科研专业方向
研究领域：
电工、微电子和光电子新材料制备与应用技术
研究方向：
微电子；微电子器件；微电子技术；信息材料
刘老师
天津
科研重点分布
近年科研重点
2015
CMP 螯合剂 氧化剂 协同作用 平坦化科研产出增长曲线
历年科研产出
学科论文分布
无线电电子学：253
金属学及金属工艺：27
计算机硬件技术：8
电力工业：7
材料科学：6
无机化工：5
工业通用技术及设备：5
高等教育：4
物理学：4
有机化工：3
教育理论与教育管理：2
电信技术：2
化学：2
自动化技术：1
一般化学工业：1
总数:
312
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- 产学研合作
- 基金课题
- 荣誉&成就
- 科研成果
产学研合作
合作信息
| 合作单位 | 合作论文数量 |
|---|---|
| 天津市电子材料与器件重点实验室 | 40 |
| 全国政协 | 6 |
| 河北联合大学信息工程学院 | 5 |
| 华北理工大学 | 5 |
| 天津晶岭微电子材料有限公司 | 5 |
| 天津职业技术师范大学电子工程学院 | 4 |
| 新疆师范大学化学化工学院 | 3 |
| 天津城建大学计算中心 | 3 |
| 河北冀雅电子有限公司 | 2 |
| 天津理工大学电子信息与通信工程学院 | 2 |
| 天津理工学院光电信息系 | 2 |
| 慕思寝室用品有限公司 | 2 |
| 河北科技大学人事处 | 2 |
| 中国工程物理研究院机械制造工艺研究所 | 2 |
| 华润华晶微电子有限公司 | 2 |
| 河北大学静电研究所 | 2 |
| 天津市计量监督检测科学研究院 | 2 |
| 光电信息控制和安全技术重点实验室 | 2 |
| 唐山学院 | 2 |
| 唐山师范学院 | 2 |
| 华北理工大学迁安学院 | 2 |
| 洛阳单晶硅厂 | 1 |
| 河北化工医药职业技术学院 | 1 |
| 北京石化工程公司 | 1 |
| 北京汽车总公司 | 1 |
| 河北省电子厅 | 1 |
| 河北化工医药职业技术学院制药工程系 | 1 |
| 中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心 | 1 |
| 河北科技大学机械电子工程学院 | 1 |
| 中国电子科技集团公司第五十四研究所 | 1 |
| 机械科学研究总院中机生产力促进中心 | 1 |
| 中国电子科技集团电子第十三所 | 1 |
| 河北科技大学化学与制药工程学院 | 1 |
| 天纺检测技术有限公司 | 1 |
| 石家庄铁道学院计算机系 | 1 |
| 天津冶金职业技术学院 | 1 |
| 华北理工大学信息工程学院 | 1 |
| 集成电路材料产业技术创新战略联盟 | 1 |
| 天津电子材料与器件重点实验室 | 1 |
| 华北理工大学图书馆 | 1 |
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基金课题
| 论文标题 | 基金名称 |
|---|---|
| TSVCuCMP碱性抛光液及工艺 | 国家中长期发展规划重大科技专项资助项目 |
| 高稀释倍数碱性铜精抛液在CuCMP中的应用 | 国家科技重大专项资助项目 |
| 碱性阻挡层抛光液在65nm铜布线平坦化中应用 | 国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目 |
| pH值对碱性抛光液速率稳定性的影响 | 国家中长期发展规划重大科技专项资助项目 |
| 磷酸作为pH调节剂在阻挡层抛光过程中的应用 | 国家中长期发展规划重大科技专项资助项目 |
| 弱碱性多羟多胺抛光液稳定性 | 国家中长期发展规划重大科技专项资助项目 |
| Cu CMP平坦化中螯合剂与氧化剂的协同作用 | 国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目 |
| Cu CMP平坦化中螯合剂与氧化剂的协同作用 | 河北省青年自然科学基金资助项目 |
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荣誉&成就
暂无荣誉成就信息
科研成果
- 期刊论文
- 技术成果
- 专利
抛光时间对多层铜布线阻挡层CMP效果的影响
工艺参数对GLSI铜互连阻挡层CMP抛光效果的影响
18-冠醚-6对金属Co在化学机械抛光液中腐蚀的影响
超滤和活性剂协同作用对铜阻挡层CMP后缺陷的控制机理研究
不同表面活性剂对铜互连阻挡层CMP一致性的影响
络合剂DTPA-5K在集成电路阻挡层CMP中的应用及机理分析
抛光液添加剂协同作用对铜互连阻挡层CMP后碟形坑及蚀坑的影响
AEO表面活性剂EO加成数对铜互连阻挡层抛光液的影响
柠檬酸钾对铜、钴和TEOS去除速率及选择性的影响
铜CMP后清洗中表面活性剂去除颗粒的研究进展
化学添加剂提高钴化学机械抛光性能的研究进展
复合表面活性剂在铜CMP中减少缺陷的作用
用于铜互连CMP工艺的络合剂研究进展
氧化剂对铝栅化学机械抛光的影响
IC铜布线CMP过程中缓蚀剂应用的研究进展
复合络合剂在阻挡层抛光液中的应用
基于正交实验法的Cu/Ta/TEOS碱性抛光液的优化
铜互连CMP中BTA的缓蚀机理及Cu-BTA的去除研究进展
非离子表面活性剂对铝栅化学机械平坦化的影响
碱性多羟多胺螯合剂对CuCMP后BTA去除作用及机理
FA/O阻挡层抛光液在铜布线平坦化中的应用
阻挡层抛光液中助溶剂和H2O2对铜残留缺陷的影响
不同络合剂对铜布线CMP抛光液性能的影响
阻挡层CMP过程中划伤缺陷的控制
GLSI多层铜互连阻挡层CMP中铜沟槽剩余厚度的控制
无氧化剂条件下铜钴CMP去除速率的控制
基于碱性硅溶胶磨料的石英玻璃的化学机械抛光（英文）
碱性CMP表面活性剂对硅衬底表面状态的影响
双氧水稳定剂对碱性铜膜抛光液稳定性的影响
集成电路制造业用高分子聚合物抛光垫专利分析
新型碱性清洗液对CMP后残留SiO2颗粒的去除
阳离子型与非离子型表面活性剂的复配对阻挡层化学机械抛光的影响
非离子表面活性剂在钽基阻挡层CMP中的作用
阻挡层抛光中布线槽铜电阻Rs的控制机制研究
有机胺碱对硅通孔铜膜化学机械抛光的影响
抛光压力与表面活性剂对铜CMP均匀性的影响
碱性抛光液中表面活性剂对铜钽的电偶腐蚀
超精密加工中铜表面CMP后残余金属氧化物的去除
新型碱性抛光液对300mmTaN镀膜片CMP效果评估
硅衬底CMP过程中抛光雾的控制
新型GLSI弱碱性铜抛光液稳定性研究
不同粒径硅溶胶磨料对CuCMP的综合影响
不同pH值下过氧化氢对Ru的CMP的影响
GLSI铜布线碱性抛光液中磨料的稳定性
碱性抛光液中螯合剂对Cu/Ta电偶腐蚀的影响（英文）
阻挡层CMP中铜钴电偶腐蚀的影响因素
多层铜布线CMP后BTA去除和铜表面腐蚀抑制
CMP中TEOS去除速率的一致性
抛光垫使用寿命对铜CMP平均去除速率一致性的影响
基于螯合剂与活性剂的Cu-CMP清洗液对BTA去除的影响
KIO4基电解液中Cu/Ru电偶腐蚀的控制与分析
磨料粒径对铝栅CMP去除速率和粗糙度的影响
新型Cu/Ti/SiO2碱性精抛液对TSV碟形坑和塌边的修正
蓝宝石晶片加工中的技术关键和对策
化学机械平坦化材料对蓝宝石抛光速率与粗糙度的影响
GLSI铜互连层CMP后碱性清洗液的研究
基于Arrhenius方程研究活性剂对铜CMP粗糙度的影响
碱性条件下CMP参数对铝栅表面粗糙度的影响
铝栅去除速率控制机理
GLSI阻挡层钌化学机械抛光去除速率的控制
28nm集成电路铜互连弱碱性阻挡层抛光液性能
铝栅碱性CMP的析氢腐蚀
低磨料质量分数碱性阻挡层抛光液的研究
新型碱性抛光液化学作用对铜的去除机理
新型碱性抛光液对Si晶圆抛光速率的优化
对比不同特性蓝宝石抛光液的CMP性能
300mm硅晶圆粗抛速率优化
H2O2基电解液的pH值对铜钌电偶腐蚀的影响
铜化学机械平坦化过抛过程中平坦化效率的计算方法
CMP后清洗中活性剂对SiO2颗粒去除的影响
铜/钽/绝缘介质用碱性化学机械抛光液的优化
抛光液成分对铝栅化学机械抛光过程中铝去除速率的影响
多元胺醇型表面活性剂对铜晶圆平坦化的影响
工艺条件对铝栅化学机械平坦化效果的影响
磨料粒径对多层Cu布线CMP的影响
铜互连线低磨料化学机械平坦化机制
优化CMP碱性铜抛光液配比的新方法
FA/O精抛液组分对Cu/TaCMP去除速率的影响
碱性铜粗抛液中氧化剂对化学机械平坦化的影响
碱性铜粗抛液中各组分对铜去除速率的影响
碱性铜精抛液中活性剂对平坦化效果的影响
阻挡层CMP中螯合剂FA/OII对抛光效果的影响（英文）
氧化剂在TSV铜膜CMP中钝化机理
碱性清洗液中pH值对苯并三氮唑去除效果的影响
pH值对低磨料碱性铜抛光液稳定性的影响
CMP中新型碱性阻挡层抛光液的性能
铝栅化学机械抛光工艺
金刚石膜电极电化学过程阴极被氧化的研究
螯合剂在TSVCMP中对铜膜抛光效果的影响
CuCMP平坦化中螯合剂与氧化剂的协同作用
Cu CMP平坦化中螯合剂与氧化剂的协同作用
乙醇对低磨料CMP过程中铜膜凹凸处去除速率选择性的影响
CMP抛光液对TiO2薄膜表面粗糙度的影响
稀释倍数对弱碱性铜粗抛液性能的影响
各组分体积分数对碱性抛光液存储时间的影响
碱性阻挡层抛光液各成分对CMP的影响
不同磨料质量分数对化学机械平坦化的影响
碱性铜抛光液在CMP工艺中的性能评估
不同体积分数螯合剂对Cu-BTA去除的影响
新型碱性清洗剂对BTA去除的研究
光电器件用蓝宝石衬底高精密加工技术及应用
CMP专用纳米磨料生长粒径控制技术研究
固体表面高精密加工技术及专用纳米材料
ULSI铜内连线全局平面化机理及其材料的研究
超大规模集成电路硅衬底化学机械研磨技术的研究
蓝宝石衬底纳米磨料CMP技术的研究
超大规模集成电路多层铜布线用化学机械全局平米面化抛光液
纳米材料在微电子技术中的应用
铝、钽、钨、铜及氮化钛等金属纳米磨料CMP技术及其应用的研究
微晶、石英、光学、电子玻璃纳米磨料CMP技术的研究
计算机硬盘盘基片纳米磨料CMP技术的研究
FA/O半导体材料切削剂及技术
集成电路硅衬底抛光片表面吸附粒子吸附状态的控制方法
超大规模集成电路(ULSI)SiO<,2>介质CMP机理研究
ULSI制备中SiO_2介质表面状态的研究
ULSI制备中SiO2介质表面状态的研究
超大规模集成电路（ULSI）SiO2介质CMP机理研究
超大规模集成电路纳米磨料化学机械全局平面化新技术
电子材料表面吸附物的研究
FA/O半导体材料切削液及技术的研究
用化学方法提高固体表面光洁度的研究及应用
6 系、7 系铝合金抛光液
GLSI多层布线高价金属在CMP中的应用
多层铜互连阻挡层抛光液及其制备方法
硅溶胶在微电子领域的应用
用于多层铜互连阻挡层CMP速率选择性的控制方法
用于去除多层铜互连阻挡层CMP后表面残留物的清洗液
用于提高集成电路钌互连线抛光去除速率的抛光液及其制备方法
用于降低多层钴互连阻挡层CMP中表面缺陷的抛光液及其制备方法
用于降低多层铜互连阻挡层CMP缺陷的碱性抛光液及其制备方法
一种碱性抛光后低k介质清洗剂及其清洗方法
一种集成电路低k介质抛光后清洗剂及其清洗方法
用于抑制铜钴阻挡层电偶腐蚀及钴表面点蚀的抛光浆料
多层铜布线钴阻挡层表面粗糙度的控制方法
碱性抛光液在抑制铜钽阻挡层电偶腐蚀的应用
碱性抛光液在抑制铜钽阻挡层电偶腐蚀的应用
用于抑制铜钌阻挡层电偶腐蚀的碱性抛光液及其制备方法
用于抑制铜钌阻挡层电偶腐蚀的碱性抛光液及其制备方法
一种用于阻挡层钌的碱性抛光液及其制备方法
一种用于阻挡层钌的碱性抛光液及其制备方法
一种用于铜布线阻挡层钴的碱性抛光液及其制备方法
一种防雾霾管道吸附口罩
一种防雾霾管道吸附口罩
一种适用于蓝宝石A面的化学机械抛光组合物
一种适用于低下压力的铜化学机械精抛光液
一种适用于钴阻挡层的碱性化学机械抛光液
一种适用于钴阻挡层的碱性化学机械抛光液
一种适用于低下压力的铜化学机械精抛光液
陀螺光学元件石英衬底材料CMP抛光表面粗糙度的控制方法
陀螺光学元件石英衬底材料CMP抛光表面粗糙度的控制方法
蓝宝石衬底材料的复合磨料抛光液及其循环使用方法
蓝宝石衬底材料的复合碱抛光液及其循环使用方法
蓝宝石衬底材料的复合碱抛光液及其循环使用方法
大尺寸硅单晶片表面有机物沾污的红外镜反射检测方法
大尺寸单晶硅片表面有机物沾污的红外透射检测方法
一种红外反射法测硅基图形片表面苯并三唑浓度的方法
用于检测铜互联线是否产生碟形坑的电路版图结构
ULSI铜材料抛光后表面清洗方法
超大规模集成电路铜布线表面低压化学机械抛光方法
极大规模集成电路多层布线碱性抛光后防氧化方法
超大规模集成电路铝布线抛光后晶片表面洁净处理方法
硅衬底材料抛光后表面清洗方法
铌酸锂晶体化学机械抛光后的应力控制方法
铌酸锂晶片碱性CMP后的表面洁净方法
去除硅衬底材料抛光后表面金属杂质的清洗方法
钨钼合金化学机械抛光后表面清洗方法
蓝宝石衬底材料抛光后表面洁净方法
极大规模集成电路钨插塞CMP后表面洁净方法
镁铝合金化学机械抛光后表面清洗方法
锑化铟晶片碱性化学机械抛光后的表面洁净方法
Ti阻挡层材料化学机械抛光后的表面洁净方法
计算机硬盘磷化铟基片CMP后表面洁净方法
钽化学机械抛光工序中的表面清洗方法
液晶屏的清洗方法
超大规模集成电路多层铜布线化学机械抛光后的洁净方法
ULSI多层铜布线化学机械抛光中碟形坑的控制方法
ULSI多层铜布线化学机械抛光中粗糙度的控制方法
ULSI多层铜布线化学机械抛光中平整度的控制方法
半导体锑化铟化学机械抛光液
用于计算机硬盘基片化学机械抛光的抛光液
半导体硅晶片水基研磨液
半导体硅材料水基切削液
消除半导体硅晶片表面应力的方法
带损伤应力环的半导体硅切片
超大规模集成电路多层布线SiO＜sub＞2＜/sub＞介质的纳米SiO＜sub＞2＜/sub＞磨料抛光液
电子玻璃的纳米SiO＜sub＞2＜/sub＞磨料抛光液
能消除硅气相外延层中滑移线与高应力区的装置
能消除硅气相外延层中滑移线与高应力区的装置
控制和消除硅气相外延层雾状微缺陷的方法
厚度一致的硅气相外延层的生长装置及生长方法
微电子专用螯合剂的使用方法
液晶显示屏水基清洗剂
硅磨片清洗剂
利用电化学作用去除集成电路晶片表面污染物的方法
硅单晶衬底材料抛光液及其制备方法
硅单晶片器件制备区域表面完美性的控制方法
硅单晶衬底材料表面粗糙度的控制方法
提高P型硅外延电阻率一致性的控制方法
用于铌酸锂光学晶片研磨抛光的抛光液
用于微晶玻璃研磨抛光的抛光液
蓝宝石衬底材料抛光液及其制备方法
超大规模集成电路铝布线抛光液
超大规模集成电路专用纳米硅溶胶的纯化方法
超大规模集成电路专用纳米硅溶胶的稳定方法
用于硼酸锂铯晶体的化学机械无水抛光液及平整化方法
用于磷酸氧钛钾晶体的化学机械抛光液
用于大规模集成电路多层布线中钨插塞的抛光液
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