科研专业方向
研究领域:
超导、高效能电池等其它新材料制备与应用技术
研究方向:
砷化镓、铟镓砷、缓冲层、弛豫特性、聚光光伏、三结太阳电池
研究领域:
超导、高效能电池等其它新材料制备与应用技术
研究方向:
砷化镓、铟镓砷、缓冲层、弛豫特性、聚光光伏、三结太阳电池
合作单位 | 合作论文数量 |
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上海空间电源研究所 | 1 |
论文标题 | 基金名称 |
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高倍聚光GaInP/InGaAs/Ge三结太阳电池研究 | 国家高技术研究发展计划 |
空间用GaInP/GaAs/In0.3Ga0.7As(1eV)倒装三结太阳电池研制 | 国家高技术研究发展计划 |
1、参与研制及产业化的高性能高亮度AlGaInP四元系红黄光LED外延片、芯片位于国内领先地位,获厦门市科技进步奖三等奖,国内市场占有率第一;
2、主导开发的AlGaInP四元系高亮度黄绿光LED产品,是目前市场的主流产品,市场占有率第一,相关专利获得福建省发明专利二等奖;
3、负责组织研制的第二代大电流空间砷化镓太阳电池项目,获得了批产效率超过29%(AM0,25℃),最高效率超过30%的大面积空间太阳电池,处于国内领先、国际先进水平,获福建省科技进步奖一等奖;
4、主持厦门市杰出青年科技人才创新计划项目——高效率聚光砷化镓太阳电池研制项目,承担国家863计划项目——兆瓦级高倍聚光化合物太阳电池产业化关键技术,获得了最高转换效率超过40%(AM1.5,500sun)的聚光电池芯片,达到国际商业化水平;
5、参与国家863计划项目——带隙匹配的倒置四结电池的研究,研制的太阳电池在空间光谱下最高转换效率达到32.64%(AM0,25℃),处于国际领先水平。
高倍聚光GaInP/InGaAs/Ge三结太阳电池研究
空间用GaInP/GaAs/In0.3Ga0.7As(1eV)倒装三结太阳电池研制
不同缓冲层对GaAs基In0.3Ga0.7As材料特性的影响
第三代空间用高电压型砷化镓三结太阳电池外延片
超高效率聚光三结砷化镓太阳电池研制
功率型四元系LED芯片产业化
第二代空间和地面用高效砷化镓三结太阳电池外延片、芯片
高效率多结聚光太阳电池的研制
大面积高效率三结砷化镓太阳电池产业化
高性能高亮度InGaAlP四元系红黄光LED外延片、芯片研制与生产