方法
边发射激光器光束整形结构及激光器芯片
一种纳米线激光器外延结构
边发射激光器光束整形结构及激光器芯片
一种纳米线激光器外延结构
脊型量子阱/量子点有源区的激光器结构及其制备方法
脊型量子阱/量子点有源区的激光器结构
脊型量子阱/量子点有源区的激光器结构
InGaN量子点发光二极管及其制备方法
基于超晶格势垒量子阱结构的LED及其制备方法
一种非对称双波导结构的激光二极管及其制备方法
一种非对称双波导结构的激光二极管
一种非对称双波导结构的激光二极管
基于GaN六棱台阵列的全彩发射LED外延结构及制备方法
一种烷基溴代咔唑衍生物室温磷光材料及其制备和应用
一种烷基溴代咔唑衍生物室温磷光材料及其制备和应用
一种在二维石墨衬底上制备GaN薄膜的方法
一种在非晶态SiO2衬底上生长GaN薄膜的方法
一种在非晶态SiO2衬底上生长GaN薄膜的方法
半导体激光器腔面的钝化方法及半导体激光器
一种高性能的绿光二极管多量子阱结构及其制备方法
一种高性能的绿光二极管多量子阱结构
一种高性能的绿光二极管多量子阱结构
外延自组装高温生长GaN阵列的制备方法
外延自组装高温生长GaN阵列的制备方法
一种纳米多孔GaN结构及其制备方法
一种高质量GaN薄膜及其制备方法
一种高质量GaN薄膜及其制备方法
一种具有应变减少结构的量子阱绿光LED外延结构
一种含有应变调制结构的InGaN/GaN多量子阱结构
一种含有应变调制结构的多层InGaN量子点结构
一种具有应变减少结构的量子阱绿光LED外延结构
一种含有应变调制结构的InGaN/GaN多量子阱结构
一种含有应变调制结构的多层InGaN量子点结构
一种含有应变补偿结构的GaN基量子阱LED外延结构
一种具有应变补偿结构的InGaN量子点LED外延结构
一种含有应变补偿结构的GaN基量子阱LED外延结构
一种具有应变减少结构的InGaN量子点LED外延结构
倒装LED芯片及LED显示装置
砷化镓激光巴条
一种基于3D打印的GaAs基边发射激光器制备方法
一种基于3D打印的AlGaInP反极性发光二极管制备方法
应变平衡有源区梯度势阱层半导体激光器结构
应变平衡有源区梯度势阱层半导体激光器结构
应变平衡有源区梯度势阱层半导体激光器结构
无铝半导体激光器结构
一种InGaN基多量子阱结构及其制备方法
氧化锌/氧化亚铜异质结的制备方法
氧化锌/氧化亚铜异质结的制备方法
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