科研专业方向
研究领域：
半导体新材料制备与应用技术
研究方向：
ZnO薄膜、金属有机化学汽相沉积、半导体材料、Si衬底、PL谱、异质结
张老师
吉林长春市
科研重点分布
近年科研重点
2008
听力损失 病因学 GJB2基因 突变 聚合酶链式反应2014
氧化锌 氧化镁锌 外延薄膜 表面/界面工程 紫外探测器科研产出增长曲线
历年科研产出
学科论文分布
无线电电子学：30
工业通用技术及设备：10
物理学：8
材料科学：6
化学：3
眼科与耳鼻咽喉科：2
高等教育：1
电力工业：1
心血管系统疾病：1
地质学：1
总数:
48
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- 产学研合作
- 基金课题
- 荣誉&成就
- 科研成果
产学研合作
合作信息
| 合作单位 | 合作论文数量 |
|---|---|
| 集成光电子学国家重点联合实验室 | 14 |
| 大连理工大学物理与光电工程学院 | 9 |
| 大连理工大学物理与光电工程学院三束材料改性国家重点实验室 | 4 |
| 发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 2 |
| 中国科学院清洁能源前沿研究重点实验室北京新能源材料与器件重点实验室中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室 | 2 |
| 南京大学电子科学与工程学院和南京微结构国家实验室(筹) | 2 |
| 中国矿业大学物理学院 | 2 |
| 东南大学生物科学与医学工程学院生物电子学国家重点实验室 | 2 |
| 中山大学光电材料与技术国家重点实验室 | 2 |
| 香港科技大学物理系 | 2 |
| 大连理工大学物理系 | 2 |
| 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 | 1 |
| 集成光电子学国家重点实验室 | 1 |
| 河北半导体研究所专用集成电路国家重点实验室 | 1 |
| 宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室南京电子器件研究所 | 1 |
| 九台市人民医院 | 1 |
| 中国科学院长春物理研究所 | 1 |
| 大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室物理与光电工程学院 | 1 |
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基金课题
| 论文标题 | 基金名称 |
|---|---|
| 氧化锌基材料、异质结构及光电器件 | 国家973项目 |
| 采用MOCVD法在p型Si衬底上生长ZnO薄膜 | 国家自然科学基金 |
| 采用MOCVD方法在GaAs衬底上生长ZnO（002）和ZnO（100）薄膜 | 国家自然科学基金 |
| 遗传性出血性毛细血管扩张症一家系ALK-1基因突变检测 | 吉林省科技厅重点项目资助课题 |
| 吉林省209名聋校学生听力状况及病因学调查 | 吉林省科技厅资助项目编号:20050405-3 |
| 利用CVD方法制备金刚石冷阴极的研究 | 吉林大学超硬材料国家重点实验室资助 |
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荣誉&成就
暂无荣誉成就信息
科研成果
- 期刊论文
- 技术成果
- 专利
Ga2O3/GaN/蓝宝石模板上β-Ga2O3薄膜的生长
MOCVD法制备BGaN薄膜
醋酸铯合成CsPbBr3全无机钙钛矿量子点及薄膜发光特性
两步氧化法制备β-Ga2O3薄膜
GaSb/InSb/InP异质结构的漏电流机制
6H-SiC衬底上AlGaN基垂直结构紫外LED的制备
推进高校教学改革加快高校教育的发展
YBCO/ND-Y2O3/YBCO超导薄膜的制备及其特性研究
氧化锌基材料、异质结构及光电器件
氧化锌基材料、异质结构及光电器件
以光辅助MOCVD法在有取向Ni衬底及LAO单晶衬底上制备YBCO外延膜的比较研究
温度对GaSb/GaAs量子点尺寸分布的影响
光辅助对MOCVD法生长ZnO:Ga薄膜的n型掺杂影响
衬底温度对光辅助MOCVD法制备CeO2/LAO薄膜面外取向的影响
光辅助MOCVD法制备表面无杂质颗粒的YBCO外延膜
光辅助MOCVD法制备Y2O3薄膜及其结晶性质分析
MOCVD法制备NiO薄膜的结构和光学特性研究
MOCVD法制备NixZn1-xO薄膜
MOCVD技术制备GaSb/Si异质外延结构及表面形貌研究
GaSb/GaAs异质结构的低压MOCVD生长研究
生长温度对MOCVD生长的GaSb薄膜结晶质量的影响
MOCVD生长GaSb/GaAs异质结表面形貌研究
MOCVD方法生长制备ZnO-GaN组合发光器件
MOCVD法制备p-ZnO/n-SiC异质结器件
MOCVD法生长Ga掺杂n型ZnO的特性研究
退火温度对p-ZnO:P薄膜的电学及发光特性的影响
MOCVD法生长YBCO薄膜典型形貌及成因分析
以光辅助MOCVD法制备1″双面YBa2Cu3O7-x外延膜
叠层结构GaInAsSb热光伏电池的设计和优化
MOCVD生长ZnO基p-n结的电注入发光研究
LP-MOCVD法制作n-ZnO/p-Si异质结及其电致发光研究
NH3掺杂ZnO薄膜的生长及特性
MgZnO/ZnOp-n异质结的制备与特性
光辅助对MOCVD法制备ZnO薄膜性能的影响
MOCVD法制备ZnO薄膜的正交试验设计
p型MgxZn1-xO薄膜材料的制备与光学特性
MOCVD方法生长ZnO薄膜的XPS分析
氢化后ZnO发光性质的变化
吉林省209名聋校学生听力状况及病因学调查
吉林省先天性耳聋散发病例GJB2基因的突变分析
退火对MgxZn1-xO薄膜特性的影响
光辅助对MOCVD法制备的ZnO薄膜特性的影响研究
P型MgxZn1-xO薄膜材料的制备与特性研究
MOCVD法制备ZnO薄膜的正交试验设计
遗传性出血性毛细血管扩张症一家系ALK-1基因突变检测
采用MOCVD法在p型Si衬底上生长ZnO薄膜
采用MOCVD方法在GaAs衬底上生长ZnO（002）和ZnO（100）薄膜
利用CVD方法制备金刚石冷阴极的研究
吉林省耳聋家系的调查和基因检测及诊断
一种基于GaxIn1-xAs1-ySby四元半导体的异质结热光伏电池
一种低噪声、高响应Ga-2O-3基雪崩光电二极管及其制备方法
一种InAlGaN/GaN异质结结构及其生长方法
一种高质量p型氧化镓纳米柱状结构薄膜及其制备方法
一种在石墨烯上生长GaN薄膜的方法
一种电子浓度稳定的高质量氧化镓薄膜及其制备方法
一种电子浓度稳定的高质量氧化镓薄膜及其制备方法
一种基于极化诱导原理的AlGaN基隧穿结结构及其制备方法
一种高质量氧化镓薄膜及其同质外延生长方法
一种复合绝缘结构、晶体管以及复合绝缘结构和晶体管的制作方法
一种复合绝缘结构、晶体管以及复合绝缘结构和晶体管的制作方法
一种基于GaSb/InSb/InP异质PIN结构的光伏型红外探测器
一种降低SiC衬底上GaN薄膜内张应力的外延结构及其制备方法
一种高质量Ga
一种基于钙钛矿薄膜的全无机发光器件及其制备方法
一种散热性好的Ga＜sub＞2＜/sub＞O＜sub＞3＜/sub＞基金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法
一种n-SiC衬底AlGaN基垂直结构谐振腔紫外LED芯片及制备方法
一种基于碳面SiC衬底的垂直结构氮极性GaN基绿光LED芯片及其制备方法
一种基于GaSb的In＜sub＞1-x＜/sub＞Ga＜sub＞x＜/sub＞Sb/GaSb应变量子阱中间能带热光伏电池及其制备方法
一种基于GaSb的Ga＜sub＞x＜/sub＞In＜sub＞1-x＜/sub＞Sb/GaSb串联结构热光伏电池及其制备方法
高温超导薄膜材料临界电流密度测试系统及测试方法
GaAs衬底ZnO微米棒端面出光的发光器件及其制备方法
一种具有微孔结构的NiO-AlGaN紫外发光管及其制备方法
一种在大晶格失配基底上异质外延生长锑化物半导体的方法
一种硅衬底ZnO基低阈值电泵浦随机激光器件及其制备方法
具有水平式多孔喷淋装置的光辅助MOCVD反应器
p型ZnO和n型GaN组合的ZnO基发光器件及其制备方法
ZnO和GaN组合ZnO基端面发射激光器及其制备方法
p-ZnO和n-GaN组合的ZnO基端发射激光器及制备方法
p-ZnO和n-GaN组合的多层端发射激光器及制备方法
一种基于Ga＜sub＞x＜/sub＞In＜sub＞1-x＜/sub＞As＜sub＞1-y＜/sub＞Sb＜sub＞y＜/sub＞四元半导体的异质结热光伏电池
ZnO基薄膜晶体管的金属有机化学气相沉积制备方法
具有掺杂夹层结构的氧化锌基发光器件
ZnO薄膜生长用光照MOCVD设备及其p型掺杂工艺
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