科研专业方向
研究领域：
半导体新材料制备与应用技术
研究方向：
凝聚态物理；宽禁带半导体电子材料，物理与器件，半导体低维物理
沈教授
教授
B类
北京北京市
科研重点分布
近年科研重点
2013
表面等离子增强效应 光散射 光俘获 新概念太阳电池 光伏性能2020
微米发光二极管 显示 外延 芯片 检测科研产出增长曲线
历年科研产出
学科论文分布
无线电电子学：19
物理学：15
工业通用技术及设备：6
电力工业：3
化学：2
工业经济：1
总数:
34
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- 产学研合作
- 基金课题
- 荣誉&成就
- 科研成果
产学研合作
合作信息
| 合作单位 | 合作论文数量 |
|---|---|
| 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 8 |
| 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 | 4 |
| 广西大学物理科学与工程技术学院 | 2 |
| 华东师范大学信息科学与技术学院极化材料与器件教育部重点实验室 | 2 |
| 南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室 | 2 |
| 南京电子器件研究所 | 2 |
| 中科院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 | 2 |
| 河北大学电子信息工程学院 | 1 |
| 洛阳光电研究所 | 1 |
| 兰州大学物理系 | 1 |
| 中科院半导体研究所材料物理国家重点实验室 | 1 |
| 介观物理与人工微结构国家重点实验室 | 1 |
| 南京大学物理系 | 1 |
| 固体微结构国家重点实验室 | 1 |
| 介观物理与人工微结构? | 1 |
| 北京协同创新研究院 | 1 |
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基金课题
| 论文标题 | 基金名称 |
|---|---|
| 面向显示应用的微米发光二极管外延和芯片关键技术综述 | 国家重点研发计划 |
| nc-Si:H/α-SiC:H多层膜的结构与光吸收特性 | 国家自然科学基金 |
| 表面钝化前后Al0.22Ga0.78N/GaN异质结势垒层应变的高温特性 | 国家重点基础研究专项基金 |
| 一维纳米结构太阳电池及其研究进展 | 北京大学介观物理国家重点实验室开放性课题河北省高等学校技术研究项目 |
| 表面陷光技术及其在太阳电池中的应用 | 北京大学介观物理国家重点实验室开放性课题河北省高等学校技术研究项目 |
| GaN/AlxGa1-xN异质结二维电子气的磁电阻研究 | 国家重点基础研究发展计划 |
| GaN/AlxGa1-xN异质结二维电子气的磁电阻研究 | 国家自然科学基金 |
| AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的高温输运性质 | 国家重点基础研究专项基金 |
| AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的高温输运性质 | 国家重点基础研究专项基金 |
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荣誉&成就
"国家杰出青年基金获得者" 2003年
科研成果
- 期刊论文
- 技术成果
- 专利
高亮度Micro-LED外延和芯片制备
面向显示应用的微米发光二极管外延和芯片关键技术综述
表面等离子增强太阳电池及其研究进展
氟基等离子体处理对高Al组分AlGaN肖特基接触反向漏电的改善
GaN/AlxGa1-xN异质结二维电子气的磁电阻研究
GaN/AlxGa1-xN异质结二维电子气的磁电阻研究
GaN基p-i-n型雪崩探测器的制备与表征（英文）
MOCVD生长的AlInN薄膜性质研究
高迁移率AlxGa1-xN/GaN异质结构材料生长研究
In气氛下晶体生长对Mg掺杂p-AlxGa1-xN激活能的影响
AlxGa1-xN/GaN异质结构中2DEG的塞曼自旋分裂
脉冲缓冲层对AlN外延层位错密度的影响
蓝宝石衬底上GaN/AlxGa1-xN超晶格插入层对AlxGa1-xN外延薄膜应变及缺陷密度的影响
高Al组分AlxGa1-xN薄膜的弹性-塑性力学性质
AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气输运性质由扩散区域向弹道区域的转变
光照对AlxGal-xN/GaN异质结构中二维电子气输运性质的影响
GaN/AlGaN超晶格过渡层对生长在GaN模板层上的AlGaN位错密度的影响
Au/Ni/GaN肖特基二极管的高温电流输运机制研究
高阻GaN外延薄膜中缺陷形貌的透射电镜研究
蓝宝石衬底上GaN/AlxGa1-xN超晶格插入层对AlxGa1-xN外延薄膜应变及缺陷密度的影响
单轴应变对Al×Ga1-xN/GaN异质结构中二维电子气圆偏振自旋光电效应的影响
SiNx钝化对Al×Ga1-xN/GaN异质结构中二维电子气高温输运性质的影响
选区生长GaN基LED的研究
前进中的北京大学宽禁带半导体研究中心
AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的高温输运性质
AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的高温输运性质
Al0.22Ga0.78N/GaN二维电子气中的弱局域和反弱局域效应
Al组分对AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气输运性质的影响（英文）
极化电场对AlxGa1-xN/GaN双量子阱中子带间跃迁的光学性质的影响（英文）
氮化蓝宝石衬底上GaN薄膜的微结构与光学性质
nc-Si:H/α-SiC:H多层膜的结构与光吸收特性
表面钝化前后Al0.22Ga0.78N/GaN异质结势垒层应变的高温特性
一维纳米结构太阳电池及其研究进展
表面陷光技术及其在太阳电池中的应用
氮化物半导体大失配异质外延技术
一种利用多层二维晶体掩膜制备氮化镓单晶衬底的方法
一种利用单晶二维材料制备大尺寸氮化物体单晶的方法
一种利用边缘金属掩膜技术制备氮化镓单晶衬底的方法
一种用于AlN单晶扩径生长的PVT装置
一种利用PVT法在SiC籽晶上异质生长AlN的方法
一种在任意自支撑衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法
p型沟道的III-V族材料异质结构和HEMT器件及制备方法
一种降低半导体量子点激光器线宽增强因子的方法
Ga-2O-3基共振隧穿二极管及其制备方法
一种用非晶光子结构提高LED封装器件出光效率的制备方法
一种基于大尺寸籽晶的氮化铝单晶制备方法
一种金属有机化合物气相沉积系统
一种高阻氮化镓及其异质结构的制备方法
硅基氮化镓射频器件射频损耗的抑制方法
检测宽禁带半导体中深能级缺陷态的方法
一种AlGaN基深紫外量子阱及其制备方法和应用
AlGaN基深紫外发光二极管器件及其制备方法
一种microLED芯片的显微拉曼结合光致发光检测装置及其方法
一种micro LED芯片的拉曼增强的检测方法及其装置
一种降低白光发光二极管蓝光危害的方法
白光发光二极管的调光电路
一种发光二极管芯片及其制造方法
一种发光二极管芯片
一种向GaN基异质结构二维电子气中注入自旋的方法和结构
一种利用金属基底制备的氮化物外延结构及其制备方法
一种利用石墨烯阻挡层制备氮化物垂直结构LED的方法
一种面向micro-LED应用的无损微纳结构的制备方法
一种宽波段高效紫外光源及其制备方法
一种非极性面氮化物量子阱红外探测器及其制备方法
白光发光二极管的调光方法
一种发光二极管芯片及其制造方法
一种发光二极管芯片及其制造方法
一种利用还原气体提高AlN单晶纯度的方法
半导体异质结构及半导体器件
一种共面波导结构微米LED的制备方法
一种高压高功率GaN基LED阵列芯片的制备方法
一种在Si(100)衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法
一种在多晶或非晶衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法
化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度的检测方法
一种大注入倒装微米LED芯片及其制备方法
一种利用二维晶体过渡层制备半导体单晶衬底的方法
一种纳米线耦合量子点结构及其制备方法
一种半导体异质结构制备方法及其用途
一种p型AlGaN外延薄膜及其制备方法和应用
一种高质量AlN及其制备方法和应用
一种微米LED芯片内互联的实现方法
一种异质衬底上GaN连续厚膜的外延生长方法
一种氮化物平面结构共振隧穿二极管及其制备方法
一种预后制备量子点的量子点耦合微结构及其制备方法
一种预后制备量子点的量子点耦合微结构及其制备方法
一种高质量AlN外延薄膜及其制备方法和应用
一种InxAlyGa1#x#yN/GaN异质结构外延方法
一种InxAlyGa1-x-yN/GaN异质结构及其外延方法
一种基于纳米管的荧光标记载体及其制备方法
一种出光增强型电子束泵浦紫外光源及其制备方法
一种二维通道结构及其制备方法
一种基于MOCVD侧向外延制备低位错密度AlGaN薄膜的方法及AlGaN薄膜
利用太阳能提高效率的微生物燃料电池体系及其构造方法
一种硅上高迁移率GaN基异质结构及其制备方法
一种硅上高迁移率GaN基异质结构及其制备方法
一种可控阵列纳米线太阳能电池及其制备方法
一种双组分渐变结构太阳能电池及其制备方法
一种氮化物量子阱红外探测器及其制备方法
一种在GaN衬底上同质外延生长的方法
一种在GaN衬底上同质外延生长的方法
一种可控阵列纳米线及其场效应晶体管的制备方法
一种氮化物复合势垒量子阱红外探测器及其制备方法
一种氮化物宽势垒多量子阱红外探测器及其制备方法
一种高晶体质量AlN外延层的生长方法
一种生长高质量全组分可调三元半导体合金的方法
一种生长高质量全组分可调三元半导体合金的方法
检测半导体晶体或外延薄膜材料极性的方法及检测系统
一种高晶体质量高阻GaN外延层的生长方法
制备GaN基稀磁半导体材料的方法
一种生长高阻GaN薄膜的方法
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