科研专业方向
研究领域：
半导体新材料制备与应用技术
研究方向：
宽带隙半导体单晶生长；晶体缺陷；同步辐射应用；X射线与电子衍射。
胡教授
教授
山东济南市
科研重点分布
近年科研重点
2006
多型夹杂 同步辐射白光形貌术 SiC单晶2007
掺镁铌酸锂晶体 近化学计量比 提拉法科研产出增长曲线
历年科研产出
学科论文分布
化学：76
物理学：60
无线电电子学：23
无机化工：9
材料科学：3
电力工业：2
轻工业手工业：1
总数:
107
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- 产学研合作
- 基金课题
- 荣誉&成就
- 科研成果
产学研合作
合作信息
| 合作单位 | 合作论文数量 |
|---|---|
| 国网山东省电力公司电力科学研究院 | 10 |
| 国家电网有限公司 | 6 |
| 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 4 |
| 全球能源互联网(山东)协同创新中心 | 3 |
| 山东华光光电子有限公司 | 3 |
| 北京高能物理研究所同步辐射实验室 | 3 |
| 山东天岳晶体材料有限公司 | 3 |
| 济南金刚石科技有限公司 | 2 |
| 专用集成电路国家级重点实验室 | 2 |
| 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 2 |
| 山东省产品质量监督检验研究院 | 2 |
| 广州南砂晶圆半导体技术有限公司 | 2 |
| 晶体材料国家重点实验室 | 1 |
| 中国工程物理研究院流体物理研究所 | 1 |
| 嘉兴学院 | 1 |
| 浙江省质量检测科学研究院 | 1 |
| 中国科学院高能物理研究所同步辐射实验室 | 1 |
| 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 1 |
| 中电科技德清华蓥电子有限公司 | 1 |
| 中国矿业大学 | 1 |
| 中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心 | 1 |
| 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 1 |
| 山东中晶光电子公司 | 1 |
| 山东济南 | 1 |
| 中国科学院北京高能物理研究所同步辐射实验室 | 1 |
| 纽约州立大学石溪分校材料科学与工程系 | 1 |
| 南京大学固体微结构物理国家实验室 | 1 |
| 南京大学固体微结构物理国家重点实验室 | 1 |
| 中科院北京人工晶体中心 | 1 |
| 北京高能物理所同步辐射实验室 | 1 |
| 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 1 |
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基金课题
| 论文标题 | 基金名称 |
|---|---|
| 深紫外激光倍频新晶体KBe2BO3F2 | 国家重点基础研究发展规划教育部访问学者计划资助项目 |
| 同步辐射白光形貌术观察SiC单晶中的微小多型结构 | 国家高技术研究发展计划 |
| 掺镁近化学计量比铌酸锂晶体的生长(英文) | 国家基础研究计划 |
| YCOB与GdCOB晶体光学显微术的研究 | 国家自然科学重大基金资助 |
| 大直径6H-SiC单晶的生长 | 国家863计划国家自然科学基金 |
| BPO4晶体的生长及孪晶缺陷分析 | 国家 973计划资助项目 |
| 紫外倍频新晶体K2Al2B2O7的合成与生长 | 国家重大基础研究计划教育部访问学者计划资助项目 |
| 氟硼铍酸钾晶体的生长、表面形貌和缺陷 | 国家重点基础研究发展计划资助项目 |
| NdxY1-xAl3（BO3）4和NdxGd1-xAl3（BO3）4晶体中的孪晶结构 | 国家自然科学基金 |
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荣誉&成就
"教育部新世纪优秀人才" 2004年教育部
科研成果
- 期刊论文
- 技术成果
- 专利
单晶金刚石声子非简谐衰减效应研究
高温退火对PVT法生长的AlN晶体质量的影响（英文）
砷化镓光导开关的损伤形貌研究
碳化硅单晶位错研究进展
高温高压与CVD金刚石单晶衬底质量对比研究
SiC单晶生长初期表面台阶及微管特性
8英寸导电型4H-SiC单晶的生长
晶格畸变检测仪研究碳化硅晶片中位错缺陷分布
用于MPCVD金刚石薄膜生长的高表面质量HTHP金刚石的制备
半绝缘碳化硅单晶衬底的研究进展
锗氮共掺碳化硅晶体杂质浓度表征及其电学性质研究
物理气相传输法生长碳化硅单晶原生表面形貌研究
宽禁带SiC单晶衬底研究进展
六方相纤锌矿硫化锌微球的制备及性能研究
Ge掺杂碳化硅晶体的生长缺陷
6H-SiC单晶的激光刻蚀及光谱分析（英文）
SiC衬底上近自由态石墨烯制备及表征的研究进展
高质量半绝缘φ150mm4H-SiC单晶生长研究
升华法生长碳化硅单晶原生小面的宏观形态与微观形貌研究
金刚石微粉对SiC机械抛光的影响研究
高质量N型SiC单晶生长及其器件应用
高分辨X射线衍射表征氮化镓外延层缺陷密度
4H-SiC的强氧化液化学机械抛光（英文）
SiC衬底上外延石墨烯的氢插入及表征
光纤微透镜侧面镀膜方法和应用的研究
生长条件对AlGaN/GaNHEMT势垒层表面形貌及二维电子气迁移率的影响（英文）
MOCVD生长的GaN基LED的应力分析（英文）
Al2O3纳米线的择优取向生长
加工工艺对SiC单晶衬底面形参数的影响
76%光电转换效率梯度渐变折射率结构940nm半导体激光器（英文）
Ti掺杂6H-SiC电学性质研究
泡生法生长蓝宝石晶体中的气泡分布(英文)
物理气相传输法制备SiC单晶中碳包裹物研究（英文）
高纯半绝缘4H-SiC单晶的生长
SiC衬底上生长的GaN外延层的高分辨X射线衍射分析
AlGaN成核层对SiC衬底外延GaN薄膜应力及缺陷影响的研究
不同体色淡水养殖珍珠的结构特征研究
同步辐射白光形貌术定量计算晶体的残余应力
彩色合成碳硅石的鉴定特征
半绝缘SiC单晶生长和表征
MOCVD生长GaAsP/InGa（Al）P/GaAs大功率808nm张应变量子阱激光器材料
SiC单晶中生长缺陷的研究进展
山东省半导体照明材料发展报告
以（10■5）面为籽晶的6H-SiC单晶生长与缺陷研究
4H-SiC晶体表面形貌和多型结构变化研究
6H-SiC成核表面形貌与缺陷产生的研究
4H-SiC晶体表面形貌和缺陷
硅粉形貌对人工合成高纯碳化硅粉料的影响
透射电子显微术和高分辨X射线衍射技术研究AlN单晶生长习性
高分辨电子显微术观察6H-SiC单晶中的层错
3英寸6H-SiC单晶的生长
掺镁近化学计量比铌酸锂晶体的生长(英文)
SiC单晶生长及其晶片加工技术的进展
沿[1■00]方向升华法生长6H-SiC单晶
6H-SiC衬底片的表面处理（英文）
Yb:GdVO4晶体的缺陷研究
新型Yb：LuVO4激光晶体的生长及缺陷研究
同步辐射白光形貌术观察SiC单晶中的微小多型结构
ZnGeP2多晶料合成与晶体生长
SiC单晶片的超精密加工
同步辐射背反射白光形貌术观察6H-SiC单晶中的小角晶界和微管
6H-SiC单晶生长温度场优化及多型控制
AlN单晶生长研究进展
BN坩埚中的AlN单晶生长
6H-SiC晶片的退火处理
Yb:GdVO4晶体的结构与缺陷研究
金刚石线锯切割大直径SiC单晶
BaWO4多晶料的合成与优质单晶的生长
Nd:LuVO4晶体缺陷的研究
6H-SiC单晶的生长与缺陷
微管在6H-SiC单晶生长过程中的演化
6H-SiC单晶中的微管和小角度晶界
同步辐射单色光形貌术观察6H-SiC单晶中的微管缺陷
6H-SiC单晶（0001）Si-面的表面生长形貌
高分辨X射线衍射法研究碳化硅单晶片中的多型结构
Nd:LuVO4晶体的生长及其性能研究
新型钨青铜型晶体Ca0.28Ba0.72Nb2O6的生长研究
显微激光拉曼光谱法鉴别SiC晶体的多型体结构
升华法生长大直径的SiC单晶
温度及温度梯度对SiC单晶生长的影响
Nd:La3Ga5.5Ta0.5O14晶体生长及其激光性能
热退火对KDP晶体微结构的影响
硅酸镓镧晶体研究进展
LGS晶体的化学腐蚀及缺陷分布
大直径6H-SiC单晶的生长
稀土掺质YCOB系列晶体生长
新型激光晶体Nd:LuVO4的生长与性能研究
SiC多晶片在高能电子束照射下枝晶生长现象
高分辨X射线衍射法研究碳化硅单晶片中的多型结构
6H-SiC单晶中的微管和小角度晶界
6H-SiC单晶的生长与缺陷
透射电子显微镜直接观察SiC晶体中的层错结构
SiC晶体生长设备考察
深紫外激光倍频新晶体KBe2BO3F2
深紫外倍频晶体KBe2（BO3）F2的合成与生长
Er:YCOB和Er:Yb:YCOB的晶体生长、光谱和激光性能研究
同步辐射形貌术观察GdCa4O（BO3）3晶体中的小角晶界
PrP5O14晶体的生长与光谱性质
同步辐射白光形貌术表征RbTiOAsO4晶体中的生长缺陷
YCOB与GdCOB晶体光学显微术的研究
大直径4H-SiC单晶衬底材料
大尺寸半导体SiC单晶衬底材料
一种SiC单晶衬底及其制备方法与应用
一种碳化硅单晶生长方法及碳化硅单晶
一种蓝宝石模板上GaN单晶衬底高温激光剥离装置及剥离方法
一种低成本、高产率SiC单晶的生长方法
一种实现金刚石单晶衬底表面取向的方法
一种重掺杂p型SiC晶片缺陷的检测方法
低电阻率P型4H-SiC单晶及制备方法
金刚石籽晶制备方法、金刚石籽晶及单晶
一种用于生长接近平衡态SiC单晶的坩埚及SiC单晶的生长方法
一种简单、高效降低SiC单晶中碳包裹物的方法
一种直径8英寸及以上尺寸高质量SiC籽晶的制备方法
一种高纯SiC粉料的快速合成方法
一种低应力可重复的SiC单晶生长用热场结构及其应用
一种快速有选择性的降低SiC晶体中微管和位错密度的方法
一种低氮含量SiC单晶生长装置及其应用
一种低氮含量SiC单晶生长装置
一种用于生长接近平衡态SiC单晶的坩埚及SiC单晶的生长方法
一种低电阻率低位错密度的n型SiC单晶的生长方法
一种SiC晶片的快速双面机械抛光方法
一种制备碳化硅图形衬底的方法
一种基于偏振拉曼光谱对SiC晶体声子各向异性的测试方法
一种基于偏振拉曼光谱对SiC晶体声子各向异性的测试方法
一种同时切割不同SiC厚度的多线切割机槽轮
用于生长高纯半绝缘碳化硅晶体的坩埚
用于物理气相传输法生长碳化硅晶体的坩埚
一种减少碳化硅单晶中包裹体的新型坩埚及利用坩埚生长单晶的方法
一种提高碳化硅单晶质量的生长坩埚
一种能实现温度场实时调整的SiC单晶生长装置及利用该装置生长SiC单晶的方法
一种SiC单晶生长装置中能实现温度场实时调节的调整装置
一种锗氮共掺的碳化硅单晶材料的生长方法
一种掺锗碳化硅欧姆接触形成方法
一种高质量低电阻率的p型SiC单晶制备方法
一种偏向SiC晶体的大边、小边精确定向方法
一种偏轴衬底用SiC晶体的生长及高电学均匀性的N型SiC衬底的制备方法
一种低电耗、快速合成SiC粉料的方法
一种大直径尺寸SiC籽晶的制备方法
一种具有中心对称性的SiC单晶生长装置及方法
一种掺锗SiC体单晶材料的生长方法
一种低应力高纯半绝缘SiC单晶的制备方法
一种利用金刚石线和金刚石砂浆同时切割6英寸及以上尺寸SiC单晶的方法
一种N-B双掺SiC衬底的GaN基无荧光粉的高效白光LED结构及其制备方法和应用
一种提高物理气相传输法生长4H-SiC晶体晶型稳定性的方法
一种降低物理气相传输法生长SiC单晶中位错密度的方法
一种用于打磨碳化硅单晶定位边的夹具及其应用
一种低成本低温合成碳化硅粉料的方法
一种用于打磨碳化硅单晶定位边的夹具
一种快速生长大尺寸碳化硅单晶的方法
一种实现SiC单晶不同直径切割的多线切割机罗拉及其使用方法
一种仿碧玺的合成碳硅石宝石及其制备方法
基于宽禁带半导体碳化硅晶体的光参量振荡激光器
一种高均匀性、高产率半绝缘碳化硅衬底的制备方法
有色碳硅石宝石及其制备方法
一种半绝缘4H-SiC晶型的鉴别方法
一种降低大尺寸高质量SiC单晶中微管密度的生长方法
一种提高4H-SiC单晶晶型稳定性的方法
一种测量SiC晶体中微管密度的方法
石墨烯光学调Q开关及应用
一种GaN基LED管芯P型GaN层的结构
一种大直径4H-SiC晶片碳面的表面抛光方法
在大直径6H-SiC碳面上生长石墨烯的方法
用于半导体单晶生长的高纯碳化硅粉的人工合成方法
一种在SiC衬底上制备的发光二极管
彩色碳硅石单晶及其制备方法与人造宝石的制备
大直径高硬度6H-SiC单晶片的表面抛光方法
大直径SiC单晶的切割方法
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