科研专业方向
研究领域:
节能与新能源用材料制备技术
研究方向:
材料科学与工程,材料物理,低维无机非金属材料
研究领域:
节能与新能源用材料制备技术
研究方向:
材料科学与工程,材料物理,低维无机非金属材料
合作单位 | 合作论文数量 |
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山东华光光电子有限公司 | 27 |
国网山东省电力公司电力科学研究院 | 10 |
山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 6 |
国家电网有限公司 | 6 |
山东华光光电子股份有限公司 | 5 |
济南大学物理科学与技术学院 | 5 |
中国科学技术大学国家同步辐射实验室 | 5 |
全球能源互联网(山东)协同创新中心 | 3 |
山东天岳晶体材料有限公司 | 3 |
晶体材料国家重点实验室 | 2 |
中国工程物理研究院流体物理研究所 | 2 |
济南金刚石科技有限公司 | 2 |
专用集成电路国家级重点实验室 | 2 |
中国电子科技集团公司第十三研究所 | 2 |
齐鲁工业大学(山东省科学院)材料科学与工程学院 | 2 |
中山大学物理科学与工程技术学院 | 2 |
北京高能物理研究所同步辐射实验室 | 2 |
山东省产品质量监督检验研究院 | 2 |
广州南砂晶圆半导体技术有限公司 | 2 |
清华大学精密仪器系精密测试技术及仪器国家重点实验室 | 1 |
山东医科大学 | 1 |
北京大学 | 1 |
中国科学院半导体研究所 | 1 |
中兴通讯股份有限公司 | 1 |
南开大学物理科学学院和泰达应用物理学院 | 1 |
弱光非线性光子学教育部重点实验室 | 1 |
齐鲁师范学院物理系 | 1 |
山东师范大学物理与电子科学学院 | 1 |
浪潮集团山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 1 |
青岛大学物理科学学院 | 1 |
青岛大学山东省高校光子学材料与技术重点实验室 | 1 |
北京工业大学激光工程研究院国家产学研激光技术中心 | 1 |
嘉兴学院 | 1 |
浙江省质量检测科学研究院 | 1 |
中国科学院高能物理研究所同步辐射实验室 | 1 |
中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 1 |
淄博学院数理系 | 1 |
千叶大学大学院工学研究科 | 1 |
中国科学院合肥智能机械研究所 | 1 |
淮北煤炭师范学院物理与电子信息学院 | 1 |
河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室 | 1 |
中国矿业大学 | 1 |
中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心 | 1 |
中国工程物理研究院电子工程研究所 | 1 |
纽约州立大学石溪分校材料科学与工程系 | 1 |
中国科学院光化学转换和功能材料重点实验室(理化技术研究所) | 1 |
山东省质量技术审查评价中心 | 1 |
山东浪潮华光光电子有限公司 | 1 |
山东师范大学调试中心 | 1 |
南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室 | 1 |
山东科技大学机械系 | 1 |
山东科技大学 | 1 |
中电科技德清华莹电子有限公司 | 1 |
论文标题 | 基金名称 |
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新型BiB3O6晶体高效和频产生355nm紫外激光 | 教育部骨干教师计划项目国家自然科学基金 |
同步辐射白光形貌术观察SiC单晶中的微小多型结构 | 国家高技术研究发展计划 |
立方氮化铝纳米晶的溶剂热合成及其对二甲苯催化性质的研究 | 国家自然科学基金 |
大直径6H-SiC单晶的生长 | 国家863计划国家自然科学基金 |
"国家杰出青年基金获得者"
单晶金刚石声子非简谐衰减效应研究
GaN单晶的HVPE生长与掺杂进展
基于钠助熔剂法的GaN单晶生长研究进展
高温退火对PVT法生长的AlN晶体质量的影响(英文)
荧光法测定半导体禁带宽度
砷化镓光导开关的损伤形貌研究
碳化硅单晶位错研究进展
高温高压与CVD金刚石单晶衬底质量对比研究
SiC单晶生长初期表面台阶及微管特性
8英寸导电型4H-SiC单晶的生长
晶格畸变检测仪研究碳化硅晶片中位错缺陷分布
高可靠性无铝有源层808nm半导体激光器泵浦源
用于MPCVD金刚石薄膜生长的高表面质量HTHP金刚石的制备
研晶育人一生无悔——深切缅怀蒋民华先生
半绝缘碳化硅单晶衬底的研究进展
近圆形光斑650nm半导体激光器的设计及制备
宽禁带碳化硅单晶衬底及器件研究进展
第3代半导体材料在5G通讯领域的发展与机遇
锗氮共掺碳化硅晶体杂质浓度表征及其电学性质研究
大功率640nm红光半导体激光器的设计及制备
808nm连续输出13.6W单芯片大功率激光器
高可靠性瓦级660nm半导体激光器研制
物理气相传输法生长碳化硅单晶原生表面形貌研究
宽禁带SiC单晶衬底研究进展
安防领域激光主动照明技术现状与展望
六方相纤锌矿硫化锌微球的制备及性能研究
光电化学刻蚀方法去除SiC衬底外延石墨烯缓冲层及其表征
Ge掺杂碳化硅晶体的生长缺陷
6H-SiC单晶的激光刻蚀及光谱分析(英文)
半导体激光器结温的测试及分析(英文)
SiC衬底上近自由态石墨烯制备及表征的研究进展
高质量半绝缘φ150mm4H-SiC单晶生长研究
氧化铟锡纳米晶须的VLS自组装生长研究
升华法生长碳化硅单晶原生小面的宏观形态与微观形貌研究
金刚石微粉对SiC机械抛光的影响研究
高质量N型SiC单晶生长及其器件应用
高分辨X射线衍射表征氮化镓外延层缺陷密度
烧结温度对AuSn焊料薄膜及封装激光器性能的影响
SiC高折射率材料作为选频晶体单纵模激光器的研究(英文)
4H-SiC的强氧化液化学机械抛光(英文)
SiC衬底上外延石墨烯的氢插入及表征
光纤微透镜侧面镀膜方法和应用的研究
生长条件对AlGaN/GaNHEMT势垒层表面形貌及二维电子气迁移率的影响(英文)
MOCVD生长的GaN基LED的应力分析(英文)
共聚碳纳米点杂化材料及其光转换白光LED研究
大直径高质量多色合成碳化硅宝石研究
Al2O3纳米线的择优取向生长
加工工艺对SiC单晶衬底面形参数的影响
纳米技术突破带动LED照明产业发展
n型SiC极性面对欧姆接触性质的影响
大功率660nm半导体激光器的电流电压特性
局域耦合效应在GaInP太阳电池中的应用
静电纺丝技术制备三维纳米结构研究进展
76%光电转换效率梯度渐变折射率结构940nm半导体激光器(英文)
Ti掺杂6H-SiC电学性质研究
泡生法生长蓝宝石晶体中的气泡分布(英文)
物理气相传输法制备SiC单晶中碳包裹物研究(英文)
高纯半绝缘4H-SiC单晶的生长
SiC衬底上生长的GaN外延层的高分辨X射线衍射分析
AlGaN成核层对SiC衬底外延GaN薄膜应力及缺陷影响的研究
关于InGaN/GaN多量子阱结构内量子效率的研究
6H-SiC的飞秒激光超衍射加工
不同体色淡水养殖珍珠的结构特征研究
同步辐射白光形貌术定量计算晶体的残余应力
彩色合成碳硅石的鉴定特征
半绝缘SiC单晶生长和表征
MOCVD生长GaAsP/InGa(Al)P/GaAs大功率808nm张应变量子阱激光器材料
SiC单晶中生长缺陷的研究进展
山东省半导体照明材料发展报告
808nm无Al量子阱激光器mini阵列的研制
反向击穿电压对GaN基LED成管可靠性的影响分析
碳化硅晶体的可见近红外透射光谱分析
基于6H-SiC衬底外延石墨烯的被动锁模掺镱光纤激光器
超强磁场下非掺杂ZnSe/BeTeⅡ型量子阱中激子和带电激子的光学特性
不同极性6H-SiC表面石墨烯的制备及其电子结构的研究
蓝绿光LED管芯表面钝化膜特性的研究
电子束蒸发技术制备ITO薄膜表面形貌研究
退火对6H-SiC晶体的光学性质及光致发光的影响
ITO掩膜干法粗化GaP提高红光LED的提取效率
以(10■5)面为籽晶的6H-SiC单晶生长与缺陷研究
4H-SiC晶体表面形貌和多型结构变化研究
湿法腐蚀制备蓝宝石图形衬底的研究
ZnSe/BeTeⅡ型量子阱中界面结构对发光特性的影响
退火时间对6H-SiC(0001)表面外延石墨烯形貌和结构的影响
4.8 W连续输出大功率红光半导体激光器的研制
湿法腐蚀制备柱状与锥状图形衬底的研究
非对称量子垒提高InGaN QW效率的理论模拟
AIInN生长条件对表面形貌和In组分的影响
SiC衬底GaN蓝光LED性能分析
SiC衬底上GaN基的材料生长及器件研究
Mg掺杂AlInP限制层窗口结构高功率(3.7W)660nmAlGaInP宽面半导体激光器
6H-SiC成核表面形貌与缺陷产生的研究
4H-SiC晶体表面形貌和缺陷
SiC衬底上MOCVD法外延GaN基蓝光LED
硅粉形貌对人工合成高纯碳化硅粉料的影响
透射电子显微术和高分辨X射线衍射技术研究AlN单晶生长习性
Mn/6H-SiC(0001)界面的同步辐射光电子能谱研究
6H-SiC单晶表面ZnO薄膜的制备及其结构表征
6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构制备及其发光特性
高分辨电子显微术观察6H-SiC单晶中的层错
大直径4H-SiC单晶衬底材料
大尺寸半导体SiC单晶衬底材料
一种高功率增益截止频率的InAlN/GaNHEMT及其制备方法
一种高可靠AlGaN/GaNHEMT及其制备方法
一种基于混合气体退火的InAlN/GaNHEMT的制备方法
一种一步烧结高质量氮化铝原料的方法
一种亚表面无损伤氮化镓晶片的加工工艺
一种局域无电子沟道区场效应晶体管增强型器件结构及其制备方法
一种AlN单晶生长过程中低埚位防沉积的方法
一种PVT感应炉膛下测温孔防堵塞装置
一种切割不规则半导体晶体的预处理方法
一种SiC单晶衬底及其制备方法与应用
一种碳化硅单晶生长方法及碳化硅单晶
一种蓝宝石模板上GaN单晶衬底高温激光剥离装置及剥离方法
一种低成本、高产率SiC单晶的生长方法
一种调控紫外光电探测器光响应性能的方法
一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法
一种实现金刚石单晶衬底表面取向的方法
一种低压化学气相沉积生长氧化镓薄膜的方法
一种重掺杂p型SiC晶片缺陷的检测方法
低电阻率P型4H-SiC单晶及制备方法
一种鉴别SiC中缺陷的方法
金刚石籽晶制备方法、金刚石籽晶及单晶
一种具有渐变Al组分AlGaN导电层的发光二极管及其制备方法
一种具有渐变Al组分AlGaN导电层的发光二极管
一种紫外水下防污装置及其制备方法
一种高准直性的紫外防污装置及其制备方法
一种紫外水下防污装置
一种高准直性的紫外防污装置
一种通过腔内气体压力调控F-P光纤温度传感器灵敏度的方法
一种基于金金键合制备穿孔结构光学腔F-P光纤传感器的方法
一种双导通型碳化硅光导开关及其制备方法
一种用于生长接近平衡态SiC单晶的坩埚及SiC单晶的生长方法
一种简单、高效降低SiC单晶中碳包裹物的方法
一种直径8英寸及以上尺寸高质量SiC籽晶的制备方法
一种高纯SiC粉料的快速合成方法
一种在n型4H/6H-SiC硅面上制备周期性石墨烯PN结的方法
一种低应力可重复的SiC单晶生长用热场结构及其应用
一种快速有选择性的降低SiC晶体中微管和位错密度的方法
一种金金热压键合制备高反射膜光学腔的方法
一种具有大功率紫外防护的水下摄像设备
一种具有大功率紫外防护的水下摄像设备及其应用
一种海洋防生物附着紫外光源及其制备方法
一种组合式防生物附着系统及其制备方法
一种组合式防生物附着系统
一种海洋防生物附着紫外光源
一种低氮含量SiC单晶生长装置及其应用
一种低氮含量SiC单晶生长装置
一种用于生长接近平衡态SiC单晶的坩埚及SiC单晶的生长方法
一种低电阻率低位错密度的n型SiC单晶的生长方法
一种SiC晶片的快速双面机械抛光方法
一种利用SiC热解石墨烯制作光电探测器的方法
一种制备碳化硅图形衬底的方法
一种基于偏振拉曼光谱对SiC晶体声子各向异性的测试方法
一种基于偏振拉曼光谱对SiC晶体声子各向异性的测试方法
一种同时切割不同SiC厚度的多线切割机槽轮
一种基于纳米划痕技术提高LED光提取效率的方法及应用
用于生长高纯半绝缘碳化硅晶体的坩埚
用于物理气相传输法生长碳化硅晶体的坩埚
一种减少碳化硅单晶中包裹体的新型坩埚及利用坩埚生长单晶的方法
一种提高碳化硅单晶质量的生长坩埚
一种能实现温度场实时调整的SiC单晶生长装置及利用该装置生长SiC单晶的方法
一种SiC单晶生长装置中能实现温度场实时调节的调整装置
一种锗氮共掺的碳化硅单晶材料的生长方法
一种掺锗碳化硅欧姆接触形成方法
一种高质量低电阻率的p型SiC单晶制备方法
一种偏向SiC晶体的大边、小边精确定向方法
一种偏轴衬底用SiC晶体的生长及高电学均匀性的N型SiC衬底的制备方法
一种低电耗、快速合成SiC粉料的方法
一种大直径尺寸SiC籽晶的制备方法
一种降低导通电阻的光导开关及其制备方法
一种SiC衬底上可选择性单面生长石墨烯的方法
一种具有中心对称性的SiC单晶生长装置及方法
一种在SiC衬底上制备无缓冲层的单层石墨烯的方法
一种去除SiC衬底外延石墨烯缓冲层的光电化学刻蚀方法
一种基于SiC外延石墨烯的Ag颗粒拉曼增强效应的表征方法
一种掺锗SiC体单晶材料的生长方法
一种低应力高纯半绝缘SiC单晶的制备方法
一种利用金刚石线和金刚石砂浆同时切割6英寸及以上尺寸SiC单晶的方法
一种N-B双掺SiC衬底的GaN基无荧光粉的高效白光LED结构及其制备方法和应用
一种提高物理气相传输法生长4H-SiC晶体晶型稳定性的方法
一种降低物理气相传输法生长SiC单晶中位错密度的方法
一种基于原位Si气氛作用在大直径4H/6H-SiC硅面衬底外延生长石墨烯的方法
一种用于打磨碳化硅单晶定位边的夹具及其应用
一种低成本低温合成碳化硅粉料的方法
一种用于打磨碳化硅单晶定位边的夹具
一种快速生长大尺寸碳化硅单晶的方法
一种实现SiC单晶不同直径切割的多线切割机罗拉及其使用方法
一种仿碧玺的合成碳硅石宝石及其制备方法
一种利用自生长贵金属等离基元纳米结构及其提高GaInP基太阳能电池光吸收的应用
一种在大直径6H/4H-SiC硅面和碳面双面同时生长石墨烯的方法
基于宽禁带半导体碳化硅晶体的光参量振荡激光器
一种碲化锌同质外延层的制备方法
一种嵌入TiO<sub>2</sub>纳米棒图形阵列提高LED发光效率的方法
一种白光LED及其制备方法
一种硅烷功能化碳点激发的白光LED及其制备方法
一种高均匀性、高产率半绝缘碳化硅衬底的制备方法
有色碳硅石宝石及其制备方法
一种半绝缘4H-SiC晶型的鉴别方法
一种蓝光激发碳点发光的白光LED及其制备方法
一种降低大尺寸高质量SiC单晶中微管密度的生长方法
一种碲化锌/砷化镓异质外延层的制备方法