科研专业方向
研究领域：
半导体新材料制备与应用技术
研究方向：
材料物理与化学；半导体发光材料和器件的研制
江教授
教授
江西南昌市
科研产出增长曲线
历年科研产出
学科论文分布
无线电电子学：70
物理学：31
工业通用技术及设备：17
化学：7
电力工业：4
材料科学：2
无机化工：2
高等教育：1
经济体制改革：1
有机化工：1
金属学及金属工艺：1
总数:
111
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- 产学研合作
- 基金课题
- 荣誉&成就
- 科研成果
产学研合作
合作信息
| 合作单位 | 合作论文数量 |
|---|---|
| 南昌硅基半导体科技有限公司 | 63 |
| 南昌黄绿照明有限公司 | 19 |
| 晶能光电(江西)有限公司 | 15 |
| 华南师范大学光电子材料与技术研究所 | 3 |
| 国家硅基LED工程技术研究中心 | 2 |
| 闽南师范大学LED光源与照明研究中心 | 2 |
| 教育部发光材料与器件工程研究中心 | 2 |
| 中国科学院 | 1 |
| 江西金黄光智慧照明有限责任公司 | 1 |
| 东华理工大学核工程技术学院 | 1 |
| 复旦大学现代物理研究所 | 1 |
| 北京大学物理学院 | 1 |
| 景德镇陶瓷学院机电学院 | 1 |
| 景德镇陶瓷学院 | 1 |
| 西安航天复合材料研究所超码科技有限公司 | 1 |
| 西安交通大学材料科学与工程学院 | 1 |
| 南昌746厂欣磊公司 | 1 |
| 南昌欣磊光电科技有限公司 | 1 |
| 南昌33004 | 1 |
| 江西师范大学物理系 | 1 |
| 江西科技师范学院江西光电子与通信重点实验室 | 1 |
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基金课题
未参与基金项目研发
荣誉&成就
"入选国家百千万人才工程"
科研成果
- 期刊论文
- 技术成果
- 专利
从基础研究到产业化全链条创新与研究生培养机制探索
浅谈科技创新驱动新产业发展的基本逻辑
p-GaN插入层调控InGaN基黄绿双波长LED发光光谱
量子垒生长速率对InGaN基绿光LED性能的影响
硅基金黄光LED器件性能及应用研究
热退火处理对AuGeNi/n-AlGaInP欧姆接触性能的影响
Ni插入层对Ag/p-GaN界面接触性能的影响机理
电子阻挡层Al组分对Si衬底GaN基黄光LED内量子效率的影响
InGaN绿光LED中p-AlGaN插入层对发光效率提升的影响（英文）
半导体黄光发光二极管新材料新器件新设备
量子阱生长气压对InGaN/GaN黄光LED光电性能的影响
量子阱结构对含V形坑InGaN/GaN蓝光LED效率衰减的影响
五基色LED照明光源技术进展
InGaN/GaN超晶格厚度对Si衬底GaN基蓝光发光二极管光电性能的影响
垒温对硅衬底GaN基蓝光LED发光效率的影响
刻蚀AlN缓冲层对硅衬底N极性n-GaN表面粗化的影响
PAS烧结SiC-石墨复相陶瓷的阻力曲线行为和抗热震性能
硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管
图形硅衬底GaN基发光二极管薄膜去除衬底及AlN缓冲层后单个图形内微区发光及应力变化的研究
Si（111）衬底切偏角对GaN基LED外延膜的影响
硅衬底氮化镓基LED薄膜转移至柔性黏结层基板后其应力及发光性能变化的研究
p型层结构与掺杂对GaInN发光二极管正向电压温度特性的影响
硅基板和铜基板垂直结构GaN基LED变温变电流发光性能的研究
AlN插入层对硅衬底GaN薄膜生长的影响
Si衬底LED薄膜芯片Ni/Ag反射镜保护技术
第一性原理计算研究金属Nb和间隙氢原子的相互作用
SiON钝化膜对硅衬底氮化镓绿光LED可靠性的影响
p层厚度对Si基GaN垂直结构LED出光的影响
半导体照明核心技术发展机遇与挑战
牺牲Ni退火对硅衬底GaN基发光二极管p型接触影响的研究
硅衬底GaN基单量子阱绿光LED量子效率的研究
烘干温度对氮掺杂二氧化钛光催化剂性能的影响
Si衬底GaN基LED外延薄膜转移至金属基板的应力变化
裂纹对Si衬底GaN基LED薄膜应力状态的影响
Si衬底GaN基蓝光LED老化性能
不同基板1W硅衬底蓝光LED老化性能研究
Si衬底GaN基蓝光LED钝化增透膜研究
硅衬底GaN基LEDN极性n型欧姆接触研究
p-AlGaN电子阻挡层Al组分对Si衬底绿光LED性能影响的研究
Si衬底GaN电镀金属基板LED芯片性能研究
Si衬底InGaN大功率LED芯片制备
Si衬底GaN基功率型蓝光LED芯片老化性能研究
Si衬底功率型绿光LED光电性能及其可靠性研究
光增强湿法刻蚀提高Si衬底垂直结构GaN基LED的出光效率
Si衬底功率型GaN基绿光LED性能
Si衬底MOCVD生长GaN/InGaN多量子阱缺陷TEM研究
SiN钝化膜对Si衬底GaN基蓝光LED性能影响
转移基板材质对Si衬底GaN基LED芯片性能的影响
掺Fe2O3的ZnO压敏性能
刻蚀深度对Si衬底GaN基蓝光LED性能的影响
ZnO本征缺陷的第一性原理计算
用卢瑟福背散射/沟道技术研究MOVCD方法生长的ZnO薄膜的弹性应变
CdS掺Mg和Ni电子结构和光学性质的密度泛函理论研究
缓冲层厚度对Ti/Si模板上生长ZnO薄膜的影响
静电对Si衬底GaN基蓝光LED老化寿命的影响
磁控溅射技术制备ZnO透光薄膜
镍对多弧离子镀制备的铬基金属衬底性能的影响
ZnMnO3及LaZnMnO3的制备及结构特性
Ag掺杂ZnO的第一性原理计算
表面覆盖退火对ZnO薄膜光学性质的影响（英文）
生长温度对ZnO薄膜性能的影响
Si衬底InGaN/GaN多量子阱LED外延材料的微结构
Si衬底GaN基LED的结温特性
常压MOCVD生长Ga2O3薄膜及其分析
Si衬底GaN基LED理想因子的研究
N2O为氧源金属有机化学气相沉积生长ZnO薄膜的光学性能研究
常压化学气相沉积法在Ag/Si（111）模板上生长ZnO薄膜及其性能研究
δ掺杂对Si衬底GaN蓝光LED外延膜性能的影响研究
常压化学气相沉积技术生长ZnO:H薄膜的光学性质
硅基GaN蓝光LED外延材料转移前后性能
MOCVD方法在Ni/Si（111）模板上生长ZnO薄膜
MOCVD方法在Cu/Si（111）基板上生长ZnO薄膜
MOCVD方法在Ti/Si（111）模板上生长ZnO薄膜的研究
ZnO/AlN/Si（111）薄膜的外延生长和性能研究
N掺杂TiO2光催化剂的制备及其可见光降解甲醛
退火温度对ZnO薄膜结构和发光性能的影响
常压MOCVD生长的ZnO薄膜的电学性能
色散对GaN和ZnO的XRD摇摆曲线的影响
退火对常压MOCVD法生长的高结晶性能ZnO薄膜发光特性的影响
常压MOCVD生长ZnO/GaN/Al2O3薄膜及其性能
硅衬底GaN基LED的研究进展
ZnO外延膜与蓝宝石衬底的取向偏差及其弯曲变形
复合催化剂TiO2/Fe2O3的制备及其光催化性能
衬底温度对常压MOCVD生长的ZnO单晶膜的性能影响
GaN外延片中载流子浓度的纵向分布
MOCVD系统中压力和压差控制技术研究
常压MOCVD生长ZnO薄膜及其性质
ZnO/GaN/Al2O3的X射线双晶衍射研究
InxGa1-xN薄膜的弯曲因子及斯托克斯移动研究
MOCVD生长GaN的表面形貌及缺陷研究
未掺杂GaN外延膜的结晶特性与蓝带发光关系的研究
固态照明光源流明效率分析
两步镀膜Ti/Al/Ti/Au的n型GaN欧姆接触研究
气流混合对生长GaN∶Si膜性能影响的研究
GaN基发光材料
MOCVD生长的InGaN薄膜的离子束背散射沟道及其光致发光
化学计量比的偏离对GaN的结晶品质及光电性能的影响
新型紫外光源研制成功
金属有机化学汽相沉积生长InGaN薄膜的研究
GaN中一种新受主的发光性能研究
能够释放应力的垂直结构LED薄膜芯片的制备方法
金黄光LED照明光源及灯具
一种具有变色功能的GaN基LED的结构及其调节方法
一种半导体发光二极管的外延装置
高光效绿光LED材料与芯片制造技术
铟镓铝氮材料组分及掺杂能自由组合的MOCVD生长气路及方法
高光效AlGaInP基红光LED芯片制造技术
硅基LED专用MOCVD装备设计与制造技术
硅衬底LED专用MOCVD设备研发
高光效黄光LED材料与芯片制造技术
可照射出特定平面几何图形光斑LED芯片的制备方法及结构
一种用于MOCVD设备的喷淋头
一种AlyInxGa1-x-yN薄膜的外延结构及生长方法
一种具有回熔层的LED薄膜芯片的制备方法及结构
硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管
硅衬底GaN基发光二极管
ZnO单晶膜上GaN基纳米光电子材料生长及LED器件研发
AlInGaN基单pn结多色探测器及信号检测方法
一种减少硅衬底上AlN薄膜微孔洞的制备方法
一种硅衬底氮化铝薄膜的制备方法
一种紫外LED的P型欧姆反射电极结构及其制备方法
一种反射镜和P电极相互独立的AlGaInPLED芯片及制备方法
一种反极性AlGaInP薄膜LED芯片及其制备方法
反射镜和P电极独立的AlGaInPLED芯片
一种Micro LED巨量转移方法及转移衬底
一种多色MicroLED发光模组制备方法
一种可定位温控的微区加热阵列及其选择性转移半导体微纳集成元件的使用方法
一种氮极性Ⅲ族氮化物粗化方法
一种用于太阳能电池光处理的LED光源
一种无荧光粉型金黄光LED放大镜
一种无荧光粉多基色LED封装结构及其封装方法
一种无荧光粉多基色LED封装结构
一种基于电场调控形貌的表面微结构制备方法
一种具有P面反射电极结构的深紫外LED及其制备方法
一种用于沉积铟镓氮量子阱的有锥形坑且含铝成分的薄层
一种AlInGaN基发光二极管
一种AlInGaN基发光二极管
一种具有抗静电层的III族氮化物半导体外延结构
一种具有抗静电层的III族氮化物半导体外延结构
一种带有复合反射镜的AlGaInP红色发光二极管器件结构
灯具（婴童拎绳式便携照明灯）
灯（养生）
台灯（家用读写）
灯泡（健康金黄光）
一种实现多基色LED光源的混光及光提取目的的模组结构
一种实现多基色LED光源的混光及光提取目的的模组结构
一种半导体发光二极管的外延装置
一种高电子迁移率晶体管
一种氮化物发光二极管结构
一种氮化物发光二极管
一种无蓝光低色温双波段LED光源
一种可增强空穴注入的发光二极管及其制备方法
一种可增强空穴注入的发光二极管
一种用于N面出光AlGaInPLED薄膜芯片的外延材料及其制备方法
一种用于N面出光AlGaInPLED薄膜芯片的外延材料
一种薄膜型AlGaInP发光二极管芯片
一种高电子迁移率晶体管外延结构
一种发光面为特定平面几何图形的LED芯片及其制备方法
一种发光面为平面几何图形的LED芯片
一种具有掩膜层的反极性LED芯片及其制备方法
一种LED芯片的封装产品
一种垂直结构LED芯片、反射电极
一种具有反射电极的垂直结构LED芯片及其制备方法
一种垂直结构LED芯片、反射电极及其制备方法
一种具有反射电极的垂直结构LED芯片
一种AlInGaN基绿、黄光发光二极管的外延结构
一种AlInGaN基多量子阱发光二极管的外延结构
一种AlGaInP发光二极管薄膜芯片结构
一种AlGaInP发光二极管薄膜芯片结构及其制备方法
一种薄膜LED芯片结构
一种薄膜LED芯片结构
一种用于制备氮化物材料的装置
一种无荧光粉型黄白光LED路灯
一种无荧光粉型黄绿光LED强光手电筒
一种直接板上芯片的LED封装结构
一种基于主动制冷液滴凝结的表面微结构制备方法
一种具有变色功能的GaN基LED的结构及其调节方法
一种照明驱蚊两用发光二极管灯具
一种InGaN基黄色发光二极管结构
一种化学气相沉积装置
一种用于MOCVD设备的喷淋头
可照射出特定平面几何图形光斑LED芯片的制备方法及结构
带V坑多量子阱多波长的GaN基LED外延结构及其制备方法
一种无荧光粉的全光谱LED封装结构及其封装方法
一种LED芯粒的筛选方法
一种LED芯片的自动筛选系统及筛选方法
一种AlyInxGa1‑x‑yN薄膜的外延结构及生长方法
一种具有高反射率反射镜的垂直结构发光二极管
Si衬底上选择性生长GaN基薄膜材料的方法
能够释放应力的垂直结构LED薄膜芯片的制备方法
可用氯气在线清洗的非钎焊MOCVD喷头
铟镓铝氮材料组分及掺杂能自由组合的MOCVD生长气路及方法
铟镓铝氮材料组分及掺杂能自由组合的MOCVD生长气路及方法
一种具有回熔层的LED薄膜芯片的制备方法及结构
一种LED薄膜芯片基板的制备方法及其结构
一种用于AlGaInN材料体系薄膜生长的分割图形蓝宝石衬底
一种具有应力调制层的氮化镓基LED薄膜芯片及其制备方法
一种用于生长六方相GaN的矩形图形化硅衬底
一种氮化物发光二极管的外延结构
一种LED薄膜芯片的半导体基板
低成本的垂直结构发光二极管芯片及其制备方法
一种具有边缘隔离结构的硅衬底
在线测量发光二极管外延片光致发光光谱装置
一种氮化物发光二极管结构
一种垂直气流型MOCVD气体输运喷头装置
具有银锡焊接电极的半导体发光器件
一种倒装半导体发光器件及其制造方法
蓝宝石图形衬底的制作方法
在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜及发光器件的方法
含有金属铬基板的铟镓铝氮半导体发光元件及其制造方法
在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜的方法
半导体发光器件及其制造方法
具有内陷电极的半导体发光元件
在硅衬底上制备高质量发光半导体薄膜的方法
在硅衬底上制备高质量铟镓铝氮材料的方法
含有金锗镍的欧姆电极、铟镓铝氮半导体发光元件及制造方法
铟镓铝氮发光器件
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