科研专业方向
研究领域：
半导体发光技术
研究方向：
半导体
李老师
四川
科研重点分布
近年科研重点
2008
LDMOS 全耗尽型浮空埋层 RESURF REBULF 击穿电压2011
SOI PTG-LDMOST 击穿电压 导通电阻科研产出增长曲线
历年科研产出
学科论文分布
无线电电子学：111
电力工业：22
物理学：4
计算机硬件技术：3
机械工业：2
自动化技术：2
航空航天科学与工程：1
汽车工业：1
工业经济：1
总数:
141
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- 产学研合作
- 基金课题
- 荣誉&成就
- 科研成果
产学研合作
合作信息
| 合作单位 | 合作论文数量 |
|---|---|
| 浙江大学电机系 | 2 |
| 南京邮电大学微电子系 | 2 |
| 清华大学微电子所 | 1 |
| 汕头超声电子股份有限公司博士后科研工作站 | 1 |
| 浙江大学电机工程系 | 1 |
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基金课题
| 论文标题 | 基金名称 |
|---|---|
| 阶梯掺杂漂移区SOI高压器件浓度分布优化模型 | 模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目 |
| 扩频DC/DC变换器的纹波分析 | 国家自然科学基金重点项目 |
| Boost变换器跨周期调制（PSM）的状态空间平均模型 | 国家自然科学基金重点项目 |
| 1200V功率MOS栅驱动集成电路的设计 | 模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目 |
| 一种用于SPIC的新型电流控制模式弛张振荡器 | 模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目 |
| 埋氧层固定界面电荷对RESURFSOI功率器件击穿特性的影响 | 模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目 |
| 700V单晶扩散型LDMOS的特性与模型 | 模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目 |
| 采用深阱结构的耐压技术 | 模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目 |
| 全耗尽型浮空埋层LDMOS的耐压特性 | 模拟集成电路国家重点实验室基金 |
| 全耗尽型浮空埋层LDMOS的耐压特性 | 国家自然科学基金 |
| 界面电荷耐压模型:SOI高压器件纵向耐压新理论 | 国家自然科学基金 |
| 阶梯分布埋氧层固定电荷SOI高压器件新结构和耐压模型 | 国家自然科学基金资助项目 |
| 均匀、阶梯和线性掺杂漂移区SOIRESURF器件的统一击穿模型（英文） | 国家自然科学基金资助项目 |
| SOI基双级RESURF二维解析模型 | 国家自然科学基金资助项目 |
| 屏蔽槽SOI高压器件新结构和耐压机理 | 国家自然科学基金资助项目 |
| 部分局域电荷槽SOI高压器件新结构 | 国家自然科学基金重点资助项目 |
| 具有n+浮空层的体电场降低LDMOS结构耐压分析 | 模拟集成电路国家重点实验室国家自然科学基金 |
| 可变低k介质层SOILDMOS高压器件的耐压特性 | 国家自然科学基金资助项目 |
| PSJ高压器件的优化设计 | 国家自然科学基金重点项目 |
| 具有多等位环的高压屏蔽新结构MER-LDMOS耐压分析 | 国家自然科学基金重点项目 |
| 一种新型的低导通电阻折叠硅SOILDMOS | 国家自然科学基金资助项目 |
| 高散热变k介质埋层SOI高压功率器件 | 国家自然科学基金 |
| 高阻衬底上具有n+浮空层的横向SuperJunctionMOSFETs（英文） | 国家自然科学基金资助项目 |
| 具有部分n埋层的高压SJ-LDMOS器件新结构（英文） | 国家自然科学基金资助项目 |
| 具有非平面埋氧层的新型SOI材料的制备 | 国家自然科学重点基金 |
| Boost变换器断续导通模式的PSM同步开关映射模型 | 国家自然科学基金项目 |
| 一种新的传导型共模／差模EMI分离测试网络 | 国家自然科学基金重点项目 |
| 背栅效应对SOI横向高压器件击穿特性的影响 | 国家自然科学基金重点项目 |
| 高k介质电导增强SOILDMOS机理与优化设计 | 国家自然科学基金 |
| 4H-SiCMESFET表面陷阱效应研究 | 国家安全重大基础研究项目资助 |
| 一种SOI-RFLDMOS器件的设计 | 国家自然科学基金 |
| 表面氢化对SiC/金属接触的作用机理 | 军事电子预研基金资助项目 |
| 4H-SiCSJ结构反向击穿电压的解析模型 | 国家安全重大基础研究资助项目 |
| 高压RESURFLDMOS开态击穿模型（英文） | 模拟集成电路国家重点实验室研究基金资助项目 |
| 有n埋层结构的1200V横向变掺杂双RESURFLDMOS研制 | 国家十五军事电子预研项目 |
| 在SOI基上设计实现D/A驱动的高压LDMOS开关电路 | 国家自然科学基金总装预研和国防重点实验室 |
| 局域寿命控制NPT-IGBTs稳态模型 | 国家军事电子预研基金 |
| 局域寿命控制NPT-IGBT瞬态模型 | 国家军事电子预研 |
| 1200VMRD-RESURFLDMOS与BCD兼容工艺研究 | 国家自然科学基金 |
| 复合介质层SOI高压器件电场分布解析模型 | 国家自然科学基金 |
| 基于耦合式电平位移结构的高压集成电路 | 国家自然科学基金资助项目 |
| 不同调制模式下Boost变换器DCM模态的能量模型与稳定性分析 | 国家自然科学基金重点项目 |
| 有n缓冲层SOIRESURF结构的电场分布解析模型 | 国家十五预先研究资助项目 |
| JTE结的二维电场分析 | 国家七·五科技攻关资助 |
| 短沟DMOS阈值电压模型 | 国家自然科学基金 |
| DMOS辐照正空间电荷阈值电压模型 | 国家自然科学基金资助项目 |
| DMOS阈值电压二维模型 | 国家自然科学基金资助项目 |
| 高阈值电压低界面态增强型Al2O3/GaNMIS-HEMT | 四川省青年科技基金资助项目 |
| DCM模态下PSMBoost变换器的能量模型和分岔规律 | 国家自然科学基金重点资助项目 |
| PSM调制的新型电流极限比较器 | 国家自然科学基金重点资助项目 |
| 一种新型双稳态过温保护电路 | 国防科研基金资助项目 |
| 周期函数频率调制降低EMI水平研究 | 国家自然科学基金 |
| 开关DC-DC变换器的自适应占空比跨周期控制方法 | 国家自然科学基金 |
| 一种精准的升压型DC-DC转换器自调节斜坡补偿电路 | 国家自然科学基金重点项目资助 |
| 新型4H-SiC阳极凹槽D-RESURF肖特基二极管研究 | 国家安全重大基础研究项目资助 |
| 一种新型D-RESURF埋栅SOILDMOS | 国家自然科学基金重点资助项目 |
| 基于薄膜SOI的PDP高压寻址驱动集成电路 | 十一五预研项目资助 |
| 一种具有双面界面电荷岛结构的SOI高压器件 | 国家自然科学基金资助项目 |
| 薄硅层阶梯埋氧PSOI高压器件新结构 | 国家自然科学基金资助项目 |
| 一种新的基于E-SIMOX衬底的PSOI高压器件 | 国家自然科学基金资助项目 |
| 具有高压互连线的多区双RESURFLDMOS击穿特性 | 国家自然科学基金 |
| 单密勒电容补偿的三级误差运放电路 | 国家自然科学基金重点资助项目 |
| 基于薄外延技术的高压BCD兼容工艺（英文） | 国家自然科学基金重点项目 |
| 智能型高压SENSFET器件的设计分析和实现 | 国家自然科学基金 |
| 非均匀厚度漂移区SOI高压器件及其优化设计（英文） | 国家自然科学基金 |
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荣誉&成就
暂无荣誉成就信息
科研成果
- 期刊论文
- 技术成果
- 专利
单粒子辐射导致的VDMOS体二极管反向I-V曲线蠕变现象研究
抗辐射高压集成电路技术现状与发展
用于智能功率集成电路的PTG-LDMOST
用于智能功率集成电路的PTG-LDMOST
全耗尽型浮空埋层LDMOS的耐压特性
单路LDMOS实现的高压电平位移电路及其应用
阶梯厚度漂移区SOI新结构耐压分析
功率半导体器件发展概述
一种新的传导型共模／差模EMI分离测试网络
非均匀寿命分布电导调制基区中非平衡载流子的WKB解
电荷非平衡superjunction结构电场分布
一种CMOS电流控制振荡器的分析与设计
具有降场电极U形漂移区SOI-LDMOS的耐压特性
自对准双扩散MOS器件的阈值电压分析
SiC肖特基二极管的特性研究
具有局域空穴槽结构的SOI LDMOS击穿机理
单晶扩散型LDMOS特性分析
低能He注入局域寿命控制电导调制型功率器件输运模型
高压功率集成电路的混合模拟
异步电机定子电流的内模自适应控制及实现
内模控制在异步电机矢量变频调速中的应用
基于离散MRAS的异步电机静态参数辨识
基于内模控制的异步电机鲁棒电流调节
改进型并联准谐振直流环逆变器及脉冲调制
基于谐波消除PWM的RMOS逆变器的研制
浮体动态存储技术
高压SOI器件介质场增强
阶梯掺杂漂移区SOI高压器件浓度分布优化模型
一种新的电流极限可调状态机电路
扩频DC/DC变换器的纹波分析
表面注入P-top区doubleRESURF功率器件表面电场模型
漂移区表面阶梯掺杂LDMOS的击穿电压模型
双面阶梯埋氧层部分SOI高压器件新结构
具有安全保护的高性能电荷泵
Boost变换器跨周期调制（PSM）的状态空间平均模型
PowerMOSFET栅电荷分析及结构改进
一种双通道USB限流开关电路
脉冲跨周期调制开关电源的特性研究
1200V功率MOS栅驱动集成电路的设计
软开关技术在PSOC中的应用
一种用于SPIC的新型电流控制模式弛张振荡器
埋氧层固定界面电荷对RESURFSOI功率器件击穿特性的影响
700V单晶扩散型LDMOS的特性与模型
采用深阱结构的耐压技术
非均匀沟道DMOS器件阈值电压模型
新型开关电源的关键技术
一种高增益宽带共栅CMOS电流模跨阻放大器
薄外延阶梯掺杂漂移区RESURF耐压模型
界面电荷耐压模型:SOI高压器件纵向耐压新理论
阶梯分布埋氧层固定电荷SOI高压器件新结构和耐压模型
均匀、阶梯和线性掺杂漂移区SOIRESURF器件的统一击穿模型（英文）
SOI基双级RESURF二维解析模型
阶梯埋氧型SOI结构的耐压分析
埋空隙PSOI结构的耐压分析
具有p型埋层PSOI结构的耐压分析
屏蔽槽SOI高压器件新结构和耐压机理
阶梯掺杂薄漂移区RESURFLDMOS耐压模型
部分局域电荷槽SOI高压器件新结构
一种基于负电阻的高输出阻抗的电流源(英文)
具有n+浮空层的体电场降低LDMOS结构耐压分析
可变低k介质层SOILDMOS高压器件的耐压特性
双面阶梯埋氧型SOI结构的耐压分析
PSJ高压器件的优化设计
体硅DoubleRESURF器件表面电场解析模型及优化设计（英文）
具有多等位环的高压屏蔽新结构MER-LDMOS耐压分析
一种新型的低导通电阻折叠硅SOILDMOS
高散热变k介质埋层SOI高压功率器件
高阻衬底上具有n+浮空层的横向SuperJunctionMOSFETs（英文）
具有部分n埋层的高压SJ-LDMOS器件新结构（英文）
带p埋层表面注入硅基LDMOS模型与优化
具有非平面埋氧层的新型SOI材料的制备
Boost变换器断续导通模式的PSM同步开关映射模型
一种高效率开关频率自适应电荷泵
一种温度补偿的反馈控制电流基准
PSM开关变换器的大信号模型与瞬态特性
表面氢化降低SiC/金属接触间界面态密度的机理
PSM开关变换器的平均模型与特性分析
背栅效应对SOI横向高压器件击穿特性的影响
高k介质电导增强SOILDMOS机理与优化设计
SiC表面氢化研究
功率系统级芯片概念
4H-SiCMESFET表面陷阱效应研究
一种SOI-RFLDMOS器件的设计
表面氢化对SiC/金属接触的作用机理
4H-SiCSJ结构反向击穿电压的解析模型
低能量He离子注入局域寿命控制LIGBT的实验研究（英文）
高压RESURFLDMOS开态击穿模型（英文）
有n埋层结构的1200V横向变掺杂双RESURFLDMOS研制
在SOI基上设计实现D/A驱动的高压LDMOS开关电路
局域寿命控制NPT-IGBTs稳态模型
局域寿命控制NPT-IGBT瞬态模型
n埋层PSOI结构射频功率LDMOS的输出特性
射频功率LDMOS槽形漂移区结构优化设计
1200VMRD-RESURFLDMOS与BCD兼容工艺研究
复合介质层SOI高压器件电场分布解析模型
基于耦合式电平位移结构的高压集成电路
不同调制模式下Boost变换器DCM模态的能量模型与稳定性分析
功率半导体器件技术的研究与进展
PSoC——新一代SoC技术
《微电子工艺》的理论教学与学生实践能力培养
功率集成电路高能效高精度关键技术
功率高压MOS器件关键技术与应用
一种横向高压DMOS器件
高压SensorFET器件
一种槽型纵向半导体器件的制造方法
一种具有结型场板的功率LDMOS器件
一种具有结型场板的SOI功率LDMOS器件
一种具有自适应偏置场板的高压MOS器件
SOI横向MOSFET器件和集成电路
一种横向SOI功率半导体器件
功率MOS器件电荷平衡理论与新结构
高压、超低功耗功率MOS器件新结构及模式
功率MOS器件的电荷行为机制研究
新型功率半导体器件体内场关键技术与应用
800V级高压驱动集成电路
横向高压DMOS器件体内场优化理论与新结构
薄层SOI高压驱动集成电路
功率半导体器件与集成电路的体内场优化理论、技术与应用
MOS类新型电力电子器件及其技术
一种具有复合缓冲层耐压区的高速高压功率半导体器件
智能功率集成电路专用设计软件
体内异性掺杂的功率半导体器件及其制造方法
具有无结终端技术功率半导体器件及制造方法和应用
SOI横向匀场高压功率半导体器件及制造方法和应用
具有电场钳位层的匀场器件及其制造方法和应用
高压三维耗尽超结LDMOS器件及其制造方法
具有阶梯分立屏蔽槽的低栅电荷器件及其制造方法
一种具有P型漂移区和N型沟道的槽栅双极型晶体管
具有瞬时剂量率辐射加固结构的横向SOI高压器件
一种功率半导体器件及其制造方法
具有高沟道密度的分离栅VDMOS器件及制造方法
具有低栅电荷特性的垂直沟道器件及制造方法
具有低比导通电阻的槽型器件及其制造方法
具有纵向浮空场板的器件及其制造方法
具有电荷平衡耐压层的纵向浮空场板器件及其制造方法
具有深埋层的纵向浮空场板器件及制造方法
电荷平衡的槽型器件终端结构
分离栅VDMOS器件的终端结构
一种IGBT功率器件
一种横向高压功率半导体器件的槽型终端结构
一种超结LIGBT功率器件
一种耗尽型超结MOSFET器件及其制造方法
基于超结的集成功率器件及其制造方法
基于超结自隔离的耗尽型增强型集成功率器件及制造方法
一种具有N型浮空埋层的RESURFHEMT器件
一种双向IGBT器件及其制造方法
一种双向IGBT器件及其制造方法
一种双向IGBT器件及其制造方法
一种纵向超结增强型MISHEMT器件
一种具有高K介质槽的纵向增强型MISHEMT器件
一种具有超低比导通电阻特性的高压功率器件
一种双向MOS型器件及其制造方法
一种缓冲层荷电RESURFHEMT器件
一种具有荷电介质的HEMT器件
一种具有自适应偏置场板的高压MOS器件
一种超低比导通电阻的横向高压器件
一种具有超结埋层的横向扩散金属氧化物半导体器件
一种横向SOI功率半导体器件
一种具有结型场板的SOI功率LDMOS器件
一种具有结型场板的功率LDMOS器件
一种高压LDMOS器件
一种横向高压DMOS器件
一种集成了采样电阻的电流检测LDMOS器件
一种复合功率半导体器件
一种具有电流采样功能的LDMOS器件
一种全温度范围补偿的电压基准源
一种全温度范围补偿的电压基准源
一种具有分裂阳极结构的SOI-LIGBT器件
一种具有高K介质槽的半导体功率器件
SOI横向MOSFET器件和集成电路
一种槽型纵向半导体器件的制造方法
用于等离子显示屏驱动芯片的SOI器件
一种SOI型P-LDMOS
用于功率器件的具有界面电荷岛SOI耐压结构
一种数字化电流调制的扩频时钟信号产生器
基于自隔离技术的介质场增强SOI耐压结构
在厚膜SOI材料顶层硅与介质埋层界面处形成图形化半导体埋层的方法
具有源极场板的薄膜SOI厚栅氧功率器件
具有栅极场板的薄膜SOI厚栅氧功率器件
一种高压BCD器件的制备方法
三维槽栅金属半导体场效应晶体管
分段线性温度补偿电路及温度补偿电压基准源
源漏双凹结构的金属半导体场效应晶体管
负温度补偿电流产生电路及温度补偿电流基准源
一种垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件
高压SensorFET器件
射频DMOS功率器件
一种具有窗口的双介质SOI耐压结构及其SOI功率器件
一种具有双介质埋层的耐压层结构及采用双介质埋层的SOI功率器件
一种具有窗口的双介质SOI耐压结构及其SOI功率器件
一种具有双介质埋层的耐压层结构及SOI功率器件
具有低k介质埋层的SOI结构及其功率器件
一种优化的脉冲跨周调制开关稳压电源控制器
高阶温度补偿电流基准源
高阶温度补偿CMOS电流基准源
具有基区局部重掺杂功率双极型晶体管
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