公司定位于技术水平领先的宽禁带半导体（第三代半导体）衬底材料生产商，聚焦于SiC衬底的研发、生产和销售，处于产业的上游材料端。目前公司可以较高成功率稳定产出6英寸SiC单晶晶圆，未来该技术发展方向为大尺寸SiC单晶制备生产批量成熟技术和前沿半导体技术。 主要产品为碳化硅晶片，碳化硅衬底是第三代半导体材料中氮化镓、碳化硅应用的基石。 核心技术优势：碳化硅晶体生长工艺，我们用仿真模拟来指导碳化硅晶体生长工艺的制备，这是第三代半导体的核心部分，也为第三代氮化镓和第四代半导体材料外延提供优质的衬底材料。我司创新性地开展了“气相-固相”的长晶动力学和晶体缺陷生成的机理研究，这是第三代半导体研究的无人区。我们在基础理论研究领域进行深耕，去解决晶体生长时的位错、微管密度等缺陷问题。 产品优势：我司晶圆的品质较高，处于国内一流水平，例如，微管每平方厘米2个。 且将来通过国际合作，我们的品质可有大幅度提升，达到国际领先水平。 产品技术：目前可以稳定工艺较高良率生产6寸sic晶体；7天大约100小时长晶20mm。 产业链优势：我司具备全套的设备图纸，长晶工艺，成熟的SiC粉料制成工艺和整套的SiC晶圆的冷切割及抛磨技术。我司以高品质的产品性能为优势，同时建立粉末加工、设备制造、石墨、切磨抛工艺等产业链相关子公司，推动产品成本持续优化，品质不断提升，从而完善从“设备研制—原料合成—晶体生长—晶体切割—晶片加工—清洗检测”的全流程关键技术和工艺，打通第三代半导体材料上游端的整个产业链。